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Ga在裸Si系的扩散模型及掺杂效应分析

稀有金属材料与工程 2008年第11期37卷 2049-2053页

作者：刘秀喜王公堂山东师范大学山东济南250014

依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和RS的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应。结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成RS值不均匀... 详细信息

依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和RS的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应。结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成RS值不均匀。扩Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度无关。

关键词： Ga 裸Si系扩散模型掺杂效应

有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

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物理学报 2008年第1期57卷 576-580页

作者：刘秀喜王公堂山东师范大学物理与电子科学学院济南250014

采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω.cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16kV/mm.该材料用于KP500型晶... 详细信息

采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω.cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对提高器件性能的机理进行了研究.

关键词：绝缘保护材料性能晶闸管机理

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镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究

物理学报 2010年第3期59卷 1964-1969页

作者：王公堂刘秀喜山东师范大学物理与电子科学学院济南250014

依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次高温连续完成.该项掺杂技术能实现Si中的高均匀掺杂,扩散参数具有良好的重复性和一致性,可获得较理想的杂... 详细信息

依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次高温连续完成.该项掺杂技术能实现Si中的高均匀掺杂,扩散参数具有良好的重复性和一致性,可获得较理想的杂质浓度分布.Ga,Al与Si的共价半径相接近,高温后又采取缓慢降温等措施,能明显减少晶格缺陷,提高少子寿命,降低压降.研究了受主双质掺杂与晶闸管参数之间的关系,并对镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理进行了深入的分析与讨论.研究表明,镓铝双质受主掺杂有利于提高晶闸管的耐压水平和浪涌能力,能明显改善电流特性、触发特性和动态特性,优于其他受主掺杂技术.

关键词：镓铝双质掺杂机理晶闸管性能

Selection of isolated and individual single-walled carbon nanotube from a film and its usage in nanodevices

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Chinese Physics B 2011年第6期20卷 413-415页

作者：王公堂 College of Physics and Electronics Shandong Normal University

Individual and isolated single-walled carbon nanotubes （SWNTs） are important for fabricating relevant nanodevices and studying the properties of the SWNT devices. In this work, we demonstrate that individual and isolated SWNT can be selected and obtained from a film containing a huge number of SWNTs. By using both the polymethylmethacrylate （PMMA） as a negative resist and the electron beam lithography, the selected SWNT can be fixed on a substrate, while the other SWNTs in the film can lift off. The selected SWNT can be used to fabricate nanodevice and a gas sensor of oxygen is demonstrated in this work.

关键词： single-walled carbon nanotube electron beam lithography sensor

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掺钕硼酸锂激光玻璃的光学吸收特性

材料科学与工程学报 2012年第4期30卷 522-524,575页

作者：马跃进连洁于晓红王公堂山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 山东师范大学物理与电子科学学院山东济南2500141

掺杂稀土元素的激光玻璃由于本身的优点广泛应用于核聚变、高功率激光放大器和光纤激光器等领域。利用椭偏仪和TU-1901紫外可见分光光度计分别对掺钕硼酸锂的折射率、透射和反射等光学性质进行了研究,进而得到掺钕硼酸锂玻璃的折射率、... 详细信息

掺杂稀土元素的激光玻璃由于本身的优点广泛应用于核聚变、高功率激光放大器和光纤激光器等领域。利用椭偏仪和TU-1901紫外可见分光光度计分别对掺钕硼酸锂的折射率、透射和反射等光学性质进行了研究,进而得到掺钕硼酸锂玻璃的折射率、透射光谱、反射光谱、吸收光谱,并对其进行了分析。发现材料在632.8nm波长处折射率为1.684,消光系数为0.056;吸收光谱主要有4个吸收峰,在可见光范围内吸收峰与Nd∶YAG的主要吸收峰大致相同,吸收截面分别为1.45×10-20cm2、1.98×10-20cm2、1.92×10-20cm2、1.94×10-20cm2。

关键词：掺钕硼酸锂玻璃椭圆偏振光谱法折射率吸收光谱

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激光烧蚀铝靶生成空气等离子体的机理

原子与分子物理学报 1996年第2期13卷 163-169页

作者：王公堂王象泰满宝元许炳章梅良模山东师范大学物理系山东大学物理系

由Ｑ－开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光器产生的１．０６μｍ、１０ｎｓ的脉冲激光辐射大气中的铝靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在铝靶表面的功率密度在１．０×１０￣９Ｗ／ｃｍ￣２－１．４×１０￣（１０）Ｗ／ｃｍ￣２范围时... 详细信息

由Ｑ－开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光器产生的１．０６μｍ、１０ｎｓ的脉冲激光辐射大气中的铝靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在铝靶表面的功率密度在１．０×１０￣９Ｗ／ｃｍ￣２－１．４×１０￣（１０）Ｗ／ｃｍ￣２范围时，测定了等离子体在２００至８８０ｎｍ波长范围内的空间、时间分辨发射光谱。实验发现，等离子体中Ｎ￣＋离子的辐射谱线与连续辐射同时出现并一起消失，随激光强度的增加Ｎ￣＋离子密度以指数关系增加，在激光源方向Ｎ￣＋离子的运动速度为零。从靶表面逸出的热电子与氮原子碰撞及随后发生的级联电离过程是产生Ｎ￣＋离子和空气等离子体的原因。

关键词：激光烧蚀空气等离子体铝靶

基于自适应非局部均值的CBCT投影数据去噪算法

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光电子．激光 2015年第6期26卷 1226-1232页

作者：王公堂谷文静孙倩虞刚孙腾李登旺山东师范大学物理与电子科学学院山东济南250014 山东大学第二医院肿瘤防治中心山东济南250033

为了准确地获取放疗摆位信息,并减低临床患者所接收的辐射剂量,提出了一种基于非局部均值(NLM)的锥形束计算层析(CBCT)投影数据去噪算法。首先,计算在不同投射角度下获取的CBCT投影数据的噪声标准差、边缘信息和纹理子块的平均梯度值的... 详细信息

为了准确地获取放疗摆位信息,并减低临床患者所接收的辐射剂量,提出了一种基于非局部均值(NLM)的锥形束计算层析(CBCT)投影数据去噪算法。首先,计算在不同投射角度下获取的CBCT投影数据的噪声标准差、边缘信息和纹理子块的平均梯度值的均值,确定与该角度投影数据相适应的滤波强度值;然后,采用改进的NLM算法对投影数据进行去噪处理;最后,经过三维重建获得较高质量的CBCT图像。还对基于子块分割的噪声估计算法进行了改进,使其更适用于CBCT投影数据的噪声估计。实验结果表明,本文算法能够有效估计投影数据的噪声水平,去噪效果优于其它几种算法,在去除噪声的同时,还能很好地保留图像的细节信息,并可增强图像的对比度,有利于准确获取摆位信息和医生的临床诊断。

关键词：锥形束计算层析(CBCT)图像去噪非局部均值(NLM)算法自适应性噪声估计

PIC16F873单片机在精密播种机上的应用

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农机化研究 2007年第3期29卷 150-153页

作者：王公堂杨善迎山东师范大学物理与电子科学学院济南250014 莱芜职业技术学院山东莱芜271100

充分考虑田间作业条件,开发了基于PIC16F873的8行精密播机排种监测报警装置。该装置在缺种、堵塞时发出声光报警,从电路功能及软件上解决了报警逻辑、监测行设置等问题。田间使用结果表明,该装置能够适应田间工作环境,可取代农机手实现... 详细信息

充分考虑田间作业条件,开发了基于PIC16F873的8行精密播机排种监测报警装置。该装置在缺种、堵塞时发出声光报警,从电路功能及软件上解决了报警逻辑、监测行设置等问题。田间使用结果表明,该装置能够适应田间工作环境,可取代农机手实现可靠的监测报警。

关键词：农业工程精密播种机应用单片机监测系统

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激光烧蚀硅所生成的等离子体发射光谱特性

中国激光 1996年第1期23卷 64-68页

作者：王公堂王象泰张怿慈许炳章梅良模山东师范大学物理系山东大学物理系

报道由Ｑ－开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光器产生的１．０６μｍ、１０ｎｓ的脉冲激光辐射大气中的硅靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在硅靶表面的功率密度为９．３×１０９Ｗ／ｃｍ２时，测定了等离子体在２００～８８０ｎｍ波长... 详细信息

报道由Ｑ－开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光器产生的１．０６μｍ、１０ｎｓ的脉冲激光辐射大气中的硅靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在硅靶表面的功率密度为９．３×１０９Ｗ／ｃｍ２时，测定了等离子体在２００～８８０ｎｍ波长范围内的时间分辨发射光谱。估计了等离子体点燃的时间，测定了等离子体中硅原子的推进速度，讨论了等离子体中Ｎ＋离子产生的原因。通过测量等离子体辐射谱线的半高宽随延迟时间的变化．得到等离子体中电子密度随时间的延迟近似地以ｅｘｐ（－ｔ１／２）的关系衰减。

关键词：激光烧蚀等离子体辐射光谱硅