检索结果-南通市图书馆

固体电子学研究与进展 2002年第3期22卷 265-267,325页

作者：滕鹤松南京电子器件研究所 210016

有机电致发光显示器件以其全固体、自发光、宽视角、高对比、快响应、低功耗、更轻薄等比液晶显示器件更为优越的特性 ,在小尺寸平板显示市场上正开始向

关键词：有机电致发光显示器件固体液晶显示器平板显示器 OEL

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叠层双面冷却功率模块封装性能研究

电子元件与材料 2018年第12期37卷 60-65页

作者：牛利刚王玉林滕鹤松李聪成中国电子科技集团公司第五十五研究所江苏南京210016 扬州国扬电子有限公司江苏扬州225100

随着电力电子系统的功率密度、工作频率不断提升,传统封装功率模块的散热性能、电磁性能已无法满足系统的要求。为了使功率模块满足小型化、轻量化、高频化的使用要求,本文设计了一款基于功率芯片叠层的双面冷却功率模块。利用验证过的... 详细信息

随着电力电子系统的功率密度、工作频率不断提升,传统封装功率模块的散热性能、电磁性能已无法满足系统的要求。为了使功率模块满足小型化、轻量化、高频化的使用要求,本文设计了一款基于功率芯片叠层的双面冷却功率模块。利用验证过的仿真方法,分别对650V/600A传统封装功率模块和叠层双面冷却功率模块进行了热阻仿真和杂散电感提取。结果表明:与同等规格的传统封装相比,叠层双面冷却功率模块体积减小了93.6%;热阻约为0.039℃/W,与传统封装相比减小了约50.6%;同规格传统封装的杂散电感约20.6nH,而叠层双面冷却功率模块的杂散电感仅为7.8nH,降低了约62%。

关键词：叠层双面冷却功率模块封装热阻杂散电感

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SiC功率模块开关特性测试研究

电力电子技术 2019年第6期53卷 134-136,140页

作者：牛利刚王玉林滕鹤松李聪成中国电子科技集团公司第五十五研究所江苏南京210016 扬州国扬电子有限公司江苏扬州225100

碳化硅(SiC)功率模块在开关时电压、电流变化率高,测试系统的寄生电感容易引起电压、电流振荡,使得开关特性的准确测试成为难题。这里通过研制低寄生电感的开关特性测试平台,结合不同封装的SiC功率模块,研究了栅极电阻、不同测试系统对... 详细信息

碳化硅(SiC)功率模块在开关时电压、电流变化率高,测试系统的寄生电感容易引起电压、电流振荡,使得开关特性的准确测试成为难题。这里通过研制低寄生电感的开关特性测试平台,结合不同封装的SiC功率模块,研究了栅极电阻、不同测试系统对开关性能的影响,测试系统寄生电感越大,需选用的栅极电阻越大,否则电压、电流的振荡影响开关特性测试;测试系统寄生电感越小,可选用的栅极电阻越小,其开关损耗越小。

关键词：碳化硅功率模块开关特性测试

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平板显示周边相关技术(一)

光电子技术 2000年第3期20卷 227-233页

作者：滕鹤松金永明南京电子器件研究所

平板显示器件的周边相关技术正随着平板显示技术的发展而迅速地发展起来 ,如各种平板显示器专用的控制、驱动 IC(集成电路 ) ,平板电源 ,平板音响 ,电磁兼容 ,触摸屏等技术及关键器件、材料正成为业内热点技术和产品。目前 ,国内的平板... 详细信息

平板显示器件的周边相关技术正随着平板显示技术的发展而迅速地发展起来 ,如各种平板显示器专用的控制、驱动 IC(集成电路 ) ,平板电源 ,平板音响 ,电磁兼容 ,触摸屏等技术及关键器件、材料正成为业内热点技术和产品。目前 ,国内的平板显示器 (除低档液晶屏外 )及其周边相关技术产品市场 ,基本上被国外的几家跨国公司所控制。

关键词：平板显示器件专用集成电路平板电源电磁兼容

第三代半导体电力电子器件模块高价值专利培育模式与机制探析

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江苏科技信息 2019年第5期36卷 8-13页

作者：柏松张弛王亚利叶新滕鹤松中国电子科技集团公司第五十五研究所-宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室

根据《中共江苏省委江苏省人民政府关于加快建设知识产权强省的意见》的有关部署,2015年江苏省知识产权局启动了"高价值专利培育计划"项目,目的是要围绕战略性新兴产业,以重大创新载体为主体,探索建设高价值专利培育示范中心,建立产学... 详细信息

根据《中共江苏省委江苏省人民政府关于加快建设知识产权强省的意见》的有关部署,2015年江苏省知识产权局启动了"高价值专利培育计划"项目,目的是要围绕战略性新兴产业,以重大创新载体为主体,探索建设高价值专利培育示范中心,建立产学研服协同创新新模式,创造一批科技含量高、权利状态稳定、市场效益好、市场竞争力强的高价值专利。但是究竟如何培育高价值专利,这在全国尚无先例,在知识产权工作中也是个新课题。文章总结和提炼了作者单位在"第三代半导体电力电子器件模块高价值专利培育示范中心"的实施方法,对培育高价值专利的模式与机制进行了有益的探索。

关键词：高价值专利培育

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银烧结技术在功率模块封装中的应用

电子工艺技术 2016年第6期37卷 311-315页

作者：李聪成滕鹤松王玉林徐文辉牛利刚南京电子器件研究所江苏南京210016 国扬电子有限公司江苏扬州225100

银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用正受到越来越多的关注。作为传统软钎焊技术的替代方案,银烧结技术在宽禁带半导体封装中具有良好的应用前景。阐述了银烧结技术原理,介绍了目前银烧结技术在功率模块中... 详细信息

银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用正受到越来越多的关注。作为传统软钎焊技术的替代方案,银烧结技术在宽禁带半导体封装中具有良好的应用前景。阐述了银烧结技术原理,介绍了目前银烧结技术在功率模块中的应用情况,总结了影响银烧结层质量的因素,并从检测手段、材料成本及专利方面对银烧结技术的应用前景进行了展望。

关键词：银烧结技术宽禁带半导体功率模块封装

超声扫描在IGBT模块焊层缺陷检测中的应用

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电子工艺技术 2019年第1期40卷 29-34页

作者：王刚明李聪成牛利刚王玉林滕鹤松南京电子器件研究所江苏南京210016 扬州国扬电子有限公司江苏扬州225100

超声扫描是一种常用的检测IGBT模块焊层缺陷的无损检测方法。介绍了IGBT模块结构及超声扫描检测原理,指出了现有的检测方法存在的局限性。用有限元模拟及实际结温测试的方法研究了超声扫描无法检测和分辨的焊层缺陷对模块散热性能的影... 详细信息

超声扫描是一种常用的检测IGBT模块焊层缺陷的无损检测方法。介绍了IGBT模块结构及超声扫描检测原理,指出了现有的检测方法存在的局限性。用有限元模拟及实际结温测试的方法研究了超声扫描无法检测和分辨的焊层缺陷对模块散热性能的影响。研究表明:由于DBC-底板焊层缺陷的遮挡,芯片-DBC焊层中无法被检测到的缺陷会造成模块最大结温偏差30℃以上;同一焊层检测时,芯片-DBC焊层中无法被准确分辨和定位的缺陷,会造成模块最大结温偏差5℃以上。在实际生产或应用中,可采用热阻测试、三维X-RAY检测、超声A-扫描或超声B-扫描等检测手段,作为超声C-扫描的辅助检测手段。

关键词： IGBT模块焊层缺陷超声扫描有限元模拟散热性能

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无压惰性气氛银烧结层空洞率影响因素研究

电子与封装 2017年第11期17卷 6-9,14页

作者：李聪成滕鹤松王玉林徐文辉牛立刚彭浩中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016 扬州国扬电子有限公司江苏扬州225100

在Si C功率模块的封装中,银烧结技术被认为是连接芯片到基板最为合适的技术。裸铜表面无压银烧结技术无需在芯片表面施加压力,降低芯片损伤风险;基板铜层无需贵金属镀层,提高了烧结层的可靠性,降低了材料成本。对裸铜表面无压银烧结技... 详细信息

在Si C功率模块的封装中,银烧结技术被认为是连接芯片到基板最为合适的技术。裸铜表面无压银烧结技术无需在芯片表面施加压力,降低芯片损伤风险;基板铜层无需贵金属镀层,提高了烧结层的可靠性,降低了材料成本。对裸铜表面无压银烧结技术展开研究,对于6.3 mm×6.3 mm及以下面积的芯片得到了空洞情况良好的烧结层。对影响烧结层空洞率的因素进行了研究,分析了芯片面积、烧结温度曲线、抽真空步骤和贴片质量对烧结层空洞率的影响。

关键词：银烧结技术裸铜基板无压烧结空洞率封装

3.3 kV 60 A H桥高压SiC二极管模块模拟与制作

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固体电子学研究与进展 2020年第5期40卷 324-327,332页

作者：郝凤斌金晓行王玉林滕鹤松柏松陈刚国扬电子有限公司江苏扬州225100 宽禁带半导体电力电子国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

介绍了一款H桥结构的3.3 kV 60 A高压SiC二极管模块,该SiC模块是由8只自主设计制作的3.3 kV30 A SiC肖特基二极管组成,每一路桥臂由两颗芯片并联实现60 A电流。采用Q3D软件建立3.3 kV 60 A H桥高压SiC二极管模块的仿真模型,对电流回路... 详细信息

介绍了一款H桥结构的3.3 kV 60 A高压SiC二极管模块,该SiC模块是由8只自主设计制作的3.3 kV30 A SiC肖特基二极管组成,每一路桥臂由两颗芯片并联实现60 A电流。采用Q3D软件建立3.3 kV 60 A H桥高压SiC二极管模块的仿真模型,对电流回路的寄生参数进行提取。采用有限元分析软件ANSYS计算稳态热传导,建立几何模型和有限元模型,形成的温度梯度分布显示温度场的分布比较合理,同时热量的横向传导增加了有效散热面积。常温静态测试条件下,模块压降在2.1 V左右,漏电流小于5μA,击穿电压高达3 700 V以上;动态测试(测试电压1 600 V,测试电流56 A)条件下,反向恢复时间为56 ns,芯片的热阻测试结果约为0.27 K/W。

关键词：碳化硅 SiC二极管 SiC模块

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紫外成像技术及其应用

光电子技术 2001年第4期21卷 294-297页

作者：滕鹤松南京电子器件研究所南京210016

紫外光应用技术正处于快速发展时期 ,从 2 0世纪 80年代末开始 ,已进入实质性的研究和应用 ;紫外成像技术早期主要应用于军事领域 ,现又可用于警用刑侦的现场侦查取证等领域。本文介绍了紫外成像系统的主要组成部分以及在军事。

关键词：紫外成像军事警用光电技术