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湖南省水利水电建设成就与展望

水利水电技术(中英文) 1991年第6期 2-4页

作者：王明湘湖南省水利水电厅厅长

一、概况湖南省位于长江中游南岸,雨量丰沛,光温充足,无霜期长,素称鱼米之乡。在这种特定的自然地理和水文气象条件下,防治水害、兴修水利自古以来就占有重要的地位,历代人民曾为此长期竭力经营,付出过巨大而艰辛的劳动。中华人民共和... 详细信息

一、概况湖南省位于长江中游南岸,雨量丰沛,光温充足,无霜期长,素称鱼米之乡。在这种特定的自然地理和水文气象条件下,防治水害、兴修水利自古以来就占有重要的地位,历代人民曾为此长期竭力经营,付出过巨大而艰辛的劳动。中华人民共和国建立以来,在历届湖南

关键词：湖南省农业商品粮基地粮食基地水利水电建设

历史的重要见证育民的生动课堂——重庆红岩革命纪念馆

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四川文物 1991年第4期 3-10页

作者：王明湘重庆红岩革命纪念馆

重庆红岩革命纪念馆早已闻名中外,令人向往,但是在人们中特别是年轻朋友的中间,真正了解它的并不多。有的人甚至以为红岩革命纪念馆就是小说《红岩》中讲的渣滓洞、白公馆,即中美特种技术合作所,今天的歌乐山烈士陵园。其实,这完全是两... 详细信息

重庆红岩革命纪念馆早已闻名中外,令人向往,但是在人们中特别是年轻朋友的中间,真正了解它的并不多。有的人甚至以为红岩革命纪念馆就是小说《红岩》中讲的渣滓洞、白公馆,即中美特种技术合作所,今天的歌乐山烈士陵园。其实,这完全是两码事,两者不仅在地理位置上相距十余华里,其性质也正相反。笔者在此对红岩革命纪念馆的基本情况作一介绍,既是为了让更多的人民群众了解红岩革命纪念馆,也是对中国共产党诞生70周年的纪念。

关键词：南方局纪念馆周恩来国民党中共代表团办事处重庆《新华日报》要见毛泽东

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试论南方局的历史地位及其功绩

中共党史研究 2001年第4期 82-87页

作者：郑洪泉王明湘重庆师范学院红岩革命纪念馆

1939年1月建立于国民党统治中心重庆的以周恩来为书记的中共中央南方局,在抗战时期具有特殊的历史地位。周恩来和南方局坚定地创造性地贯彻执行了以毛泽东为首的党中央的路线、方针和政策,经过10年艰苦卓绝的斗争,在国统区艰险复杂的社... 详细信息

1939年1月建立于国民党统治中心重庆的以周恩来为书记的中共中央南方局,在抗战时期具有特殊的历史地位。周恩来和南方局坚定地创造性地贯彻执行了以毛泽东为首的党中央的路线、方针和政策,经过10年艰苦卓绝的斗争,在国统区艰险复杂的社会环境中,开创了统一战线工作的新局面,有力地配合党所领导的武装斗争,推进了民族民主革命的进程,在一定意义上奠定了新中国的政治格局。

关键词：南方局历史地位历史功绩

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工科专业的量子力学教学方法探索

大学物理 2012年第3期31卷 60-61,65页

作者：游善红王明湘苏州大学电子信息学院江苏苏州215006

主要从量子力学发展史,量子力学概念,多媒体技术运用,以及针对工科专业的实际应用4个方面,对工科专业的量子力学教学方法进行了探索,激发学生学习量子力学的兴趣,提高教学质量.

关键词：量子力学工科专业教学

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一种MEMS体声波硅谐振器的设计

电子器件 2013年第5期36卷 662-666页

作者：吕萍王明湘唐梦苏州大学微电子系江苏苏州215006

设计了一种基于SOI衬底工艺的MEMS体声波硅谐振器及其制造方法。利用有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,并针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制。结果表明:谐振频率可达108 MHz,且取决于硅材料特性和器件尺寸,而品质因数则决定于... 详细信息

设计了一种基于SOI衬底工艺的MEMS体声波硅谐振器及其制造方法。利用有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,并针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制。结果表明:谐振频率可达108 MHz,且取决于硅材料特性和器件尺寸,而品质因数则决定于支撑损耗。最后,从振动模态和传输线模型角度出发,提出了减少支撑损耗提高Q值的可行性方法,包括将支撑梁放置在振动节点处、梁长度设置为弹性波长的1/4及在衬底端设置声波反射器。

关键词： MEMS 体声波硅谐振器有限元分析传输线品质因数支撑损耗

影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究

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半导体技术 2007年第4期32卷 349-353页

作者：邢洁王明湘何健苏州大学电子信息学院微电子学系江苏苏州215021 飞索半导体中国有限公司江苏苏州215021

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整... 详细信息

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。

关键词：静电放电荷电器件放电模型测试探针 LRC模型

多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟

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Journal of Semiconductors 2008年第5期29卷 954-959页

作者：杨震宇王明湘王槐生苏州大学微电子学系苏州215021

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同... 详细信息

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制.

关键词：有限元分析温度分布薄膜晶体管自加热退化稳态及瞬态模拟

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多芯片叠层封装中的芯片应力分析及结构优化

半导体技术 2005年第11期30卷 11-16页

作者：刘彪王明湘林天辉苏州大学微电子学系江苏苏州215021 AMD半导体苏州有限公司江苏苏州215021

针对典型的四层芯片叠层封装产品,采用正交试验设计与有限元分析相结合的方法研究了芯片、粘合剂、顶层芯片钝化层和密封剂等十个封装组件的厚度变化对芯片上最大热应力的影响,并利用找到的主要影响因子对封装结构进行优化。结果表明... 详细信息

针对典型的四层芯片叠层封装产品,采用正交试验设计与有限元分析相结合的方法研究了芯片、粘合剂、顶层芯片钝化层和密封剂等十个封装组件的厚度变化对芯片上最大热应力的影响,并利用找到的主要影响因子对封装结构进行优化。结果表明,该封装产品可以在更低的封装高度下实现,并具有更低的芯片热应力水平及更小的封装体翘曲,这有助于提高多芯片叠层封装产品的可靠性。

关键词：芯片应力分析多芯片封装有限元分析可靠性

Positive gate bias stress-induced hump-effect in elevated-metal metal-oxide thin film transistors

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Chinese Physics B 2017年第12期26卷 587-590页

作者：齐栋宇张冬利王明湘 Department of Microelectronics Soochow University Suzhou 215006 China

Under the action of a positive gate bias stress, a hump in the subthreshold region of the transfer characteristic is observed for the amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistor, which adopts an elevated-metal metal-oxide structure. As stress time goes by, both the on-state current and the hump shift towards the negative gate-voltage direction. The humps occur at almost the same current levels for devices with different channel widths, which is attributed to the parasitic transistors located at the channel width edges. Therefore, we propose that the positive charges trapped at the back-channel interface cause the negative shift, and the origin of the hump is considered as being due to more positive charges trapped at the edges along the channel width direction. On the other hand, the hump-effect becomes more significant in a short channel device （L=2 μm）. It is proposed that the diffusion of oxygen vacancies takes place from the high concentration source/drain region to the intrinsic channel region.

关键词： amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors positive bias stress hump