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赴泰国职校汉语教师志愿者在岗培训模式研究

赴泰国职校汉语教师志愿者在岗培训模式研究

作者：潘霄宇辽宁大学

学位级别：硕士

近年来,汉语发展之势迅猛,世界各国对学习汉语的需求仍十分强烈,其国际化的规模和速度已引起媒体和社会各界的关注,“汉语热”在全球范围内风靡的同时,国际上汉语教师的需求量也日渐增多。为了积极推广汉语,加深中国与世界各国的相互了... 详细信息

近年来,汉语发展之势迅猛,世界各国对学习汉语的需求仍十分强烈,其国际化的规模和速度已引起媒体和社会各界的关注,“汉语热”在全球范围内风靡的同时,国际上汉语教师的需求量也日渐增多。为了积极推广汉语,加深中国与世界各国的相互了解,中国国家汉办启动了汉语教师志愿者项目,输送大量优秀人才到世界各地教授汉语。为了提高海外志愿者的综合素质和适应能力,使其能够更快地融入赴任国的教学生活中,汉办对赴任的海外志愿者提供了多次在岗培训,本文即针对赴泰海外汉语志愿者在岗培训情况及模式进行研究分析,旨在促进汉语教师志愿者队伍建设,提高师资质量,促进汉语国际教育事业的推广,也为初出茅庐的青年汉语教师志愿者提供教学、海外生存、跨文化交际等多方面的指导,帮助他们提高课堂教学能力,避免志愿者在陌生的环境中出现心理健康等问题。本文内容主要分为五部分,绪论部分介绍了本文的选题背景、研究意义、研究综述和研究方法;第一章对泰国职校汉语教学现状进行简要分析,概括地叙述了职校汉语教学的特点、职校学生的特点、泰方对汉语教师志愿者能力需求的调查;第二章分析了赴泰汉语教师志愿者个人发展需求的调查结果;第三章对目前职校汉语教师志愿者在岗培训模式进行分析,指出了现有职校汉语教师志愿者在岗培训模式的不足之处;第四章文章对建立新的以需求为导向的多元在岗培训模式进行详细介绍;最后文章对研究进行总结,提出了不足和期望。

关键词：汉语教师志愿者培训模式汉语推广

增强型Cascode结构氮化镓功率器件的高能质子辐射效应研究

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物理学报 2023年第1期72卷 44-50页

作者：白如雪郭红霞张鸿王迪张凤祁潘霄宇马武英胡嘉文刘益维杨业吕伟王忠明湘潭大学材料与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024

针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质... 详细信息

针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质子辐照更加敏感,分析认为级联硅基MOS管的存在是其对质子辐照敏感的主要原因.质子辐照使硅基MOS管栅氧化层产生大量净的正电荷,诱导发生电离损伤效应,使其出现阈值电压负向漂移及栅泄漏电流增大等现象.利用等效(60 MeV能量质子,累积注量1×10^(12)p/cm^(2))剂量的^(60)Coγ射线辐射器件得到电离损伤效应结果,发现器件的电学性能退化规律与60 MeV能量质子辐照后的退化规律一致.通过蒙特卡罗模拟得到质子入射在Cascode型器件内诱导产生的电离能损和非电离能损,模拟结果表明电离能损是导致器件性能退化的主要原因.

关键词：增强型AlGaN/GaNHEMT 质子辐照电离能损

不同应力下碳化硅场效应晶体管器件总剂量效应及退火特性

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物理学报 2021年第16期70卷 198-206页

作者：顾朝桥郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁张鸿琚安安柳奕天湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件... 详细信息

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件辐照退化产生影响的原因,也探索了退火恢复的机理.结果表明:辐照感生的氧化物陷阱电荷是造成碳化硅场效应晶体管器件电学参数退化的主要原因,电压和温度条件会影响氧化物陷阱电荷的最终产额,从而导致器件在不同电压、不同温度下辐照后的退化程度存在差异;退火过程中由于氧化物陷阱电荷发生了隧穿退火,导致器件电学性能得到了部分恢复.

关键词：碳化硅场效应晶体管总剂量电压温度退火效应

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理

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物理学报 2020年第20期69卷 302-309页

作者：郝蕊静郭红霞潘霄宇吕玲雷志锋李波钟向丽欧阳晓平董世剑湘潭大学材料与工程学院湘潭411105 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 西北核技术研究院西安710024 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm^2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在... 详细信息

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm^2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在器件内引入体缺陷,沟道处的体缺陷通过俘获电子和散射电子,造成器件电学性能退化,主要表现为阈值电压正漂、输出饱和漏电流减小以及栅极泄漏电流增大.经过低频噪声的测试计算得到,中子辐照前后,器件沟道处的缺陷密度由1.78×1012 cm^-3·eV^-1增大到了1.66×10^14 cm^-3·eV^-1.采用C-V测试手段对肖特基异质结进行测试分析,发现沟道载流子浓度在辐照后有明显降低,且平带电压也正向漂移.分析认为中子辐照器件后,在沟道处产生了大量缺陷,这些缺陷会影响沟道载流子的浓度和迁移率,进而影响器件的电学性能.

关键词： AlGaN/GaN 中子辐照位移损伤 1/f噪声

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铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究

原子能科学技术 2017年第5期51卷 902-908页

作者：魏佳男郭红霞张凤祁罗尹虹潘霄宇丁李利赵雯刘玉辉湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 西北核技术研究所陕西西安710024

利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响。研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的。被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截... 详细信息

利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响。研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的。被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面。对FRAM工作时序及不同芯片使能信号(CE)占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系。本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定(SEL)敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模式下由SEL引发的数据翻转情况,发现动态模式下被测器件更易受SEL影响而发生翻转。

关键词：铁电存储器单粒子效应激光微束工作频率

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重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失

物理学报 2021年第16期70卷 72-81页

作者：张鸿郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁顾朝桥柳奕天琚安安欧阳晓平湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非... 详细信息

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非电离能量损失只占总能量损失的1%左右;随着LET的增大,次级电子的初始角度和能量分布越来越集中;重离子诱导产生的电荷沉积峰值位置在重离子径迹中心,在垂直于入射深度方向上呈高斯线性减小分布.利用锎源进行碳化硅MOSFET单粒子烧毁试验,结合TCAD模拟得到不同漏极电压下器件内部电场分布,在考虑电场作用的蒙特卡罗模拟中发现:碳化硅MOSFET外延层的电场强度越大,重离子受电场作用在外延层运动的路径越长、沉积能量越多,次级电子越容易偏向电场方向运动导致局部能量沉积过高.

关键词：蒙特卡罗方法碳化硅重离子能量损失电场

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重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失研究

物理学报 2021年

作者：张鸿郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁顾朝桥柳奕天琚安安欧阳晓平湘潭大学材料科学与工程学院西北核技术研究所工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室

利用蒙特卡罗方法，模拟计算了不同线性能量传输（liner energy transfer，简记为LET）的重离子在碳化硅中的能量损失，模拟结果表明：重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响；能量损失主要由初级重离子和... 详细信息

利用蒙特卡罗方法，模拟计算了不同线性能量传输（liner energy transfer，简记为LET）的重离子在碳化硅中的能量损失，模拟结果表明：重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响；能量损失主要由初级重离子和次级电子产生，非电离能量损失只占总能量损失的1%左右；随LET的增大，次级电子的初始角度和能量分布越来越集中；重离子诱导产生的电荷沉积峰值位置在重离子径迹中心，在垂直于入射深度方向上呈高斯线性减小分布。利用锎源进行碳化硅MOSFET单粒子烧毁试验，结合TCAD模拟得到不同漏极电压下器件内部电场分布，在考虑电场作用的蒙特卡罗模拟中发现：碳化硅MOSFET外延层的电场强度越大，重离子受电场作用在外延层运动的路径越长、沉积能量越多，次级电子越容易偏向电场方向运动导致局部能量沉积过高。

关键词：蒙特卡罗方法碳化硅重离子能量损失电场

Analysis of multiple cell upset sensitivity in bulk CMOS SRAM after neutron irradiation

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Chinese Physics B 2018年第3期27卷 515-519页

作者：潘霄宇郭红霞罗尹虹张凤祁丁李利 State Key Laboratory of Intense Pulsed Irradiation Simulation and Effect Northwest Institute of Nuclear Technology

In our previous studies, we have proved that neutron irradiation can decrease the single event latch-up （SEL） sensitivity of CMOS SRAM. And one of the key contributions to the multiple cell upset （MCU） is the parasitic bipolar amplification, it bring us to study the impact of neutron irradiation on the SRAM＇s MCU sensitivity. After the neutron experiment, we test the devices＇ function and electrical parameters. Then, we use the heavy ion fluence to examine the changes on the devices＇ MCU sensitivity pre- and post-neutron-irradiation. Unfortunately, neutron irradiation makes the MCU phenomenon worse. Finally, we use the electric static discharge （ESD） testing technology to deduce the experimental results and find that the changes on the WPM region take the lead rather than the changes on the parasitic bipolar amplification for the 90 nm process.

关键词： displacement damage neutron irradiation multiple cell upset （MCU） parasitic bipolar amplifica- tion

Impact of neutron-induced displacement damage on the single event latchup sensitivity of bulk CMOS SRAM

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Chinese Physics B 2017年第1期26卷 542-546页

作者：潘霄宇郭红霞罗尹虹张凤祁丁李利魏佳男赵雯 Northwest Institute of Nuclear Technology Xi'an 710024 China

Since the displacement damage induced by the neutron irradiation prior has negligible impact on the performance of the bulk CMOS SRAM, we use the neutron irradiation to degrade the minority carrier lifetime in the regions responsible for latchup. With the experimental results, we discuss the impact of the neutron-induced displacement damage on the SEL sensitivity and qualitative analyze the effectiveness of this suppression approach with TCAD simulation.

关键词： displacement damage neutron irradiation single event latchup TCAD simulation