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多步热处理对未掺杂LEC　SI-GaAs特性的影响

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固体电子学研究与进展 1996年第1期16卷 64-67页

作者：李光平汝琼娜李静杨瑞霞天津电子材料研究所河北工学院

对未掺杂ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及Ａｓ沉淀的影响。

关键词：多步热处理半绝缘砷化镓沉淀

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半导体硅特性显微FTIR测量技术研究

半导体技术 1994年第3期10卷 43-45页

作者：李光平汝琼娜李静何秀坤天津电子部第四十六研究所

本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近... 详细信息

本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。

关键词：半导体材料硅测量显微镜

红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究

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Journal of Semiconductors 1992年第9期13卷 573-578页

作者：何秀坤王琴李光平阎萍汝琼娜李晓波天津电子材料研究所天津300192

本文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10^(21)λ_c^(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10^(20)λ_... 详细信息

本文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10^(21)λ_c^(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10^(20)λ_c^(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10^(17)≤N≤2.0 ×10^(19)cm^(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.

关键词：半导体载流子浓度化合物光谱

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掺杂GaAs中杂质缺陷的研究

稀有金属 1991年第1期15卷 34-37,21页

作者：王琴阎萍何秀坤李光平汝琼娜李晓波机械电子工业部第四十六研究所

本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测... 详细信息

本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测量结果与理论计算结果进行了对比研究。

关键词：砷化镓掺杂杂质缺陷

硅中碳含量的低温红外光谱测量和碳带的温度特性

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Journal of Semiconductors 1992年第11期13卷 704-708页

作者：何秀坤王琴李光平阎萍汝琼娜李晓波天津电子材料研究所天津300192

本文报告了硅单晶中替位碳红外吸收带温度特性和光谱分辨率对碳带特征参数影响的研究结果.在 80～310K温度范围,碳带半宽度随测量温度降低而线性减小,吸收系数和峰位分别随温度下降而线性增加和有规律地向高频方向移动;液氮温度时碳带... 详细信息

本文报告了硅单晶中替位碳红外吸收带温度特性和光谱分辨率对碳带特征参数影响的研究结果.在 80～310K温度范围,碳带半宽度随测量温度降低而线性减小,吸收系数和峰位分别随温度下降而线性增加和有规律地向高频方向移动;液氮温度时碳带吸收系数较室温增加一倍;低于液氮温度时碳带特征参数不随测量温度而变.不同光谱分辨率(1-4cm^(-1))测量结果表明:碳带吸收系数和半宽度分别随光谱分辨率提高增加和减小.室温和液氮温度碳含量的定量测量,光谱分辨率分别以2cm^(-1)和1cm^(-1)为宜.

关键词：硅碳含量红外光谱

Determination of Substitutional Carbon in SI-GaAs Thin Wafers by Infrared Microscope

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Rare Metals 1993年第4期12卷 284-287页

作者：何秀坤王琴汝琼娜李光平 Tianjin Electronic Materials Research Institute P.O.Box 55Tianjin 300192China

Determination of substitutional carbon in SI-GaAs thin wafers was investigated by FT-IR microscope at room temperature for the first time. The experimental results showed that the carbon concentration in GaAs thin wafers can be measured directly with simple treatment. The calculation method of carbon concentration is in agreement with that for normal IR spectrum with 0.5cm-1 resolution. The resolution of 1cm-1 can be taken in order to obtain a high signal-to-noise (S/N) ratio using 2.34×1016 cm-2 calibration factor for calculating carbon concentration at room temperature.

关键词： Carbon Composition Crystals Infrared instruments Microscopes

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半导体材料测量技术的新进展

半导体材料测量技术的新进展

中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会

作者：华庆恒汝琼娜信息产业部电子第四十六研究所

半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用,它是微电子技术、光电子技术、超导电子技术及真空电子技术的基础,只有在完美和新颖的材料基础上才会产生新的器件。半导体材料的生长正向着膜层的超薄化;结构区域... 详细信息

半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用,它是微电子技术、光电子技术、超导电子技术及真空电子技术的基础,只有在完美和新颖的材料基础上才会产生新的器件。半导体材料的生长正向着膜层的超薄化;结构区域选择的微细化和组份的多元化发展,以适应新型量子化功能器件的设计和制作。隋着半导体材料的迅速发展,对半导体材料的的分析技术和测试手段提出了更高的要求,本文主要介绍了目前国内外半导体材料测试方面的新技术、新进展。

关键词：半导体材料测量

来源： cnki会议评论

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热处理对半绝缘GaAs特性的影响

半导体杂志 1993年第2期18卷 26-29页

作者：汝琼娜李光平

SI—GaAs中E12浓度微区分布的自动测量

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半导体杂志 1993年第4期18卷 12-16页

作者：李光平汝琼娜