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拉伸应变下SiC/SiO2近界面碳缺陷的结构和电学特性演变

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固体电子学研究与进展 2024年第3期44卷 206-212页

作者：马玉洁刘涵张圆崔鹏飞苏艳王德君大连理工大学控制科学与工程学院大连理工大学物理学院

SiC/SiO2界面拉伸应变对SiC MOSFET器件的电学性质和可靠性变化有重要影响。通过第一性原理密度泛函计算，建立了4H-SiC/SiO2的界面结构，研究了不同拉伸应变对近界面碳碳双键（C=C）和碳氧双键（C=O）缺陷的结构和电子特性的影响。计... 详细信息

SiC/SiO2界面拉伸应变对SiC MOSFET器件的电学性质和可靠性变化有重要影响。通过第一性原理密度泛函计算，建立了4H-SiC/SiO2的界面结构，研究了不同拉伸应变对近界面碳碳双键（C=C）和碳氧双键（C=O）缺陷的结构和电子特性的影响。计算结果表明，在较小应变下C=C和C=O缺陷模型所受应力随应变线性增加，缺陷形成能减小，说明此时拉伸应变使这两种缺陷更容易形成。应变超过20%后，两种缺陷结构附近出现电子离域化，部分化学键断裂，缺陷结构遭到破坏。根据电荷态密度计算得出，拉伸应变的增加会使界面结构的带隙减小及缺陷能级位置改变，从而引起阈值电压漂移，这是拉伸应变引起SiC MOSFET性能不稳定的主要原因。

关键词：碳化硅近界面缺陷拉伸应变态密度第一性原理

中瑞酒店管理学院中西方饮食文化课程教学设计与创新研究

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中国食品工业 2024年第7期 150-152页

作者：王德君王洋徐隆洋俞为民王宁北京第二外国语学院中瑞酒店管理学院北京102601

中国饮食文化和西方饮食文化是中瑞酒店管理学院有关饮食文化研究的两门系统课程。通过创新的教学设计,学生可以阐述中西方饮食文化的特点和差异,了解中西方饮食文化的融合与创新,并从中感受世界文明不断交流、碰撞、融合的过程,深刻体... 详细信息

中国饮食文化和西方饮食文化是中瑞酒店管理学院有关饮食文化研究的两门系统课程。通过创新的教学设计,学生可以阐述中西方饮食文化的特点和差异,了解中西方饮食文化的融合与创新,并从中感受世界文明不断交流、碰撞、融合的过程,深刻体会相互尊重、求同存异、和平发展的理念。这也为培养泛服务行业人才奠定坚实基础。

关键词：中国饮食西方饮食教学设计

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优质中筋抗病小麦新品种——川麦618

麦类作物学报 2024年第8期 1087-1087页

作者：郑建敏蒲宗君罗江陶邓清燕王德君李成霞四川省农业科学院作物研究所/粮油作物绿色种质创新与遗传改良四川省重点实验室/农业农村部西南地区小麦生物学与遗传育种重点实验室

川麦618是四川省农业科学院作物研究所以优质材料34756为母本、自育品系SW9262为父本杂交，其后以该组合F1为母本、抗病材料20828为父本配置三交组合，通过混合选择法和系谱选择法选育出的优质中筋抗病小麦新品种。

关键词：

石墨烯过渡层对金属/SiC接触肖特基势垒调控的第一性原理研究

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物理学报 2022年第5期71卷 292-299页

作者：邓旭良冀先飞王德君黄玲琴江苏师范大学电气工程及自动化学院徐州221000 大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院工业装备智能控制与优化教育部重点实验室大连116024

由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度(SBH)非常重要.本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法... 详细信息

由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度(SBH)非常重要.本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,结合平均静电势和局域态密度计算方法,研究了石墨烯作为过渡层对不同金属(Ag,Ti,Cu,Pd,Ni,Pt)/SiC接触的SBH的影响.计算结果表明,单层石墨烯可使金属/SiC接触的SBH降低;当石墨烯为2层时,SBH进一步降低且Ni,Ti接触体系的SBH呈现负值,说明接触界面形成了良好的欧姆接触;当石墨烯层数继续增加,SBH不再有明显变化.通过分析接触界面的差分电荷密度以及局域态密度,SBH降低的机理可能主要是石墨烯C原子饱和了SiC表面的悬挂键并降低了金属诱生能隙态对界面的影响,并且接触界面的石墨烯及其与金属相互作用形成的混合相具有较低的功函数.此外,SiC/石墨烯界面形成的电偶极层也可能有助于势垒降低.

关键词： SiC 石墨烯肖特基势垒第一性原理计算

偏压应力下SiC/SiO界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变

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固体电子学研究与进展 2023年

作者：张圆尉升升丁攀苏艳王德君大连理工大学物理学院大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院

SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO2界面缺陷能级的重要源头之一。本文基于第一性原理密度泛函理论，研究了不同外部电场对Si C/SiO2界... 详细信息

SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO2界面缺陷能级的重要源头之一。本文基于第一性原理密度泛函理论，研究了不同外部电场对Si C/SiO2界面处间隙碳缺陷的结构和电学性质的影响。计算结果表明，电场对缺陷Ci1和Ci2的结构影响较小，但施加电场后两种缺陷的形成能均减小，说明偏压应力更有助于这两种缺陷的形成。电荷态密度计算结果表明，不同大小和方向的偏压应力(电场)会改变Ci1和Ci2的缺陷能级位置。上述作用诠释了界面缺陷产生偏压应力不稳定问题的物理机制。

关键词： SiC 界面缺陷偏压应力第一性原理缺陷构型态密度

高温应力下SiO/SiC近界面碳缺陷的结构与电子特性演变

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半导体技术 2023年

作者：丁攀尉升升张圆白娇苏艳王德君大连理工大学物理学院大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院

SiO2/SiC近界面碳缺陷是引起高温应力下SiC MOSFET可靠性劣化的主要根源。采用第一性原理密度泛函理论结合分子动力学，模拟计算了高温(425～625 K，间隔100 K)应力对SiO2/SiC界面碳缺陷(如羧基类、碳二聚体、碳三聚体等缺陷)结构和电... 详细信息

SiO2/SiC近界面碳缺陷是引起高温应力下SiC MOSFET可靠性劣化的主要根源。采用第一性原理密度泛函理论结合分子动力学，模拟计算了高温(425～625 K，间隔100 K)应力对SiO2/SiC界面碳缺陷(如羧基类、碳二聚体、碳三聚体等缺陷)结构和电子特性的影响。计算结果表明：施加高温应力后，羧基类碳缺陷结构稳定；碳二聚体缺陷的碳碳双键(C═C)转变为碳碳单键(C—C)，且无法在SiC带隙中引入电荷态；碳三聚体缺陷在施加高温应力后转变为新的C═C和碳氧双键(C═O)复合缺陷。这种复合缺陷在SiC的价带顶和导带底附近均引入了缺陷态，有较强的电子捕获能力，是SiC MOSFET在高温应力下性能不稳定的主要因素。

关键词：碳化硅(SiC) 界面碳缺陷高温应力电子结构电子捕获

偏压应力下SiC/SiO_(2)界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变

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固体电子学研究与进展 2023年第3期43卷 208-213页

作者：张圆尉升升丁攀苏艳王德君大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院辽宁大连116024 大连理工大学物理学院辽宁大连116024

SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界... 详细信息

SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界面处间隙碳缺陷的结构和电学性质的影响。结构键长键角计算结果表明,电场对缺陷Ci1和Ci2的结构影响较小,但施加电场后两种缺陷的形成能均减小,说明偏压应力更有助于这两种缺陷的形成。电荷态密度计算结果表明,不同大小和方向的偏压应力(电场)会改变Ci1和Ci2的缺陷能级位置。上述作用诠释了界面缺陷产生偏压应力不稳定问题的物理机制。

关键词： SiC 界面缺陷偏压应力第一性原理缺陷构型态密度

餐饮世界“变形记”——浅谈中西餐互换文化语境后的新发展

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餐饮世界 2022年第2期 52-55页

作者：王德君北京第二外国语学院中瑞酒店管理学院食品制作教研室

在21世纪发展的今天,中西文化的融汇贯通体现在了各行各业。其中餐饮的发展就是如此。就好比左宗棠鸡(General Tso's Chicken)、李鸿章杂碎(Chop Suey)、芝麻鸡(Sesame Chicken)等,这些是风靡海外的中餐,备受西方食客追捧。然而事实上,... 详细信息

在21世纪发展的今天,中西文化的融汇贯通体现在了各行各业。其中餐饮的发展就是如此。就好比左宗棠鸡(General Tso's Chicken)、李鸿章杂碎(Chop Suey)、芝麻鸡(Sesame Chicken)等,这些是风靡海外的中餐,备受西方食客追捧。然而事实上,被外国人道之津津、食之津津的这些中餐,在我们国内这片中餐的创推之地上,却几乎闻所未闻。如此看来,貌似这些中餐并不“正宗”。但恰恰是这些菜品在海外为中餐扬名,使中餐广为传播。

关键词：左宗棠变形记李鸿章融汇贯通中餐文化语境中西文化餐饮

比较内镜黏膜下剥离术(EsD)与腹腔镜手术治疗早期胃癌的临床价值

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中文科技期刊数据库（全文版）医药卫生 2022年第8期 46-48页

作者：王德君运城市中心医院山西运城044000

探讨内镜黏膜下剥离术(EsD)与腹腔镜手术两种治疗方法应用于早期胃癌的治疗价值。方法回顾性分析40例早期胃癌患者的临床资料,根据治疗方法的不同对这些患者分组,将腹腔镜手术应用于20例对照组患者的治疗中,将EsD应用20例观察组患者的... 详细信息

探讨内镜黏膜下剥离术(EsD)与腹腔镜手术两种治疗方法应用于早期胃癌的治疗价值。方法回顾性分析40例早期胃癌患者的临床资料,根据治疗方法的不同对这些患者分组,将腹腔镜手术应用于20例对照组患者的治疗中,将EsD应用20例观察组患者的治疗中,观察围术期指标、住院费用、复发率。结果观察组术中出血量(67.46(1.22)ml少于对照组(102.34(12.03)ml,手术时间(55.76(19.42)min短于对照组(75.67(17.56)min,住院费用(1.22(0.21)万元少于对照组(5.14(0.32)万元,P0.05。观察组的住院时间(9.54(4.14)d与对照组(11.20(5.20)d比较,差异无统计学意义(P>0.05)。两组并发症发生率比较,P>0.05。术后常规随访,对照组出现1例复发;观察组出现3例复发,两组复发率比较,P>0.05。结论早期胃癌治疗无论是采用EsD还是腹腔镜手术都能取得理想的治疗效果,两种治疗方法的不同不会对早期胃癌的治疗效果造成较大影响,但是与腹腔镜手术相比,EsD的微创优势更明显,该治疗方式具有手术时间更短,具有术后恢复迅速的优势,可减少住院费用。

关键词：早期胃癌内镜黏膜下剥离腹腔镜手术复发