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Journal of Semiconductors 2013年第12期34卷 26-29页

作者：相文峰刘琨赵昆钟寿仙 College of Science China University of Petroleum Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of PhysicsChinese Academy of Sciences

The electrical properties of Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Si1_xGex contacts on heavily doped p-type strained Sil-xGex layers as a function of composition and doping concentration for a given composition have been investigated. A four-terminal Kelvin-resistor structure has been fabricated by using the conventional com- plementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） process to measure contact resistance. The results showed that the contact resistance of the Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Sil-xGex contacts slightly reduced with increasing the Ge fraction. The higher the doping concentration, the lower the contact resistivity. The contact resistance of the samples with doping concentration of 4×10^19 cm^-3 is nearly one order of magnitude lower than that of the sam- ples with doping concentration of 5 × 10^17 cm^-3. In addition, the influence of dopant segregation on the contact resistance for the lower doped samples is larger than that for the higher doped samples.

关键词： specific contact resistivity Ni(Pt) germanosilicide Ge fraction doping concentration

Ni^(2+)含量对Ni-Al双金属氢氧化物的电化学性能的影响

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微纳电子技术 2021年第11期58卷 1023-1029页

作者：黄晓炜姚江峰相文峰中国石油大学(北京)新能源与材料学院北京102249

通过调控Ni^(2+)含量,利用双水解法成功制备了具有层状结构的Ni-Al双金属氢氧化物,并研究了Ni^(2+)含量对Ni-Al双金属氢氧化物电化学性能的影响。实验结果表明:随着Ni^(2+)含量的增加,Ni-Al双金属氢氧化物的电化学性能随之提升;当Ni^(2+... 详细信息

通过调控Ni^(2+)含量,利用双水解法成功制备了具有层状结构的Ni-Al双金属氢氧化物,并研究了Ni^(2+)含量对Ni-Al双金属氢氧化物电化学性能的影响。实验结果表明:随着Ni^(2+)含量的增加,Ni-Al双金属氢氧化物的电化学性能随之提升;当Ni^(2+)和Al^(3+)的摩尔比为1∶2时,Ni-Al双金属氢氧化物具有最佳的电化学性能,其比电容在5 mV/s的扫描速度下可达1380 F/g,在电流密度3 A/g下进行1000次循环充放电测试后,比电容保持率仍能维持在66.7%;当Ni^(2+)和Al^(3+)的摩尔比大于1∶2时,Ni-Al双金属氢氧化物的电化学性能反而略微降低。此外,讨论了Ni^(2+)含量对Ni-Al双金属氢氧化物的制备和性能的影响机理。

关键词： Ni-Al双金属氢氧化物比电容超级电容器双水解法电化学性能

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薄膜压电系数测量方法的研究进展

微纳电子技术 2014年第1期51卷 59-65页

作者：董佳丽相文峰赵昆岳义贺卓赵嵩卿中国石油大学理学院北京102249

基于国内外对于薄膜压电系数的研究成果,系统地综述了薄膜压电系数的测量方法,如正向压力法、圆片弯曲法、激光干涉法、悬臂梁法和显微镜法等,并对这些方法的基本原理、测试表征、应用状况及存在的问题进行了详细的分析,同时比较了这些... 详细信息

基于国内外对于薄膜压电系数的研究成果,系统地综述了薄膜压电系数的测量方法,如正向压力法、圆片弯曲法、激光干涉法、悬臂梁法和显微镜法等,并对这些方法的基本原理、测试表征、应用状况及存在的问题进行了详细的分析,同时比较了这些方法的优缺点。传统的测量方法,如正向压力法、圆片弯曲法和悬臂梁法等已经遇到了技术瓶颈,难以得到根本性的优化;而高分辨率的激光干涉法和显微镜法测量方便、可靠,与其他技术相结合有望成为表征薄膜压电系数的标准方法。

关键词：压电系数压电薄膜测试方法正压电效应逆压电效应

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运动捕捉技术及柔性传感器用于人体连续运动监测的研究进展

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微纳电子技术 2023年第11期60卷 1703-1714页

作者：李承翰胡明皓李航相文峰中国石油大学(北京)新能源与材料学院北京102249

对多种运动捕捉技术和柔性传感器在当前多种领域的广泛应用进行了简单阐述。重点从关节的运动类型出发,对人体运动进行了分析,介绍了光学监测系统、惯性传感系统、磁感应测量系统和柔性应力传感系统的原理,评估了它们在捕捉人体连续运... 详细信息

对多种运动捕捉技术和柔性传感器在当前多种领域的广泛应用进行了简单阐述。重点从关节的运动类型出发,对人体运动进行了分析,介绍了光学监测系统、惯性传感系统、磁感应测量系统和柔性应力传感系统的原理,评估了它们在捕捉人体连续运动方面的适用性,并总结了国内外研究中涉及新系统搭建、算法提升和信息处理等研究成果,以及其在提高运动捕捉性能方面的研究进展,对所综述的运动捕捉技术的优缺点进行了评述。最后,对当前运动捕捉技术进行对比,说明了当前技术成熟发展完善,但提升空间有限;柔性传感器测量能力全面,具有较大的系统发展潜力,有望成为运动捕捉技术未来的发展方向。

关键词：可穿戴设备柔性传感器惯性传感运动捕捉技术姿态监测

SrTiO_3薄膜电致电阻调制机理的研究进展

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材料导报 2014年第15期28卷 142-146页

作者：王少敏相文峰赵昆赵嵩卿中国石油大学(北京)理学院北京102249

对SrTiO3材料体系的电致电阻效应及其机理进行了系统的介绍;并对目前公认的3种调制机理:氧空位电迁移模型、共振隧穿路径开闭模型、位错网络模型进行了详细讨论;指出几种机理可能共存于电致电阻调制过程的不同阶段,找到其中的主导机制... 详细信息

对SrTiO3材料体系的电致电阻效应及其机理进行了系统的介绍;并对目前公认的3种调制机理:氧空位电迁移模型、共振隧穿路径开闭模型、位错网络模型进行了详细讨论;指出几种机理可能共存于电致电阻调制过程的不同阶段,找到其中的主导机制将是未来研究的关键。

关键词：电致电阻效应钛酸锶(STO) 调制机制

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一维纳米材料排列方法的研究进展

微纳电子技术 2012年第6期49卷 375-381,405页

作者：潘亚武相文峰刘琨赵昆张鹏中国石油大学(北京)理学院北京102249

基于国内外一维纳米材料器件的最新研究进展,系统综述了近年来一维纳米材料的排列方法,并介绍了磁场排列法、电场排列法、微流法、Langmiur-Blodgett等方法的原理和优缺点。同时,指出了一维纳米材料器件集成所面临的挑战,例如无法兼顾... 详细信息

基于国内外一维纳米材料器件的最新研究进展,系统综述了近年来一维纳米材料的排列方法,并介绍了磁场排列法、电场排列法、微流法、Langmiur-Blodgett等方法的原理和优缺点。同时,指出了一维纳米材料器件集成所面临的挑战,例如无法兼顾大规模有序排列与单一纳米材料精确定位排列等。最后,简单展望了一维纳米材料排列方法的发展趋势,传统排列方法,包括磁学方法和电学方法等的发展已经遇到了技术瓶颈,短时间内难以得到本质性的优化,生物技术也许会成为一维纳米材料有序排列的一个发展方向。

关键词：一维纳米材料纳米线有序排列自组装纳米器件

Near-infrared lateral photovoltaic effect of epitaxial LaTiO--_(3+δ) films under high pressure

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Chinese Optics Letters 2016年第1期14卷 93-97页

作者：息剑峰赵昆尼浩相文峰肖立志 State Key Laboratory of Petroleum Resources and Prospecting China University of Petroleum Beijing Key Laboratory of Optical Detection Technology for Oil and Gas China University of Petroleum

A lateral photovoltaic effect （LPE） is discovered in an LaTiO3＋8 film epitaxially grown on a （100） SrTiO3 substrate. Under the illumination of a continuous 808 nm laser beam that is focused on the LaTiO3＋δ film through the SrTiO3 substrate, the open-circuit photovoltage depends linearly on the illuminated position. The sensitivity of the LPE can be modified by the bias current. The LaTiO3＋δ film shows a stable photoelectric property under the high pressure, up to 9 MPa. These results indicate that the LaTiO3＋δ films can give rise to a potentially photoelectronic device for near-infrared position-sensitive detection in high-pressure environments.

关键词： La Near-infrared lateral photovoltaic effect of epitaxial LaTiO films under high pressure high

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Cu2O颗粒的液相还原法可控制备

微纳电子技术 2020年第12期57卷 1023-1027页

作者：陈少华孙睿黄晓炜相文峰中国石油大学(北京)理学院北京102249 中国石油大学(北京)新能源与材料学院北京102249 中国石油大学(北京)油气光学探测技术北京市重点实验室北京102249

以二水合氯化铜为铜源、氢氧化钠为碱源、水合肼为还原剂,采用液相还原法制备出了分散性好、形貌规则的纯相八面体氧化亚铜(Cu2O)颗粒。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线能谱分析(EDS)等技术手段探讨了铜源和还原剂用... 详细信息

以二水合氯化铜为铜源、氢氧化钠为碱源、水合肼为还原剂,采用液相还原法制备出了分散性好、形貌规则的纯相八面体氧化亚铜(Cu2O)颗粒。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线能谱分析(EDS)等技术手段探讨了铜源和还原剂用量对Cu2O颗粒的影响。结果表明,尽管铜源的用量不会改变Cu2O颗粒形貌,但对颗粒的粒径有重要的影响。当铜源与碱源的摩尔数之比由1∶2增至3∶2时,Cu2O的粒径将减小至原粒径的约1/2,同时伴有大量约1/10原粒径尺寸的小颗粒产生。而还原剂的用量会改变颗粒表面的吸附效应,但过量的还原剂会破坏Cu2O颗粒的形貌,并还原出金属Cu单质。

关键词：氧化亚铜(Cu2O) 液相还原法铜源还原剂形貌控制

Oxygen Pressure Dependence of Properties of Epitaxial LaAlO3 Films Grown on Si （100）

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Chinese Physics Letters 2005年第6期22卷 1515-1517页

作者：相文峰吕惠宾陈正豪何萌周岳亮 BeijingNationalLaboratoryforCondensedMatterPhysics InstituteofPhysicsChineseAcademyofSciencesBeijing100080

Heteroepitaxial LaAlO3 films were grown on a SrTiO3/Si (100) substrate by laser molecular beam epitaxy under different oxygen pressures, and their properties such as crystallinity and electrical characteristics were experimentally investigated using the various measurement methods. The results show that most properties depend mainly on the deposition oxygen pressure. The crystallinity and the C–V and I–V characteristics can be greatly improved with the increasing oxygen deposition pressure. Moreover, after annealed at 1050 degrees C in N2 ambient, the C–V and I–V characteristics of LAO films deposited at the lower oxygen pressure are also improved due to the decrease of oxygen vacancies in LAO films.

关键词： FET MFIS LAO

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

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Chinese Physics Letters 2006年第2期23卷 467-469页

作者：相文峰吕惠宾颜雷何萌周岳亮陈正豪 Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of Physics Chinese Academy of Sciences Beijing 100080

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.

关键词： AMORPHOUS LAALO3 THIN-FILMS OXIDATION SILICON SI(100)