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Characterization of Al_2O_3 /GaN/AlGaN/GaN metalinsulator-semiconductor high electron mobility transistors with different gate recess depths

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Chinese Physics B 2011年第2期20卷 458-464页

作者：马晓华潘才渊杨丽媛于惠游杨凌全思王昊张进成郝跃 School of Technical Physics Xidian University Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of MicroelectronicsXidian University

In this paper, in order to solve the interface-trap issue and enhance the transconductance induced by high-k dielectric in metal-insulator-semiconductor （MIS） high electron mobility transistors （HEMTs）, we demonstrate better performances of recessed-gate A1203 MIS-HEMTs which are fabricated by Fluorine-based Si3N4 etching and chlorine- based A1CaN etching with three etching times （15 s, 17 s and 19 s）. The gate leakage current of MIS-HEMT is about three orders of magnitude lower than that of A1GaN/CaN HEMT. Through the recessed-gate etching, the transconductanee increases effectively. When the recessed-gate depth is 1.02 nm, the best interface performance with Tit----（0.20--1.59） p^s and Dit ：（0.55-1.08）x 1012 ***- 1 can be obtained. After chlorine-based etching, the interface trap density reduces considerably without generating any new type of trap. The accumulated chlorine ions and the N vacancies in the AIGaN surface caused by the plasma etching can degrade the breakdown and the high frequency performances of devices. By comparing the characteristics of recessed-gate MIS-HEMTs with different etching times, it is found that a low power chlorine-based plasma etching for a short time （15 s in this paper） can enhance the performances of MIS-HEMTs effectively.

关键词： A1GaN/GaN gate-recessed MIS-HEMT frequency-dependent capacitance and conduc-tance drain current injection technique knee resistance

High temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

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Chinese Physics B 2011年第11期20卷 451-455页

作者：杨丽媛郝跃马晓华张进成潘才渊马骥刚张凯马平 Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of MicroelectronicsXidian University School of Technical Physics Xidian University

Direct current （DC） and pulsed measurements are performed to determine the degradation mechanisms of A1GaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） under high temperature. The degradation of the DC characteristics is mainly attributed to the reduction in the density and the mobility of the two-dimensional electron gas （2DEG）. The pulsed measurements indicate that the trap assisted tunneling is the dominant gate leakage mechanism in the temperature range of interest. The traps in the barrier layer become active as the temperature increases, which is conducive to the electron tunneling between the gate and the channel. The enhancement of the tunneling results in the weakening of the current collapse effects, as the electrons trapped by the barrier traps can escape more easily at the higher temperature.

关键词： A1GaN/GaN high electron mobility transistor high temperature characteristics traps current collapse

Enhancement-mode AlGaN/GaN high electronic mobility transistors with thin barrier

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Chinese Physics B 2011年第2期20卷 453-457页

作者：马晓华于惠游全思杨丽媛潘才渊杨凌王昊张进成郝跃 School of Technical Physics Xidian University Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices School of Physics TechnologyXidian University

An enhancement-mode （E-mode） A1GaN/GaN high electron mobility transistor （HEMTs） was fabricated with 15-nm A1GaN barrier layer. E-mode operation was achieved by using fluorine plasma treatment and post-gate rapid thermal annealing. The thin barrier depletion-HEMTs with a threshold voltage typically around -1.7 V, which is higher than that of the 22-nm barrier depletion-mode HEMTs （-3.5 V）. Therefore, the thin barrier is emerging as an excellent candidate to realize the enhancement-mode operation. With 0.6-tim gate length, the devices treated by fluorine plasma for 150-W RF power at 150 s exhibited a threshold voltage of 1.3 V. The maximum drain current and maximum transconductance are 300 mA/mm, and 177 mS/ram, respectively. Compared with the 22-nm barrier E-mode devices, VT of the thin barrier HEMTs is much more stable under the gate step-stress,

关键词： high electron mobility transistors A1GaN/GaN thin barrier fluorine plasma treatment,threshold voltage

2021款奔驰E260L车空气质量选项提示“传感器停止运作”

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汽车维护与修理 2025年第1期 36-39页

作者：熊渊庆武汉中驰之星汽车维修中心

故障现象一辆2021款奔驰E260L车，搭载M264发动机，累计行驶里程约1.5万km。车主反映，多媒体显示屏上的空气质量选项提示“传感器停止运作”（图1），正常情况下应显示PM2.5指数（图2）。

关键词：

兼顾保供与消纳的高比例清洁能源系统储能优化配置运行策略

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储能科学与技术 2025年

作者：陈云瑶陈玉州加央拉姆张清渊郑子萱姜山李杰熊思源国网西藏电力有限公司经济技术研究院四川大学电气工程学院

高比例清洁能源弱送端电网外送通道不足且灵活可调资源较少，清洁能源大发时易加剧弃风弃光现象，同时高渗透率的清洁能源装机容量进一步压缩传统同步发电机组的开机容量，削弱电网调节能力并加大负荷保供风险，导致负荷缺电与清洁能源... 详细信息

高比例清洁能源弱送端电网外送通道不足且灵活可调资源较少，清洁能源大发时易加剧弃风弃光现象，同时高渗透率的清洁能源装机容量进一步压缩传统同步发电机组的开机容量，削弱电网调节能力并加大负荷保供风险，导致负荷缺电与清洁能源弃电互为矛盾的双重挑战愈发严峻。电化学储能作为平抑可再生能源波动、缓解供需矛盾的关键手段，对保障电网安全稳定与灵活运行至关重要。本文提出一种兼顾保供与消纳的储能优化配置与运行策略。首先，以高比例清洁能源系统为研究对象，凝练出负荷保供与清洁能源消纳这两类关键需求，并构建出电网平衡、清洁能源消纳和负荷保供这三类风险评估指标；其次，根据所提的风险评估指标体系构建相应的保供应与促消纳目标函数与约束条件，在上层模型中求解的储能规划配置，在下层模型中求解储能的优化运行，实现兼顾保供与消纳的储能优化配置与运行的双层模型构建；最后，通过四个算例在西部某高比例清洁能源系统中验证了所提策略的可行性与有效性。相较于通过配置储能解决单一消纳问题或保供问题，兼顾保供与促消纳的储能参与系统调控可有效提升地区电网的保供水平以及清洁能源消纳率，同时有效降低系统运行成本，提升电网经济效益。

关键词：储能配置优化运行负荷保供清洁能源消纳混合整数规划

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架空线路航拍巡检图像螺栓目标智能处理综述

电器工业 2025年第1期 63-72页

作者：李学渊赵鑫涛江河安澜工程咨询有限公司许昌开普电气研究院有限公司

无论是金具螺栓还是杆塔螺栓都为保障电力系统的安全稳定运行发挥着重要的作用,必须定期巡检以避免因螺栓缺陷而造成的电力系统安全隐患或故障。目前架空电力线路螺栓缺陷检测仍然主要依赖运维专家进行人工辨识,急需进行深入的研究以满... 详细信息

无论是金具螺栓还是杆塔螺栓都为保障电力系统的安全稳定运行发挥着重要的作用,必须定期巡检以避免因螺栓缺陷而造成的电力系统安全隐患或故障。目前架空电力线路螺栓缺陷检测仍然主要依赖运维专家进行人工辨识,急需进行深入的研究以满足工程应用的实际需求。本文深入论述了基于深度学习的架空电力线路航拍巡检图像螺栓目标智能处理。研究了实际架空电力线路中螺栓的正常及缺陷状态;分析了架空电力线路航拍巡检图像数据与数据集划分的问题;综述了基于深度学习的计算机视觉前沿技术应用于架空电力线路航拍巡检图像螺栓目标智能处理领域的现状;最后分巡检方式、航线规划等六个方面进行总结和展望。

关键词：架空电力线路架空线路电力系统深度学习智能处理巡检金具计算机视觉

紫外线B辐射增强和酸氮沉降复合作用对杉木凋落物分解的影响

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东北林业大学学报 2025年第1期53卷 57-63页

作者：郑立津戴渊陈水兰刘爱琴福建农林大学福州350002

为了探究不同环境因子复合作用对杉木(Cunninghamia lanceolata)凋落物分解机制的影响,以杉木人工林凋落物为研究对象,采用野外环境控制试验方法,通过设置不同紫外线B辐射增强、酸沉降和氮沉降试验处理,进行紫外线B辐射增强与酸氮沉降... 详细信息

为了探究不同环境因子复合作用对杉木(Cunninghamia lanceolata)凋落物分解机制的影响,以杉木人工林凋落物为研究对象,采用野外环境控制试验方法,通过设置不同紫外线B辐射增强、酸沉降和氮沉降试验处理,进行紫外线B辐射增强与酸氮沉降复合作用对杉木凋落物分解过程处理1年的定位研究。结果表明:不同试验处理后,杉木凋落物的分解速率从大到小依次为氮沉降处理(0.69)、紫外线B辐射增强与氮沉降复合处理(0.64)、紫外线B辐射增强与酸氮沉降复合处理(0.59)、酸沉降与氮沉降复合处理(0.58)、对照(0.56)、紫外线B辐射增强处理(0.55)、酸沉降处理(0.54)、紫外线B辐射增强与酸沉降复合处理(0.52)。氮沉降处理、紫外线B辐射增强与氮沉降复合处理会促进凋落物分解,缩短凋落物分解的周期;酸沉降处理会减缓杉木凋落物分解的速率。紫外线B辐射增强、紫外线B辐射增强和酸沉降复合处理、酸沉降和氮沉降复合处理、酸沉降氮沉降和紫外线B复合处理,对杉木凋落物分解的速率没有明显的影响。

关键词：氮沉降酸沉降紫外线B辐射增强杉木凋落物

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暗物质间接探测研究进展

中国科学:物理学力学天文学 2025年第1期 156-167页

作者：黄晓渊中国科学院紫金山天文台暗物质与空间天文重点实验室中国科学技术大学天文与空间科学学院

观测表明,宇宙中存在大量暗物质,并对宇宙演化起着重要的作用.然而,除了引力效应外,我们对其性质仍知之甚少.理解暗物质的属性有望扩展标准粒子模型,并揭示“新物理”.基于观测要求,研究者提出了众多暗物质模型,其质量范围跨越数十个量... 详细信息

观测表明,宇宙中存在大量暗物质,并对宇宙演化起着重要的作用.然而,除了引力效应外,我们对其性质仍知之甚少.理解暗物质的属性有望扩展标准粒子模型,并揭示“新物理”.基于观测要求,研究者提出了众多暗物质模型,其质量范围跨越数十个量级.这些暗物质候选者可能导致不同的天体物理效应,因此可以通过搜寻超出天体物理背景预期的信号来进行间接探测.本文回顾了与不同质量暗物质相关的间接探测预期信号和实验进展,重点讨论了轴子/类轴子和弱相互作用大质量粒子这两类具有良好物理动机的暗物质候选者所面临的观测限制及疑似信号.

关键词：暗物质间接探测伽马射线宇宙线

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环境因子对渤海强壮滨箭虫四季种群结构的影响

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中国海洋大学学报（自然科学版） 2025年第1期55卷 107-117页

作者：孙颖陈学超沈阳孙跃王博渊朱丽岩中国海洋大学海洋生命学院山东青岛266003 深圳市海洋发展研究促进中心广东深圳518034 中国海洋大学水产学院山东青岛266003

为深入探究环境因子与渤海强壮滨箭虫四季种群结构动态的关系,并进一步丰富近年来渤海海域浮游动物的相关研究,本研究于2018年4月—2019年12月在渤海海区开展4个航次的海洋综合调查工作,对渤海强壮滨箭虫的时空分布以及生长繁殖状况进... 详细信息

为深入探究环境因子与渤海强壮滨箭虫四季种群结构动态的关系,并进一步丰富近年来渤海海域浮游动物的相关研究,本研究于2018年4月—2019年12月在渤海海区开展4个航次的海洋综合调查工作,对渤海强壮滨箭虫的时空分布以及生长繁殖状况进行了研究,并讨论了温度、盐度、深度以及饵料等环境因子对其种群结构产生的影响。研究结果显示:盐度与强壮滨箭虫的时空分布具有显著的相关性,在28.5~32.7的范围内,盐度的升高对强壮滨箭虫种群增长有抑制作用;温度通过影响强壮滨箭虫的摄食、代谢来影响其季节上的变化;桡足类作为强壮滨箭虫的主要饵料,也是影响强壮滨箭虫生长繁殖的重要因素。

关键词：环境因子渤海强壮滨箭虫时空分布生长状况

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