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ZnS0.8Se0.2 film for high resolution liquid crystal light valve

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Journal of Zhejiang University Science 2004年第2期5卷 212-217页

作者：沈大可韩高荣杜丕一阙端麟 SOUI.K StateKeyLaboratoryofSiliconMaterialScience ZhejiangUniversityHangzhou310027China DepartmentofPhysics HongKongUniversityofScienceandTechnologyHongKongChina

The structural characteristics and optical and electrical properties of molecular-beam-epitaxy (MBE) grown ZnS0.8Se0.2 thin films on indium-tin-oxide (ITO) glass substrates were investigated in this work. The X-ray diffraction (XRD) results indicated that high quality polycrystalline ZnS0.8Se0.2 thin film grown at the optimized temperature had a preferred orientation along the (111) planes. The transmission electron microscopy (TEM) cross-sectional micrograph of the sample showed a well defined columnar structure with lateral crystal dimension in the order of a few hundred angstroms. Ultraviolet(UV) photoresponsivity as high as 0.01 A/W had been demonstrated and for wavelengths longer than 450 nm, the response was down from the peak response by more than 3 orders of magnitude. The thin ZnS0.8Se0,2 photosensor layer, with a wide energy gap and anisotropic electrical property, makes a transmission UV liquid crystal light valve (LCLV) with high resolution feasible.

关键词： UV LCLV Transmission mode Polycrystalline ZnS0.8Se0.2 thin film MBE

分子束外延生长液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究

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真空科学与技术 2002年第6期22卷 403-407页

作者：沈大可 Sou.I.K 韩高荣杜丕一阙端林浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 香港科技大学物理系

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应... 详细信息

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。

关键词：分子束外延生长紫外液晶光阀 ZnSxSe1-x薄膜 ITO导电玻璃光电特性空间光调制器硒硫化锌半导体薄膜

Polycrystalline ZnSx Se1—x thin films deposited on ITO glass by MBE

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Journal of Zhejiang University Science 2003年第2期4卷 131-135页

作者：沈大可 SOUI.K. 韩高荣杜丕一阙端麟 DepartmentofPhysics HongKongUniversityofScienceandTechnologyHongKongChina StateKeyLaboratoryofSiliconMaterialScience ZhejiangUniversityHangzhou310027China

MBE growth of ZnS_xSe_1-x thin films on ITO coated glass substrate s were carried o ut using ZnS and Se sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃. The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-gro wn polycrystalline ZnS_xSe_1-x thin films had a preferred orientat ion along the (1 11) planes. The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD laye r peaks showed strong growth temperature dependence, with the optimized temperat ure being about 290℃. Both AFM and TEM measurements of these thin films also in dicated a similar growth temperature dependence. High quality ZnS_xSe_1- x thin fil m grown at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS v alue of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined column ar structure.

关键词： MBE(molecular beam epitaxy) Polycrystalline ZnS_xS e_1-x thin film ITO glass Structural characterizations

High-Responsivity ZnS Schottky Barrier Photodiode Array for Ultraviolet Imaging

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Journal of Semiconductors 2002年第8期23卷 892-896页

作者：沈大可韩高荣 S.Y.Au 葛惟昆 I.K.Sou 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 香港科技大学物理系

A different approach,using the molecular beam epitaxy (MBE)-grown ZnS-based Schottky photodiode technology,is applied to fabricate an 8×8 photodiode *** micro-processing procedures of this photodiode array including standard photolithography,a number of metallisation,wet-chemical etching and SiO_2 deposition for insulation are *** detector is characterized to have a cutoff wavelength at 340 nm and the photo-responsivity measurements on the pixels result an ultraviolet (UV) response as high as 0.15 A/W,corresponding to an external quantum efficiency of 55% in the visible-blind spectral ranging from 400 down to *** tests indicate that this array is able to capture the intensity profile of a given UV light source with reasonably good capability.

关键词： ZnS-based Schottky barrier photodiode array MBE high-responsivity

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燃用液化石油气提高发动机压缩比的初步探讨

小型内燃机与车辆技术 1987年第2期 30-34页

作者：刘世贤郑万青金晖沈大可航天工业部浙江大学

1.前言自出现世界性的石油危机以来,提高发动机的经济性、降低燃料消耗已成为内燃机研究、使用中最首要的课题之一。在影响内燃机经济性的众多结构参数中,压缩比特别重要,它直接影响热效率、充量更换、混合气形成及燃烧过程本身。从热... 详细信息

1.前言自出现世界性的石油危机以来,提高发动机的经济性、降低燃料消耗已成为内燃机研究、使用中最首要的课题之一。在影响内燃机经济性的众多结构参数中,压缩比特别重要,它直接影响热效率、充量更换、混合气形成及燃烧过程本身。从热力学的分析可知,提高压缩比可使压缩终了的温度和压力升高,扩大循环温差,使工质获得较大的膨胀比,并提高循

关键词：压缩比内燃机动力性火花点火供给装置压力比热力发动机牵引性能液化石油气天然气液化气气缸盖气缸头

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全球弱热带气旋在过去30年显著增强

中国科学：地球科学 2024年第2期54卷 659-660页

作者：陈大可自然资源部第二海洋研究所卫星海洋环境动力学实验室杭州310012 南方海洋科学与工程广东省实验室(珠海) 珠海519000

热带气旋对气候变化的响应是当前海洋与大气研究的热点问题.理论和模拟结果一致表明,热带气旋的强度会随着海温升高而增强(Emanuel,1987;Knutson和Tuleya,2004).然而现有的观测数据存在相当大的误差,无法令人信服地确定全球热带气旋是... 详细信息

热带气旋对气候变化的响应是当前海洋与大气研究的热点问题.理论和模拟结果一致表明,热带气旋的强度会随着海温升高而增强(Emanuel,1987;Knutson和Tuleya,2004).然而现有的观测数据存在相当大的误差,无法令人信服地确定全球热带气旋是否在过去几十年间显著增强(Landsea,2005;Pielke,2005).近期Nature刊发了Wang等(2022)的研究论文“Ocean currents show global intensification of weak tropical cyclones”,提出了有趣的新发现.该文作者通过集成全球海表漂流浮标数据,创新性地从海洋表层流场反演气旋风场,在此基础上研究和估算了全球弱热带气旋在过去30年的变化趋势.

关键词：热带气旋海洋表层流场对气候变化的响应浮标数据

液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究(英文)

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功能材料与器件学报 2002年第4期8卷 335-340页

作者：沈大可韩高荣杜丕一 ZHANG X.X. SOU I.K. 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 香港科技大学物理系

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜。室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可... 详细信息

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜。室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103。薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω·cm的暗电阻率。频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求。

关键词：分子束外延 ZnSSe薄膜光电特性液晶光阀

公司治理机构如何应对ESG带来的挑战?——以欧盟和德国经验为镜鉴

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德国研究 2024年第3期39卷 60-78+149-150页

作者：杨大可同济大学法学院同济大学中德（国际）经济法研究所同济大学德国研究中心

环境、社会和公司治理(Environmental, Social and Governance,简称ESG)和可持续公司治理理念给全球公司的治理机构带来新的挑战。对此，域外立法表现迥异。相较于美国等“保守派”,欧盟和德国已开展一系列“激进”的立法活动，希望强... 详细信息

环境、社会和公司治理(Environmental, Social and Governance,简称ESG)和可持续公司治理理念给全球公司的治理机构带来新的挑战。对此，域外立法表现迥异。相较于美国等“保守派”,欧盟和德国已开展一系列“激进”的立法活动，希望强制要求经营管理机构将ESG事项纳入其商业决策考量，监督机构的职责亦相应发生变化。ESG事项所涉极广，我国在将其纳入公司治理要求时需做“精细化处理”。密切关注欧盟和德国的相关立法动态，细致考察ESG事项的不同定位给公司治理机构(董/监事会)的职责带来的具体影响，可辅助我国立法者寻得ESG事项角色定位的“黄金分割点”。

关键词： ESG 可持续公司治理欧盟指令/条例董/监事会职责

ZnS0.8Se0.2 film for high resolution liquid crystal light valve

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Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering) 2004年第2期5卷 84-89页

作者：沈大可韩高荣杜丕一阙端麟 SOUI.K State Key Laboratory of Silicon Material Science Zhejiang UniversityState Key Laboratory of Silicon Material Science Zhejiang University Hangzhou 310027 China State Key Laboratory of Silicon Material Science Zhejiang University Hangzhou 310027 China State Key Laboratory of Silicon Material Science Zhejiang University Hangzhou 310027 China Department of Physics Hong Kong University of Science and Technology Hangzhou 310027 China Department of Physics Hong Kong University of Science and Technology Hong Kong China Hong Kong China

The structural characteristics and optical and electrical properties of molecular-beam-epitaxy (MBE) grown ZnS0.8Se0.2 thin films on indium-tin-oxide (ITO) glass substrates were investigated in this work. The X-ray diffraction (XRD) results indicated that high quality polycrystalline ZnS0.8Se0.2 thin film grown at the optimized temperature had a preferred orientation along the (111) planes. The transmission electron microscopy (TEM) cross-sectional micrograph of the sample showed a well defined columnar structure with lateral crystal dimension in the order of a few hundred angstroms. Ultraviolet (UV) photoresponsivity as high as 0.01 A/W had been demonstrated and for wavelengths longer than 450 nm, the response was down from the peak response by more than 3 orders of magnitude. The thin ZnS0.8Se0.2 photosensor layer, with a wide energy gap and anisotropic electrical property, makes a transmission UV liquid crystal light valve (LCLV) with high reso-lution feasible.

关键词： UV LCLV Transmission mode Polycrystalline ZnS0.8Se0.2 thin film MBE