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双频段低噪声放大器的设计
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电子器件 2010年 第5期33卷 582-586页
作者： 谢红云 王文军 张万荣 沈珮 丁春宝 尤云霞 孙博韬 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京100022 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹... 详细信息
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具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
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2007年全国微波毫米波会议
作者： 沈珮 张万荣 谢红云 金冬月 邱建军 王扬 何莉剑 张蔚 沙永萍 李佳 甘军宁 北京工业大学电子信息与工程控制学院
本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加,I逐渐减少,电流处理能力减弱.分析认为... 详细信息
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Cascode射频有源电感的设计
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电子器件 2011年 第1期34卷 40-43页
作者： 尤云霞 张万荣 金冬月 谢红云 沈珮 丁春宝 孙博韬 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京100124
基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分... 详细信息
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基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
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电子器件 2010年 第4期33卷 424-427页
作者： 尤云霞 张万荣 金冬月 谢红云 沈珮 陈亮 丁春宝 孙博韬 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京100124
基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带... 详细信息
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采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计
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电子器件 2010年 第4期33卷 456-459页
作者： 孙博韬 张万荣 谢红云 陈亮 沈珮 黄毅文 尤云霞 王任卿 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京100124
宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配。通常,这两个指标是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度。提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路... 详细信息
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