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喷镀法制备SnO_2膜导电玻璃的研究

真空 2002年第3期39卷 33-36页

作者：王德苗朱月秀浙江大学信电系浙江杭州310027 温州大学信息学院浙江温州325027

用喷镀法将 Sn Cl4溶液喷射到预先加热的玻璃表面 ,制成了薄膜电阻 88% ,热稳定性 <45 %的 Sn O2 膜导电玻璃 ,研究了膜厚、基底温度、溶液组成对薄膜电阻与透光率的影响。

关键词：喷镀法制备 SnO2膜导电玻璃二氧化锡膜性能电阻透光率

溅射功率对铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层In_xS_y的影响

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真空科学与技术学报 2013年第9期33卷 939-942页

作者：陆静苹王德苗金浩周剑李远东浙江大学信息与电子工程学系杭州310027

采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备In x S y缓冲层,溅射功率范围从30 W到100 W。通过能量色散X射线光谱仪、扫描电子显微镜和紫外分光光度计分别检测在不同溅射功率条件下制备的In x S y薄膜表面形貌、元素组成和光学特性。结果表明随... 详细信息

采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备In x S y缓冲层,溅射功率范围从30 W到100 W。通过能量色散X射线光谱仪、扫描电子显微镜和紫外分光光度计分别检测在不同溅射功率条件下制备的In x S y薄膜表面形貌、元素组成和光学特性。结果表明随着功率的增加,In x S y薄膜晶粒尺寸增加,硫元素含量比率增加并趋于平缓,光学禁带宽度先增加后减小。溅射功率为80 W时禁带宽度最大为2.75 eV,适合高效率In x S y/CIGS太阳能电池。

关键词：射频磁控溅射 InxSy薄膜光学禁带宽度太阳能电池

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压电变压器的研究现状

电子元件与材料 2002年第9期21卷 28-31页

作者：金浩董树荣王德苗浙江大学信息学院信电系浙江杭州310027

介绍了压电变压器的研究现状,对目前压电变压器的主要形式及其工作原理作了较为详尽的分析和阐述,并对压电变压器未来的发展方向作了预测和展望。本文根据压电理论提出了可集成化的薄膜型压电变压器的设想。

关键词：压电变压器薄膜集成技术匹配电路材料

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溅射膜电极与氧化锌压敏陶瓷的界面机制研究

真空科学与技术学报 2014年第6期34卷 585-589页

作者：王文婷王德苗郑小婵浙江大学信息科学与电子工程系杭州310027 浙江大学昆山创新中心先进电子专用设备研发中心昆山215300 苏州求是真空电子有限公司昆山215300

利用溅射法制备半导体陶瓷表面的电极有着广阔的产业化前景,但关于溅射膜电极与陶瓷表面的界面机制研究尚鲜有报道。本文采用磁控溅射法在ZnO压敏陶瓷表面制备了Cr+Cu电极,通过X射线光电子能谱等技术研究分析了Cr/ZnO的界面反应及界面... 详细信息

利用溅射法制备半导体陶瓷表面的电极有着广阔的产业化前景,但关于溅射膜电极与陶瓷表面的界面机制研究尚鲜有报道。本文采用磁控溅射法在ZnO压敏陶瓷表面制备了Cr+Cu电极,通过X射线光电子能谱等技术研究分析了Cr/ZnO的界面反应及界面成分。研究结果表明:常温下Cr膜在氧化锌表面的沉积模式为混态生长模式,在Cr的初始沉积阶段,Cr价层电子与氧化锌表面存在电子转移作用,有氧化态的Cr生成;随着覆盖度的增加,电子转移逐渐减弱,最后Cr完全呈现为金属态的中性吸附。该界面反应生成的化合物对溅射膜电极的欧姆接触,附着力等性能有重要作用,而且能有效阻止电极元素Cu或Ag的纵向扩散。

关键词：溅射膜Cr+Cu电极 Cr/ZnO界面作用 ZnO压敏陶瓷欧姆接触附着力

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高模薄膜体声波谐振器(HBAR)的研究

传感技术学报 2006年第5B期19卷 1927-1929页

作者：董树荣王德苗浙江大学信电系杭州310027

高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22MHz... 详细信息

高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22MHz,与理论接近,显示了较好的频率特性,实验同时制备了的高C轴取向的AlN薄膜.

关键词： FBAR HBAR 压电薄膜射频反应磁控溅射谐振频率

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低辐射薄膜的研究进展

材料导报 2004年第10期18卷 14-17页

作者：金炯王德苗董树荣浙江大学信息与电子工程系杭州310027

低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域。低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异。对低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了... 详细信息

低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域。低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异。对低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较。

关键词：低辐射薄膜在线法离线法磁控溅射光学性能光化学活性

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PZT高频陶瓷表面金属化薄膜及其结构

中国有色金属学报 2002年第z1期12卷 168-172页

作者：董树荣王德苗任高潮王华中国科学院上海冶金研究所上海200007 浙江大学信息科学与电子工程系杭州310027

采用磁控溅射与真空蒸发工艺相对比的方法 ,分析了不同金属化薄膜及其结构对薄膜与PZT陶瓷的结合力和器件高频电学性能的影响。实验表明 :Cu Ni+Ag薄膜可以改善陶瓷与金属的结合和减少反浸润发生 ,显著提高结合力 ,从而改善器件的电学... 详细信息

采用磁控溅射与真空蒸发工艺相对比的方法 ,分析了不同金属化薄膜及其结构对薄膜与PZT陶瓷的结合力和器件高频电学性能的影响。实验表明 :Cu Ni+Ag薄膜可以改善陶瓷与金属的结合和减少反浸润发生 ,显著提高结合力 ,从而改善器件的电学性能。分析表明结合力是影响高频压电陶瓷电学性能的一个重要因素 ,实验得到了优化的金属化薄膜成分和结构 ,同时提出了相应的溅射工艺。

关键词： PZT 表面金属化溅射

反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究

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材料导报 2009年第20期23卷 11-12,16页

作者：徐文彬王德苗集美大学信息工程学院厦门361021 浙江大学信电系杭州310027

在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异。对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体... 详细信息

在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异。对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量。最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN2=1.0sccm,QO2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用。

关键词：氮氧化硅氮氧比 C-V特性栅介质

FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究

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真空科学与技术学报 2006年第2期26卷 155-158页

作者：董树荣王德苗浙江大学信电系杭州310027

采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（00... 详细信息

采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（002）取向的基片温度在380℃～400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式，要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0．3～0．4，氮气分压比高有利于（002）取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率，且与氮气分压关联，较合适的值为12W／cm^2～15W／cm^2。

关键词： AlN 射频反应溅射 FBAR 晶体结构