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激光场中氢原子准能级的数值计算(英文)

北京师范大学学报（自然科学版） 1997年第1期33卷 54-58页

作者：田人和李介平顾永俶北京师范大学低能核物理研究所北京100875

讨论了外激光场中氢原子修饰势的奇点．为了解Schrodinger方程，提出了一种新的迭代方法．对于圆偏振情况，引进了一种旋转坐标，从而消去了哈密顿量中的时间变量，因此Schrodinger方程变成定态形式．对激光场中氢原子修饰态的准能级进... 详细信息

讨论了外激光场中氢原子修饰势的奇点．为了解Schrodinger方程，提出了一种新的迭代方法．对于圆偏振情况，引进了一种旋转坐标，从而消去了哈密顿量中的时间变量，因此Schrodinger方程变成定态形式．对激光场中氢原子修饰态的准能级进行了数值计算．基态和低激发态的准能级随外激光场参量αc的变化比较显著，而高激发态的准能级则变化很慢．

关键词：激光场氢原子准能级数值计算

相对论性带电粒子束在轴对称电场和磁场中的温度和能量展宽

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物理学报 1993年第5期42卷 750-756页

作者：田人和北京师范大学低能核物理研究所北京100875

从单粒子的相对论性运动方程出发,首先解出运动常数,然后用这些运动常数构成符合Vlasov方程的束粒子分布函数,再由该分布函数算出轴对称电场和磁场中相对论性带电粒子束的束温度和能量展宽,并且对弱相对论性情况和强相对论性情况作了讨论。

关键词：带电粒子相对论性效应温度能量

MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除

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物理学报 1990年第2期39卷 254-260页

作者：卢武星钱亚宏田人和王忠烈北京师范大学低能核物理研究所北京100875

本文研究了MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B^+离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。

关键词： B^+ 离子注入 Si 缺陷退火

强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

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Journal of Semiconductors 1993年第8期14卷 484-491页

作者：田人和顾永俶卢武星张荟星北京师范大学低能核物理研究所北京100875

本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10^(15)/cm^2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10^(-2)W/cm^2... 详细信息

本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10^(15)/cm^2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10^(-2)W/cm^2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10^(14)/cm^2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10^(-2)W/cm^2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。

关键词：离子注入 SOI结构温升效应计算

自离子辐照对兆伏注P^+硅中二次缺陷的影响

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物理学报 1998年第6期47卷 952-959页

作者：田人和张孝吉吴瑜光张荟星北京师范大学低能核物理研究所

用平面透射电子显微术和剖面透射电子显微术以及卢瑟福背散射沟道谱技术研究了兆伏注Ｐ＋硅中的二次缺陷以及自离子辐照对它们的影响．实验结果表明，二次缺陷峰的深度稍大于平均投影射程．实验还发现，用适当能量和剂量的自离子在退火... 详细信息

用平面透射电子显微术和剖面透射电子显微术以及卢瑟福背散射沟道谱技术研究了兆伏注Ｐ＋硅中的二次缺陷以及自离子辐照对它们的影响．实验结果表明，二次缺陷峰的深度稍大于平均投影射程．实验还发现，用适当能量和剂量的自离子在退火之前辐照兆伏注Ｐ＋硅样品，可以抑制二次缺陷的生成，但如果在退火之后辐照，则会得到相反效果．对此现象的物理原因进行了讨论．另外，还给出了Ｓｉ＋，Ｐ＋在硅中形成二次缺陷带的临界剂量。

关键词：硅高能自离子辐照二次缺陷离子注入磷

FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析

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北京师范大学学报（自然科学版） 2001年第5期37卷 608-611页

作者：王广甫刘玉龙田人和张荟星北京师范大学分析测试中心中国科学院物理研究所光物理开放实验室北京100080 北京师范大学低能核物理研究所北京100875

用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .

关键词：过滤阴极真空弧沉积沉积能量 sp^3键所占比例 FCVAD 钽-碳薄膜

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锗隧道结中杂质隧道电流的温度关系

山西大学学报(自然科学版) 1978年第1期 91-101页

作者：田人和,高鼎三山西大学物理系吉林大学半导体系

在77-300°K的温度范围里,测量了掺As锗隧道结峰值电流的温度关系。将实验结果与二级过程的杂质隧道电流理论作了比较。并且发现经非均匀结电场修正以后的公式能更好地符合实验结果。

关键词：隧道电流温度系数隧道结半导体结峰值电流温度关系

后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响

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北京师范大学学报（自然科学版） 1992年第4期28卷 516-520页

作者：田人和卢武星顾永俶高愈遵北京师范大学低能核物理研究所 100875 北京有色金属研究总院北京新外大街100088

用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar^+像后注Si^+一样能够减少高能注P^+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相关,退火应该在后注Ar^+之后,而不是在其之前。实验还发现,在适... 详细信息

用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar^+像后注Si^+一样能够减少高能注P^+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相关,退火应该在后注Ar^+之后,而不是在其之前。实验还发现,在适当退火条件下,后注Ar^+产生的新二次缺陷比后注Si^+产生的要少一些。物理机制分析认为,后注Ar^+减少二次缺陷的物理机制与后注Si^+的是相似的。

关键词：离子注入二次缺陷硅

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金属中强束流离子注入的温升效应

金属学报 1993年第3期29卷 B136-B142页

作者：田人和顾永俶卢武星林文廉张通和张荟星北京师范大学低能核物理研究所副教授北京100875 北京师范大学

根据非线性热传导方程,用有限差分方法计算金属中强束流离子注入的温升效应给出了温升和温度分布曲线,以及样品表面温度与离子能量、剂量率、靶座温度。

关键词：离子注入数值计算碳素钢工具钢