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圆柱绕流尾迹转捩电磁力控制研究

物理学报 2022年第22期71卷 165-177页

作者：黄亚冬王智河周本谋江苏大学国家水泵及系统工程技术研究中心镇江212013 南京大学物理学院南京210093 南京理工大学瞬态物理国家重点实验室南京210094

圆柱绕流是典型的振荡器流动,扰动在空间固定位置随时间增长,诱导尾迹转捩,从而增大柱体振动与流场噪声.本文通过在圆柱迎流面、背流面以及全圆柱表面放置电磁激活板产生流向电磁力,调控二维基态流,降低尾迹中扰动增长率,实现转捩模态改... 详细信息

圆柱绕流是典型的振荡器流动,扰动在空间固定位置随时间增长,诱导尾迹转捩,从而增大柱体振动与流场噪声.本文通过在圆柱迎流面、背流面以及全圆柱表面放置电磁激活板产生流向电磁力,调控二维基态流,降低尾迹中扰动增长率,实现转捩模态改变. Floquet稳定性分析发现,迎流面控制中转捩模态A和B的增长率变化较小,而背流面和全圆柱控制中两种模态的增长率均随电磁力控制参数的增大而减小.分析椭圆不稳定和双曲不稳定诱导的无黏增长率发现,迎流面控制中尾迹高无黏增长率与无控制时相似,而背流面和全圆柱控制中均随电磁力作用参数的增大而减小.三维直接数值模拟发现圆柱尾迹三维形态在背流面控制和全圆柱控制中由模态B转变为模态A,与Floquet稳定性分析结果吻合.此外,当圆柱尾迹形态发生变化后,背流面控制和全圆柱控制下圆柱所受的阻力分别降低了15.2%和14.4%.

关键词：圆柱尾迹流向电磁力转捩控制流动稳定性

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Bi（2223）厚膜微结构分析

低温物理学报 1995年第6期17卷 466-470页

作者：王智河中国科学院等离子体物理研究所

测量了预烧结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结后揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌．实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是：在制备过程中粉末内存... 详细信息

测量了预烧结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结后揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌．实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是：在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差．提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法．

关键词：厚膜变差厚度临界电流密度 Bi 预烧结晶粒间空洞夹板导卫装置低温物理学报包套微结构分析

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银基体对Bi2223厚膜生长的影响

科学通报 1995年第12期40卷 1073-1076页

作者：王智河中国科学院等离子体物理研究所合肥230031

为了提高超导材料的临界电流密度,实现高T_c超导材料的强电应用,人们通过改变样品制备工艺已获得了具有高度C-轴取向的织构样品.对Bi系来说,使用银包套的方法取得了良好的效果,Li等人制出了77K,零场下J_c高达6.9×10~4A/cm^2的样品,在... 详细信息

为了提高超导材料的临界电流密度,实现高T_c超导材料的强电应用,人们通过改变样品制备工艺已获得了具有高度C-轴取向的织构样品.对Bi系来说,使用银包套的方法取得了良好的效果,Li等人制出了77K,零场下J_c高达6.9×10~4A/cm^2的样品,在提高临界电流密度过程中,人们着重于研究中间冷压、热压以及烧结工艺过程等,期望获得更好的织构度、更高的致密度、微裂纹少、孔隙率低的样品.虽然银层对超导微结构和载流性能的影响引起人们的注意,但研究银基材对Bi2223厚膜生长过程影响的文章报道很少.本文通过对Bi2223银夹板厚膜制备过程中厚膜微结构的分析,研究了银基材对Bi2223厚膜生长的影响.

关键词：银基体界面超导体膜生长铋系

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Bi系带材的临界电流密度性质

低温与超导 1997年第3期25卷 46-55页

作者：曹效文王智河中国科学院等离子体物理研究所合肥230031

扼要评述了Bi系／Ag高Tc超导带材的Jc特性，外延Bi2212薄膜Jc磁场关系及其各向异性行为与Kes的二维模型一致。Bi系／Ag带材Jc的磁场关系和温度关系表明，在1T以下的低场和Tc附近的高温区，弱连接仍然支配着Jc的行为。微结构和Jc沿横截... 详细信息

扼要评述了Bi系／Ag高Tc超导带材的Jc特性，外延Bi2212薄膜Jc磁场关系及其各向异性行为与Kes的二维模型一致。Bi系／Ag带材Jc的磁场关系和温度关系表明，在1T以下的低场和Tc附近的高温区，弱连接仍然支配着Jc的行为。微结构和Jc沿横截面的分布研究表明，Bi／Ag界面有利于织构的形成，并且界面层附近的超导区是Jc的主要载流区。

关键词：临界电流密度磁通钉扎铋系高温超导体带材

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熔化法YBaKCuO块材的制备和性能

低温物理学报 2003年第S1期25卷 411-414页

作者：张宏王智河杨腾中国科学院上海微系统与信息技术研究所南京210093 南京大学物理系南京大学物理系上海200050

成功地制备了K掺杂的MTG YBKCO单畴块材 ,在 70K时 ,Jc 随H单调下降 .但在 55K时 ,Jc H曲线在 (2～ 4)T范围内呈现了第二峰即峰值效应 ,使能在较宽磁场中仍保持高Jc值 .

关键词： MTG 二峰单畴块材 YBCO YBaKCuO

Bi-2223银夹板厚膜的载流特性与应变的关系

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物理学报 1996年第3期45卷 518-521页

作者：王智河中国科学院等离子体物理研究所合肥230031

测量了Bi_(1.8)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y银夹板厚膜的应力与应变、应变和临界电流密度关系,及其在不同应变下的J_c(H)特性.结果表明,在应力-应变曲线上存在两个应变转变,分别对应于Bi_(1.8)Pb(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y,厚膜中晶粒断裂的开... 详细信息

测量了Bi_(1.8)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y银夹板厚膜的应力与应变、应变和临界电流密度关系,及其在不同应变下的J_c(H)特性.结果表明,在应力-应变曲线上存在两个应变转变,分别对应于Bi_(1.8)Pb(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y,厚膜中晶粒断裂的开始和结束。在应变△X/X≤2.5％时,临界电流密度随应变△X/Y的增大而缓慢降低。在应变△AX/X≥2.5％时,临界电流密度随应变△X/X的增大而迅速降低。随着应变的增大,其J_c(H)特性衰减快速,且弱连接效应越来越明显。微结构显示,J_c的降低及其J_c(H)特性的变化与厚膜内晶界和晶粒的断裂有关。

关键词：铋超导体银夹板厚膜载流特性应变

YBa_2Cu_3O_(7-δ)外延薄膜的不可逆线与磁通玻璃线

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物理学报 1999年第1期48卷 154-162页

作者：王智河曹效文方军陈治友李可斌中国科学院上海冶金研究所中国科学院等离子体物理研究所中国科学院固体物理研究所

在０—１０Ｔ磁场范围内，系统地测量了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的ＲＴ曲线和ＩＶ曲线，并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较．结果表明，由不同约化电阻率判据给出的不可逆线... 详细信息

在０—１０Ｔ磁场范围内，系统地测量了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的ＲＴ曲线和ＩＶ曲线，并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较．结果表明，由不同约化电阻率判据给出的不可逆线和磁通玻璃线遵守相同的Ｈ∝（Ｔ（０）－Ｔ（Ｈ））ｎ关系．对于不可逆线，ｎ＝３／２，对于磁通玻璃线，ｎ＝４／３．不可逆线的位置不仅与判据有关而且与测量电流密度也有关，磁通玻璃线位于不可逆线的下方．探讨了磁通玻璃线与不可逆线间的关系．

关键词：不可逆线磁通玻璃线 YBCO 外延薄膜

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掺银对Bi（2223）厚膜载流特性的影响

低温与超导 1995年第4期23卷 57-60页

作者：王智河朱仁义中科院等离子体物理研究所安徽巢湖师专物理系

分别测量了名义组分为Ｂｉ（１．８）Ｐｂ（０．４）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的掺银和未掺银样品在７７Ｋ时的Ｊｃ－Ｈ特性，以及冷热循环次数对样品临界电流密度Ｊｃ的影响．实验结果表明，掺银加强了晶粒之间的连接，但不能有效地提高... 详细信息

分别测量了名义组分为Ｂｉ（１．８）Ｐｂ（０．４）Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的掺银和未掺银样品在７７Ｋ时的Ｊｃ－Ｈ特性，以及冷热循环次数对样品临界电流密度Ｊｃ的影响．实验结果表明，掺银加强了晶粒之间的连接，但不能有效地提高临界电流密度．

关键词：高温超导体临界电流密度银厚膜载流特性

Bi-2212单晶本征Josephson结的制备及其非线性行为

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低温物理学报 2003年第S1期25卷 584-588页

作者：聂阳,王智河,LEE HU-JONG 南京大学物理系固体微结构国家实验室南京大学物理系固体微结构国家实验室 Department of Physics 南京210093 南京210093 Pohang University of Science and Technology Pohang 790-784 Republic of Korea

采用自助熔剂固态反应法制作了Bi2 Sr2 CaCu2 O8+x单晶 ,使用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术在Bi 2 2 1 2单晶表面制作了台阶结构的Josephson本征结 .用三引线和四引线法分别测量了该样品零场下c轴方向的电阻温度 (R T)关系和恒定温度 (1 4 .... 详细信息

采用自助熔剂固态反应法制作了Bi2 Sr2 CaCu2 O8+x单晶 ,使用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术在Bi 2 2 1 2单晶表面制作了台阶结构的Josephson本征结 .用三引线和四引线法分别测量了该样品零场下c轴方向的电阻温度 (R T)关系和恒定温度 (1 4 .4K)时的I V特征曲线 .I V曲线具有典型的多分支非线性行为 ,并对该实验结果进行了讨论 .

关键词：临界电流台阶结构单晶晶形本征结 Josephson 非线性行为