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提高电子陶瓷机械强度的实验研究
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宇航材料工艺 1999年 第3期29卷 58-60页
作者： 白花珍 张之圣 天津大学电子信息工程学院
根据实验研究和批量生产实测数据，指出通过改进配方、成型和烧结方法等，能有效地提高陶瓷材料机械强度。这不仅对生产装置瓷具有实际意义，而且对生产结构陶瓷和高压、大功率电子元件用陶瓷以及超大规模集成电路、微波元件基片等有着... 详细信息
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CaTiSiO_5-TiO_2系统高频电容器瓷料的研究
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电子科技大学学报 1998年 第6期27卷 609-612页
作者： 白花珍 张之圣 胡明 天津大学电子信息工程学院
介绍一种以ＣａＴｉＳｉＯ５ＴｉＯ２为主晶相的高频热稳定、高频热补偿电容器瓷料。通过调整ＣａＴｉＳｉＯ５及ＴｉＯ２的百分含量，选择ＷＯ３和ＺｎＯ为添加剂，合理控制烧成温度，以适当温度预烧等方法，可得到介电系数高于国家... 详细信息
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BaTiO_3陶瓷的击穿与电容器的耐压
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中国陶瓷 1999年 第5期35卷 22-24,40页
作者： 白花珍 张之圣 胡明 天津大学电子信息学院 天津300072
本文介绍了ＢａＴｉＯ３ 陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外还较全面地阐述了添加剂、粘合剂及它... 详细信息
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磁阻效应及磁敏位置传感器
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电子学报 1996年 第11期24卷 122-124页
作者： 张之圣 胡明 刘志刚 王文生 白花珍 王聪修 天津大学电子工程系
本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。
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强介陶瓷耐压的研究
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宇航材料工艺 1999年 第4期29卷 54-57页
作者： 白花珍 张之圣 胡明 天津大学电子信息工程学院 天津300072
介绍了 Ｂａ Ｔｉ Ｏ３ 陶瓷介质的极化机理，指出在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外阐述了添加剂、粘合剂及其用量和瓷料中... 详细信息
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强介陶瓷的击穿
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电子元件 1991年 第1期 28-31页
作者： 白花珍
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精密角位移传感器及其可靠性研究
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压电与声光 1996年 第4期18卷 249-251页
作者： 张之圣 白花珍 王聪修 王文生 天津大学电子工程系
从理论上探讨了磁阻率效应，叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达０．０１°，通过可靠性寿命试验，传感器的失效率λ（ｔ）＜１×１０－７／ｈ。
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CaTiSiO5—TiO2系C组介质瓷料预合成工艺的研究
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电子元件 1992年 第2期 17-20页
作者： 白花珍
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非接触型双功能磁敏旋转传感器的研究
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电子测量与仪器学报 1999年 第1期13卷 29-33,39页
作者： 胡明 白花珍 张之圣 天津大学电子信息工程学院 天津300072
本文报道了一种非接触型双功能碰敏旋转传感器，能同时测量磁性旋转体的旋转速度和旋转方向。它由利用半导体平面工艺在ＩｎＳｂ单晶片上制成的桥式连结的ＩｎＳｂ电阻和永磁铁构成。分析了旋转传感器的核心敏感元件ＩｎＳｂ磁敏电阻及... 详细信息
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线性高频电容器瓷料的研究
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天津大学学报 1997年 第5期30卷 580-584页
作者： 白花珍 张之圣 胡明
研制一种以ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２－ＣａＴｉＯ３为主晶相的Ｖ组线性电容器瓷料．以三、五族氧化物为改性剂，使容量温度特性线性化；加ＰｂＴｉＯ３，使介电常数提高．其介电常数ε＞３１０，电容温度系数αｃ＝（－１... 详细信息
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