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氨对硅基铁纳米薄膜高温重凝核的影响

南昌大学学报(理科版) 2006年第4期30卷 348-352页

作者：方利广赵勇俞进盛广沪郑军南昌大学理学院江西南昌330047 南昌大学理学院

采用弧过滤离子沉积系统(arc filtered deposition,AFD)在纯硅表面制备铁纳米薄膜。研究了750℃下铁纳米薄膜在氢气氛围以及氨气氛围中重凝核的规律。研究表明,在氢气氛围中,铁纳米薄膜重凝核以后形成的铁纳米颗粒随薄膜的厚度增加以及... 详细信息

采用弧过滤离子沉积系统(arc filtered deposition,AFD)在纯硅表面制备铁纳米薄膜。研究了750℃下铁纳米薄膜在氢气氛围以及氨气氛围中重凝核的规律。研究表明,在氢气氛围中,铁纳米薄膜重凝核以后形成的铁纳米颗粒随薄膜的厚度增加以及保温时间的延长而增大;但在氨气氛围中,铁纳米薄膜重凝核后形成的纳米颗粒的尺寸随保温时间的变化更为复杂:在氨气作用的初始阶段,铁颗粒的尺寸随氨气作用时间的延长而逐渐变大,但一段时间以后,铁颗粒的尺寸又随氨气作用时间的延长而变小,直到铁颗粒平均直径达到一个最小值(大约在氨气介入后的12 m in),随后铁颗粒的尺寸又逐渐变大,并最终达到一稳定值。

关键词：纳米薄膜氨凝核

注入剂量和低温退火对硅离子注入热氧化硅层发光特性的影响

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南昌大学学报（理科版） 2011年第6期35卷 535-540页

作者：赵勇侯硕俞进方利广郑军盛广沪南昌大学理学院江西南昌330031

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2:Si辐照层。样品的室温可见PL谱峰位集中在560～700nm的4个谱带;Raman谱表明样品中没有纳米硅晶形成,XPS谱检测到富氧和缺氧两种价键结构。560nm发光中心起源于氧化硅层中的富氧结构缺陷SPR,... 详细信息

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2:Si辐照层。样品的室温可见PL谱峰位集中在560～700nm的4个谱带;Raman谱表明样品中没有纳米硅晶形成,XPS谱检测到富氧和缺氧两种价键结构。560nm发光中心起源于氧化硅层中的富氧结构缺陷SPR,620～700nm的谱峰均源自非桥氧空穴中心NBOHC。研究了注入剂量和退火温度对缺陷发光特性的影响。结果表明,当Si离子注入剂量小于6×1016 cm2时,伴随注入剂量的增加观察到PL谱带强度单调上升;当注入剂量超过6×1016 cm2时,因过量离子注入引发的浓度猝灭致使PL谱带发光强度显著减弱;注入剂量6×1016 cm2的样品在200～500℃温度范围内退火后相应的PL谱两个子谱带呈现相反的温度变化趋势,这种差异是由于作为发光中心的SPR和NBOHC具有不同的热诱导生长机制而导致的。

关键词：离子注入氧化硅缺陷发光辐照损伤

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超光速研究的回顾与展望

南昌航空大学学报（自然科学版） 2003年第4期19卷 36-40页

作者：徐旭明盛广沪南昌大学理学院江西南昌330047

人类对超光速的理论研究由来已久。近期的一些实验结果使得该领域再次成为人们广泛关注的热点 ,这是因为该现象既有诱人的应用前景 ,又涉及到重大的基础理论问题。本文将概述超光速的理论、实验以及存在的问题。

关键词：超光速回顾展望

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碳纳米带的催化生长及其机理的研究

硅酸盐通报 2008年第2期27卷 264-268页

作者：赵勇俞进盛广沪高跃飞方利广梁晓军南昌大学理学院南昌330031

采用热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在经过高温氨气处理后的硅基铁纳米薄膜表面实现片状碳纳米带的催化生长。通过场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscopy,FESEM)的观察可知,生... 详细信息

采用热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在经过高温氨气处理后的硅基铁纳米薄膜表面实现片状碳纳米带的催化生长。通过场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscopy,FESEM)的观察可知,生成的碳材料是一种准二维材料,表面具有垂直于其长度方向的纹理,厚(z方向)约几十纳米,宽(y方向)几百纳米,类似于一种"搓板"状的结构。而其宽度沿着其长度方向则有较大的变化,时宽时窄,没有固定的规律。这种带状碳纳米纤维材料的边缘光滑,比中间略宽,类似于一种镶边结构。通过高分辨透射电子显微镜(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)的观察可知,碳纳米带的碳层沿着垂直于碳纳米带长度的(002)方向有统一的排列,其边缘都弯曲折叠成封闭结构。有序排列的碳层被层错和断点分割成许多微区。在对催化剂研究的基础上,本文认为片状碳纳米带的生长是通过碳原子在片层状催化剂颗粒中的扩散、析出来实现的。碳层从催化剂片层侧面中一层一层地析出,形成带状外观。

关键词：碳纳米带催化剂化学气相沉积生长机理

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可见-近红外二区双通道荧光成像系统

红外与毫米波学报 2024年第3期43卷 413-420页

作者：刘雯倪沪桅钱骏浙江师范大学浙江省光信息检测与显示技术研究重点实验室物理与电子工程学院浙江金华321004 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心光电科学与工程学院先进光子学国际研究中心浙江杭州310058

本文基于光学手段,开发出了一套能够兼顾可见光与近红外二区(NIR-Ⅱ)窗口的双通道宏观成像系统,能够实时输出具有NIR-Ⅱ荧光信息的高质量明场图像,解决了常规的NIR-Ⅱ宏观成像系统提供的荧光图像与明场图像割裂较大的问题。实验中利用... 详细信息

本文基于光学手段,开发出了一套能够兼顾可见光与近红外二区(NIR-Ⅱ)窗口的双通道宏观成像系统,能够实时输出具有NIR-Ⅱ荧光信息的高质量明场图像,解决了常规的NIR-Ⅱ宏观成像系统提供的荧光图像与明场图像割裂较大的问题。实验中利用不同厚度的脂肪组织测试了吲哚菁绿的NIR-Ⅱ窗口荧光信号分别在1 100~1 700 nm长通滤光片与1 300~1 700 nm长通滤光片下的抗散射能力与成像表现。接着利用所搭建的双通道宏观成像系统分别在小鼠以及大鼠模型上实现了淋巴结成像并模拟进行了淋巴结的切除手术,模拟了对腹腔淋巴结清扫的过程。最后,在大鼠模型上添加了不同厚度的生物脂肪组织,模拟实际手术中脂肪组织覆盖在淋巴结上的情况,观察双通道系统的穿透能力。可见近红外二区双通道荧光成像系统通过给操作者提供直观的影像信息,缩减手术时间、提高患者的预后,在临床手术导航中具有较大的应用潜力。

关键词：荧光成像技术双通道宏观成像系统近红外二区临床手术导航

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退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响

南昌大学学报(理科版) 2011年第3期35卷 258-262页

作者：赵勇俞进于鹏侯硕梁晓军方利广盛广沪南昌大学理学院

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和... 详细信息

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响。研究结果表明:由于薄膜制备过程中的"atom peening"机制导致大量的原子被束缚于非平衡位置,未退火的ZnO薄膜呈压应力;薄膜压应力随退火温度的升高而降低,当退火温度升高至约530℃,薄膜的内应变由压应力转变为张应力;升高退火温度还促进了ZnO薄膜晶粒生长。为通过退火控制PFCVAD制备的ZnO薄膜内应变提供了依据。

关键词： ZnO薄膜内应变退火温度 PFCVAD

PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响

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南昌大学学报（理科版） 2009年第2期33卷 164-167页

作者：于鹏赵勇马力盛广沪赖珍荃唐建成南昌大学理学院江西南昌330031 南昌大学材料科学与工程学院江西南昌330031

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积（pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD）系统,以Si（100）单晶片为衬底,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10-2Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜。通过原子力显微镜（AFM）和X射... 详细信息

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积（pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD）系统,以Si（100）单晶片为衬底,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10-2Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜。通过原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对ZnO薄膜结构和应变的影响。研究结果表明,不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在16.7~39.0 nm之间,靶负压对薄膜表面结构影响较小不同靶负压条件下ZnO薄膜都呈张应力,且张应力随靶负压的增大而增大。

关键词： PFCVAD 靶负压 ZnO 应变