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栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管

电子学报 1995年第8期23卷 15-19页

作者：蒋建飞汤玉生蔡琪玉上海交通大学微电子学研究所

本文提出了栅控超导临界温度Ｔ_ｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔ_ｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。

关键词：高温氧化物超导体栅控场效应晶体管

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超导磁通流晶体管的研究进展

固体电子学研究与进展 1995年第3期15卷 261-268页

作者：汤玉生蔡琪玉蒋建飞上海交通大学微电子技术所

对超导磁通流晶体管的结构、原理、特性及与高Ｔｃ材料的适应性和应用状况作了简要的评述。

关键词：超导磁通流晶体管超导微电子学

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MOS器件热载流子效应的测试方法

西安电子科技大学学报 1997年第4期24卷 509-514页

作者：张卫东汤玉生郝跃西安电子科技大学微电子所上海交通大学

对当前ＭＯＳ器件中应用广泛的两种热载流子效应测试方法及其应用进行了详细论述．

关键词： MOSFET 热载流子测试 VLSI

超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路

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电子学报 1996年第8期24卷 6-9页

作者：蒋建飞蔡琪玉周正利汤玉生上海交通大学微电子技术研究所

本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础．

关键词：统一Y参数小信号等效电路超导场效应器件

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钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真

固体电子学研究与进展 2003年第1期23卷 89-95页

作者：曹亚明汤玉生上海交通大学微电子技术研究所 200030

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE... 详细信息

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE子电路模型 (库 ) ;并利用该模型对由钟控 Neu MOS晶体管构建的电路进行了实时模拟 ,模拟结果与电路特性的实测结果有很好的吻合 ,因此可证明建立的子电路模型 (库 )可用于钟控 Neu MOS晶体管电路的设计和模拟验证。

关键词：神经MOS晶体管建模电路仿真神经金属-氧化物-半导体晶体管钟控神经晶体管子电路模型模拟行为建模功能浮栅电势

一种基于亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器

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微电子学 1998年第6期28卷 421-425页

作者：管慧汤玉生上海交通大学微电子技术研究所

讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于... 详细信息

讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于±０．０８Ｖ时，非线性误差小于１％；－３ｄＢ带宽约为３４０ｋＨｚ，静态功耗小于１μＷ。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中，特别适于在神经网络系统中的应用。

关键词： CMOS 模拟乘法器 MOSFET 模拟集成电路

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一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管

固体电子学研究与进展 2003年第1期23卷 23-26,34页

作者：曹亚明汤玉生上海交通大学微电子技术研究所 200030

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮... 详细信息

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮栅。理论分析和采用自建的 PSPICE子电路模型进行的模拟分析表明 ,通过传输门接入浮栅的多种控制电平的不同组合可以对器件的阈值进行有效地控制。由于新结构可以消除热载流子注入对其可靠性的影响和具有相对高的速度 ,因此 ,它是一种具有较大潜力的 SOC(片上系统 )单元器件。

关键词：神经MOS晶体管神经金属氧化物半导体晶体管

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一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

Journal of Semiconductors 1989年第2期10卷 158-160页

作者：汤玉生蒋建飞上海交通大学LSI微细加工研究所

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向... 详细信息

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.

关键词：垂直硅墙亚微米刻蚀选择性

动态应力下MOSFET的热载流子效应与可靠性

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固体电子学研究与进展 1998年第4期18卷 399-407页

作者：张卫东汤玉生郝跃西安电子科技大学微电子研究所710071 上海交通大学微电子研究所200030

叙述了动态应力下MOS器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前MOS电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了详细论述,为动态应力下CMOS电路热载流子可靠性研究奠定了基础。还对动态应力热载流子可靠性的准静态表... 详细信息

叙述了动态应力下MOS器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前MOS电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了详细论述,为动态应力下CMOS电路热载流子可靠性研究奠定了基础。还对动态应力热载流子可靠性的准静态表征方法进行了讨论。

关键词：热载流子可靠性退化动态应力模型 MOSFET