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公安行政行为与刑事侦察行为关系之理论初探

行政法学研究 1998年第3期 58-59页

作者：温淑敏吉林省高级人民法院

公安行政行为与刑事侦察行为关系之理论初探温淑敏公安行政行为是指公安机关依照《中华人民共和国治安管理处罚条例》等行政法律、法规或规章，针对特定的公民、法人或其他组织权利、义务所作的特定的单方行为。刑事侦察行为是指行使侦... 详细信息

公安行政行为与刑事侦察行为关系之理论初探温淑敏公安行政行为是指公安机关依照《中华人民共和国治安管理处罚条例》等行政法律、法规或规章，针对特定的公民、法人或其他组织权利、义务所作的特定的单方行为。刑事侦察行为是指行使侦察权的司法机关在办理刑事案件过程中...

关键词：公安行政行为刑事侦察行为关系安机关限制人身自由刑事案件行政法主体《中华人民共和国刑事诉讼法》公安具体行政行为行政管理相对人

压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第6期28卷 848-855页

作者：温淑敏班士良内蒙古大学理工学院物理系

考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响.结果表明... 详细信息

考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响.结果表明,极化子效应使杂质态结合能明显降低,但压力使极化子效应减弱,屏蔽对极化子效应的影响不明显.

关键词：量子阱屏蔽压力杂质态结合能极化子效应

Ge1-x-ySixSny合金能带结构和光学性质的理论研究

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人工晶体学报 2024年第12期53卷 2131-2140页

作者：顾永顺温淑敏内蒙古工业大学理学院

SiGeSn合金材料具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,能够与互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容,并具有独特的光学性质和较高的热力学稳定性,是一类在光电子领域极具应用潜力的半导体材料。本文构建了总原子个数为144,Si、Sn原子个数... 详细信息

SiGeSn合金材料具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,能够与互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容,并具有独特的光学性质和较高的热力学稳定性,是一类在光电子领域极具应用潜力的半导体材料。本文构建了总原子个数为144,Si、Sn原子个数比接近3.7:1的八种模型,采用密度泛函理论下的广义梯度近似GGA+U方法计算了电子结构及光学性质。结果表明,Si、Sn浓度较高的GeSiSn合金的结合能相对较高,稳定性相对较好。随着Si、Sn浓度的增加,GeSiSn合金的带隙减小,介电函数虚部峰向低能方向移动,静态介电常数减小,吸收光谱在可见光和近红外区域内发生变化,反射率在紫外波段范围内提高,折射率降低,消光系数向紫外区域移动,光电导率向紫外区域延伸。该结果为GeSiSn合金材料在光电材料和器件方面的应用提供了一定参考。

关键词： SiGeSn 能带结构光学性质第一性原理 GGA+U

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原位增强抗原递呈的硒化铋纳米材料用于肿瘤放疗

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原位增强抗原递呈的硒化铋纳米材料用于肿瘤放疗

作者：温淑敏郑州大学

学位级别：硕士

免疫原性死亡(Immunogenic cell death,ICD)可以增强抗肿瘤免疫应答,在结直肠癌(Colorectal cancer,CRC)放射治疗(Radiotherapy,RT)过程中起着重要作用。然而,由于肿瘤对放射治疗的响应不足和肿瘤细胞表面过表达唾液酸引起的免疫抵抗,... 详细信息

免疫原性死亡(Immunogenic cell death,ICD)可以增强抗肿瘤免疫应答,在结直肠癌(Colorectal cancer,CRC)放射治疗(Radiotherapy,RT)过程中起着重要作用。然而,由于肿瘤对放射治疗的响应不足和肿瘤细胞表面过表达唾液酸引起的免疫抵抗,疗效往往受到限制。因此,本硕士论文设计了一种靶向切割肿瘤细胞表面唾液酸的纳米放疗增敏剂PVP-BiSe@Neu(BiSe@Neu),并对其理化性质、体外去唾液酸能力、免疫应答水平、抗肿瘤效果和生物安全性进行研究。首先合成了PVP-BiSe@Sec(BiSe)纳米材料,通过静电相互作用将唾液酸酶(Neuraminidase,Neu)吸附到BiSe纳米材料的表面,制备成BiSe@Neu纳米材料。X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)、X射线光电子能谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)结果表明成功合成BiSe,经过Neu修饰的BiSe@Neu未改变原有的晶格结构和价态。显微红外结果显示Neu成功吸附在BiSe的外层。动态光散射仪(Dynamic light scattering,DLS)结果显示BiSe和BiSe@Neu的水合粒径分别为33.7±3.3 nm和42.4±4.6 nm,Zeta电位分别为-3.9±1.7 m V和+8.3±2.1 m V,透射电子显微镜(Transmission electron microscopy,TEM)结果表明BiSe@Neu呈球形,粒径为10.6 nm。唾液酸酶活性检测结果表明,修饰在BiSe表面的唾液酸酶生物活性与游离唾液酸酶无显著性差异。其次,体外细胞毒性实验研究结果表明,未联合X-ray照射处理时,BiSe@Neu对MC38细胞的活性没有明显影响,即所合成的纳米材料生物安全性良好。ICP-MS实验结果表明,相比于BiSe组,唾液酸酶修饰的纳米材料BiSe@Neu在MC38癌细胞内的摄入量增多。细胞免疫荧光实验表明,在X-ray照射下,BiSe@Neu组能有效诱导ICD相关蛋白产生,促进肿瘤相关抗原释放。蛋白质组学分析表明,X-ray照射后BiSe@Neu组较BiSe组产生差异蛋白,KEGG功能富集分析显示这些差异蛋白的功能主要富集在抗原加工与递呈通路,进一步验证肿瘤相关抗原的释放、免疫识别和递呈。Neu的修饰不仅切割肿瘤相关抗原表面的唾液酸,使得抗原更容易被免疫细胞识别,同时增强肿瘤部位放疗增敏剂的蓄积,提升放疗诱导的ICD效应。流式分析结果表明,BiSe@Neu组诱导产生的ICD相关蛋白能有效刺激BMDC成熟。ELISA分析表明,用BiSe@Neu+X-ray联合处理的MC38细胞上清孵育BMDC后,抗肿瘤相关炎症因子分泌水平显著提升。第三,体内药效学和代谢分布研究结果表明,Neu的修饰使得BiSe可以切割肿瘤细胞表面的唾液酸;放疗增敏剂BiSe@Neu显著提升放疗诱导的肿瘤相关抗原的递呈效率,促进T细胞介导的肿瘤杀伤效应。体内代谢分布研究表明,材料主要经肝肾途径代谢。体内安全性评价结果表明此治疗方案具有良好的生物相容性。综上所述,本论文制备的纳米放疗增敏剂BiSe@Neu能够切割肿瘤细胞过表达的唾液酸,一方面,使更多铋元素蓄积在肿瘤部位,在X-ray作用下有效诱发ICD,激活免疫系统;另一方面,唾液酸酶的切割暴露了原位ICD产生的肿瘤相关抗原位点,进一步增强免疫效应,抑制结直肠癌生长。

关键词：结直肠癌纳米放疗增敏剂唾液酸免疫原性细胞死亡肿瘤相关抗原

压力下屏蔽及极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响

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压力下屏蔽及极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响

作者：温淑敏内蒙古大学

学位级别：硕士

本文考虑压力及准二维电子气对杂质库仑势屏蔽的影响，计及各向同性电子有效质量，材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化，利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级。对GaAs／AlGaAs量子阱中的杂质态结合能进行了数值... 详细信息

本文考虑压力及准二维电子气对杂质库仑势屏蔽的影响，计及各向同性电子有效质量，材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化，利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级。对GaAs／AlGaAs量子阱中的杂质态结合能进行了数值计算，给出结合能随铝组份，阱宽和压力的变化关系，并讨论了有无屏蔽时的区别。结果显示，屏蔽效应随压力而增加，且显著降低杂质态的结合能。计算结果表明，杂质态结合能随压力明显增大。一方面，屏蔽使结合能明显下降，另一方面，屏蔽使结合能对压力的敏感程度降低。结合能在有、无屏蔽时均随阱宽的增加先增后减，在中间阱宽时出现极值，屏蔽使极值峰更为尖锐，在宽阱和窄阱时，屏蔽的影响更加明显。在铝组份取0≤x≤0.4的范围内，结合能随铝组份单调非线性增加，屏蔽效应使结合能降低，其变化趋势大致与无屏蔽时一致。进而，考虑压力及屏蔽效应，同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用，利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用，讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响。结果表明，极化子效应使杂质态结合能明显降低，但压力使极化子效应减弱，屏蔽对极化子效应的影响不明显。

关键词：量子阱屏蔽压力杂质态结合能极化子效应

压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

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Journal of Semiconductors 2006年第1期27卷 63-67页

作者：温淑敏班士良内蒙古大学理工学院物理系集宁师范高等专科学校乌兰察布012000

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝... 详细信息

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.

关键词：量子阱屏蔽压力杂质态结合能

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硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性

发光学报 2016年第10期37卷 1177-1181页

作者：温淑敏赵春旺王细军李继军侯清玉内蒙古工业大学理学院内蒙古呼和浩特010051 上海海事大学文理学院上海201306 乌兰察布广播电视台内蒙古集宁012000

为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜。将生长后的样品分成两部分,其中一部分进行了退火处理。对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的... 详细信息

为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜。将生长后的样品分成两部分,其中一部分进行了退火处理。对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的X射线双晶衍射摇摆曲线,用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱,并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数。结果表明,退火后的薄膜质量明显提高。退火后大部分区域吸收增大,透射率明显减小,615~3 730 cm-1区间的透射率均比退火前降低了20%以上。退火后的体载流子浓度增大到退火前的23.26倍,迁移率增大到退火前的27.82倍。

关键词：硅基锗薄膜红外吸收谱载流子浓度迁移率电导率

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应变量子阱中杂质态结合能的压力效应

功能材料 2010年第A01期41卷 97-100,104页

作者：温淑敏赵春旺王细军内蒙古工业大学理学院物理系内蒙古呼和浩特010051 内蒙古乌兰察布电视台内蒙古集宁012000

对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压... 详细信息

对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压力呈线性变化。由简化相干势近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中Al组分对杂质态结合能的影响。结果表明,在阱宽和压力固定时,当Al组分增加时杂质态结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著。Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大。

关键词： GaN-AlxGa1-xN量子阱杂质态结合能压力应变

Ge_(64-x)C_(x)合金的能带结构和光学性质的第一性原理计算

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原子与分子物理学报 2023年第2期40卷 158-164页

作者：张团龙李琳温淑敏内蒙古工业大学理学院呼和浩特010051

基于第一性原理密度泛函理论(DFT),广义梯度近似下的GGA+U方法,计算了Ge_(64-x)C_(x)(x=0~3)合金体系的能带结构和光学性质.计算结果显示,纯Ge的带隙宽度数值与实验值相符,为0.732 eV.在本文所研究的C浓度范围内Ge_(64-x)C_(x)(x=1~3)... 详细信息

基于第一性原理密度泛函理论(DFT),广义梯度近似下的GGA+U方法,计算了Ge_(64-x)C_(x)(x=0~3)合金体系的能带结构和光学性质.计算结果显示,纯Ge的带隙宽度数值与实验值相符,为0.732 eV.在本文所研究的C浓度范围内Ge_(64-x)C_(x)(x=1~3)均转变成直接带隙,带隙随C原子的增加逐渐减小.光学性质的计算结果表明,C原子引入对所有的光学性质均产生影响,随着C浓度的增加Ge_(64-x)C_(x)合金的静态介电常数增大,在近红外区的吸收系数增大,且吸收光谱红移,对于Ge_(61)C_(3)吸收边延伸至中红外区.C原子掺杂使体系对光的利用率增强,Ge_(64-x)C_(x)合金的载流子寿命和光催化能力也随C浓度的变化而变化.Ge_(64-x)C_(x)合金有希望成为在近红外、中红外区域的光学材料.

关键词： Ge_(64-x)C_(x) 第一性原理能带结构光学性质

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