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作者

  • 10,308 篇 王迪
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检索条件"作者=王迪强"
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横向厚度控制系统的升级
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中国造纸 2004年 第9期23卷 38-40页
作者： 冯伟强 广州造纸有限公司 广州510281
简要回顾了旧式横向厚度控制系统的情况 ,详细介绍了最新的第 3代横向厚度控制系统 ,以及由旧系统升级到新系统的全部过程 ,并且将升级前后的控制参数进行了对比。
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TE10矩形波导中填充金属线阵和铁氧体合成的新型左手媒质
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物理学报 2008年 第5期57卷 2925-2929页
作者： 褚庆昕 龚建强 华南理工大学电子与信息学院 广州510640 西安电子科技大学电子工程学院 西安710071
在TE10矩形波导中填充金属线阵和铁氧体合成了一种新型的左手媒质结构.分别使用了转移函数矩阵方法以及全波仿真工具AnsoftHFSS对所提出的结构进行了分析.结果表明,在横向磁化铁氧体等效磁导率实部为负的频段范围内,该合成结构呈现左手... 详细信息
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氢氧化钙对高硫煤的阻化实验及机理分析
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中国矿业大学学报 1996年 第4期25卷 68-72页
作者： 杨胜强 中国矿业大学采矿工程系
在实验室实验的基础上，分析了混有不同浓度氢氧化钙煤样的氧化升温梯度和阻化时间变化率，基于高硫煤的循环氧化自燃机理，从化学反应理论、负催化活化中心理论和物理阻化作用三个方面深入分析了氢氧化钙阻化液对高硫煤的阻化机理。实... 详细信息
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羟甲基化木质素对BIIR胶料性能的影响
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橡胶工业 2003年 第10期50卷 596-599页
作者： 尹小明 吕晓静 刘祖广 王迪珍 华南理工大学材料科学与工程学院 广东广州510641
探讨羟甲基化木质素对溴化丁基橡胶(BIIR)硫化特性和物理性能的影响。结果表明,羟甲基化木质素在愈创木基酚羟基的邻空位上含有羟甲基,可同时作BIIR的硫化剂和补强剂;随着羟甲基化木质素用量增大,胶料的ML和MH增大,t10和硫化速率常数变... 详细信息
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Cr_3Si/Cr_(13)Ni_5Si_2金属间化合物合金组织与高温滑动磨损性能的研究
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稀有金属材料与工程 2004年 第5期33卷 512-514页
作者： 张立强 王华明 北京航空航天大学 北京100083
利用水冷铜模激光熔炼炉制得了由初生枝晶Cr3Si和枝晶间Cr3Si/Cr13Ni5Si2共晶组成的金属间化合物合金。利用OM,SEM,TEM,EDS和XRD分析了该金属间化合物的显微组织,在400℃,500℃和600℃条件下测试了其耐磨性能。结果表明,由于Cr3Si和Cr13... 详细信息
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退火对高Co含量Ti1-xCoxO2磁性半导体的影响
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物理学报 2008年 第7期57卷 4534-4538页
作者： 宋红强 王勇 颜世申 梅良模 张泽 山东大学威海分校空间科学与应用物理系 威海264209 山东大学物理与微电子学院 济南250100 中国科学院物理研究所 北京100190 澳大利亚昆士兰大学工学院 澳大利亚 北京工业大学 北京100022
利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定... 详细信息
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一种基于双偏振分束器的量子秘密共享方案
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物理学报 2013年 第10期62卷 165-169页
作者： 韦克金 马海强 汪龙 北京邮电大学理学院 北京100876 中国科学院物理研究所 北京100190
提出一个基于双偏振分束器的单量子比特全光纤量子秘密共享方案,该方案具有自动补偿光纤及光学器件的双折射效应和相位抖动的功能,在干涉对比度测试和稳定性测试时,该方案在5km通信距离中,获得的干涉对比度优于993%,且可长时间保持稳定.
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损耗型单负材料双层结构的反射率及偏振度
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发光学报 2016年 第3期37卷 353-357页
作者： 康永强 山西大同大学固体物理研究所 山西大同037009
通过传输矩阵法,理论研究了损耗型单负材料双层结构在不同入射角时的反射率和偏振度。结果表明,损耗型单负材料双层结构不同于常规介电材料,随着入射角的增大,p分量反射率比s分量的反射率大。随着损耗(电损耗和磁损耗)的增大,p波的反射... 详细信息
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泊松斑成像特点及应用初探
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光电技术应用 2007年 第2期22卷 32-35页
作者： 王恩宏 胡以华 王迪 张发强 合肥电子工程学院
从泊松斑成像的基本原理和成像特点出发,分析了成像轴上光强的变化情况,研究了和主轴夹角为α的副轴光强与主轴光强的关系,给出了影响泊松斑亮度和宽度的因素,以及成像对光滑圆球选择的要求,并对泊松斑成像技术的应用前景进行了展望.
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弛豫铁电体的键能与配位数模型
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物理学报 2013年 第1期62卷 425-428页
作者： 曹万强 舒明飞 湖北大学材料科学与工程学院 武汉430062
基于一定浓度的杂质会在钛酸钡型铁电体中导致键能与配位数的高斯型分布原理,利用键能与配位数起伏模型导出了介电峰温与测量频率的关系.当键能和配位数的相对起伏接近时,其关系呈现出一般弛豫铁电体所普遍具有的Vogel-Fulcher函数形式... 详细信息
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