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GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究

固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 540-544页

作者：王燕萍罗尹虹张科营王园明西北核技术研究所西安710024

建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数... 详细信息

建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律。结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感参数,讨论了器件性能退化的各种辐射损伤机制。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管中子辐照

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CMMB系统与GSM系统间干扰分析

电信快报（网络与通信） 2012年第11期 14-18页

作者：王园明江苏省邮电规划设计院有限责任公司江苏省南京市210006

主要阐述CMMB(中国移动多媒体广播)系统和GSM(全球移动通讯系统)的组网情况及主要干扰类型,分析两个系统共址情况下系统之间的主要干扰情况,对各种干扰类型进行详细分析,提出系统之间隔离度的计算方法,从而规避系统之间的干扰,以保证两... 详细信息

主要阐述CMMB(中国移动多媒体广播)系统和GSM(全球移动通讯系统)的组网情况及主要干扰类型,分析两个系统共址情况下系统之间的主要干扰情况,对各种干扰类型进行详细分析,提出系统之间隔离度的计算方法,从而规避系统之间的干扰,以保证两个系统能正常工作和运行。

关键词： CMMB GSM 干扰隔离度

纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究

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物理学报 2015年第21期64卷 338-345页

作者：罗尹虹张凤祁郭红霞郭晓强赵雯丁李利王园明强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,... 详细信息

器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,单粒子多位翻转百分比和多样性增加,质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关.采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器,从次级粒子的能量和角度分布出发,揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因.质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素.质子能量越小,多位翻转截面角度增强效应越大;临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应.

关键词：质子纳米随机静态存储器单粒子多位翻转角度效应

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Geant4在中子辐射效应中的应用

原子能科学技术 2012年第B9期46卷 607-610页

作者：金晓明王园明杨善潮马强刘岩林东生陈伟西北核技术研究所陕西西安710024

中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离kerm... 详细信息

中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离kerma因子的模拟结果定量解释了中子辐照在CMOS工艺单片机中引起的电离增强效应。通过原子空位密度计算了中子引入的附加陷阱密度,分析了位移损伤对电离效应的增强作用。实验和模拟结果表明,中子的电离能量沉积加剧了CMOS工艺单片机的退化。

关键词：中子辐射效应电离能量沉积非电离能量沉积原子空位

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电场作用下氢酶-电极界面的研究

电场作用下氢酶-电极界面的研究

中国化学会第十四届全国电分析化学学术会议

作者：王园明朱之光中国科学院天津工业生物技术研究所

高效的酶-电极界面是构建酶燃料电池、生物传感器、仿生系统重要影响因素。研究酶的天然构象及其在电极界面上的锚定形态是增强酶-电极界面电子传递效率的重要手段。因酶自身结构的复杂性及分子内电子流的不明确性,实现高效的酶电子传... 详细信息

高效的酶-电极界面是构建酶燃料电池、生物传感器、仿生系统重要影响因素。研究酶的天然构象及其在电极界面上的锚定形态是增强酶-电极界面电子传递效率的重要手段。因酶自身结构的复杂性及分子内电子流的不明确性,实现高效的酶电子传递界面面临很多挑战[1-3]。本项目通过电化学方法,研究了氢酶在不同带电性和亲疏水性碳纳米管修饰电极上的直接电催化氧化氢气的效率,证明疏水作用力可以促进该酶的定性固定及电子传递速率。并阐明了与电极界面接触的酶亚基中辅基及铁硫簇的排布,酶内部的电子流向,定向固定方式及酶表面亲疏水性能,通过进一步对该酶模块进行同源建模分析,验证了酶亚基的配基及铁硫簇8埃以内的疏水氨基酸对于促进酶-电极界面的形成所起的作用。另外,本文还探索了电极电势在酶-电极界面动力学中的作用,受电场作用力的影响,氢酶可以快速地富集在电极周围,并快速有序地排布在电极界面上形成一层蛋白质膜。

关键词：酶-电极界面氢酶电子传递定向固定燃料电池

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

强激光与粒子束 2013年第7期25卷 1803-1806页

作者：王园明郭晓强罗尹虹陈伟王燕萍郭红霞张凤祁张科营王忠明丁李利闫逸华赵雯肖尧西北核技术研究所西安710024

基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原... 详细信息

基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。

关键词：中子质子硅反冲原子非电离能量阻止本领

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静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟

物理学报 2009年第12期58卷 8651-8656页

作者：张科营郭红霞罗尹虹何宝平姚志斌张凤祁王园明西北核技术研究所西安710024

针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单... 详细信息

针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微束、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应.

关键词：三维数值模拟单粒子翻转微束宽束

亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究

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原子能科学技术 2010年第12期44卷 1498-1504页

作者：郭红霞罗尹虹姚志斌张凤祁张科营何宝平王园明西北核技术研究所陕西西安710024

利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35～0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺... 详细信息

利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35～0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重。测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析。MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战。

关键词：静态随机存储器多位翻转重离子加速器

特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响

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原子能科学技术 2010年第2期44卷 215-219页

作者：张科营郭红霞罗尹虹何宝平姚志斌张凤祁王园明西北核技术研究所陕西西安710024

采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,... 详细信息

采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。

关键词：特征尺寸临界电荷 LET阈值单粒子翻转 cM()s SRAM