检索结果-南通市图书馆

应用于2.45GHz半有源标签的低中频正交混频器

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微波学报 2015年第2期31卷 63-66,71页

作者：李志才毛陆虹天津大学电子信息工程学院天津300072

设计了一款用于2.45GHz半有源标签的低中频正交下变频混频器。该混频器采用UMC 0.18μm标准CMOS技术设计和流片,改进了经典的Gilbert结构,并分别采用共跨导正交结构、电流注入结构和正交跨导结构来提高增益、减小噪声和改善线性度。测... 详细信息

设计了一款用于2.45GHz半有源标签的低中频正交下变频混频器。该混频器采用UMC 0.18μm标准CMOS技术设计和流片,改进了经典的Gilbert结构,并分别采用共跨导正交结构、电流注入结构和正交跨导结构来提高增益、减小噪声和改善线性度。测试结果表明,论文设计的混频器在1.8V工作电压下消耗电流2.25m A,增益是15d B,三阶交调点为2d Bm,在2MHz中频下的噪声系数是14.8d B,所占面积为1.024mm×1.096mm。

关键词：电流注入结构下变频混频器正交跨导结构 2.45GHz半有源标签共跨导正交结构

基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

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传感技术学报 2013年第4期26卷 590-594页

作者：韩聃张世林毛陆虹谢生天津大学电子信息工程学院天津300072

基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种... 详细信息

基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30μA,储能电容为1μF时,一个周期可达到大于20 ms的供电时间,输出电压1.8 V,电源管理系统的静态电流小于1.5μA。

关键词：微电源管理 CMOS 片上集成太阳能电池

无源超高频RFID标签芯片的超低功耗数字基带电路的设计与实现

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高技术通讯 2012年第6期22卷 663-668页

作者：徐凯毛陆虹王峥王强陈力颖谢生张世林天津大学电子信息工程学院天津300072

依据EPCC1G2协议设计了一种用于无源UHF射频识别RFID标签芯片的数字基带电路，在完成协议规定功能的前提下实现了系统的低功耗。通过引入系统时钟规划、状态优化编码、全局钟控、异步计数器、门级功耗优化与操作数隔离等多种低功耗技术... 详细信息

依据EPCC1G2协议设计了一种用于无源UHF射频识别RFID标签芯片的数字基带电路，在完成协议规定功能的前提下实现了系统的低功耗。通过引入系统时钟规划、状态优化编码、全局钟控、异步计数器、门级功耗优化与操作数隔离等多种低功耗技术，设计最终功耗为13．81μW。为更好地实现系统的防冲突，采用了一种基于振荡器采样的真实随机数产生器，整个随机数产生电路功耗控制在21μW以内。设计采用Chartered0．18μm 艺实现，数字电路面积为482μm×480μm，芯片测试结果与仿真结果基本符合。

关键词：超高频RFID 标签芯片数字基带电路低功耗随机数产生器

一种用于光电标签的高电源抑制比的低压差线性稳压器设计

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南开大学学报（自然科学版） 2018年第1期51卷 44-49页

作者：秦国轩靳萌萌毛陆虹天津大学电子信息工程学院天津300072

高电源抑制比低压差线性稳压器(LDO)采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺进行流片,电路中采用偏置电流提升技术、偏置复用等技术来降低LDO的功耗.为保证LDO的稳定性,电路采用密勒补偿技术增强系统的相位裕度.同时,采用前馈结构来提高在低静态... 详细信息

高电源抑制比低压差线性稳压器(LDO)采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺进行流片,电路中采用偏置电流提升技术、偏置复用等技术来降低LDO的功耗.为保证LDO的稳定性,电路采用密勒补偿技术增强系统的相位裕度.同时,采用前馈结构来提高在低静态电流时LDO的瞬态响应.输入电压为光电池所提供的2 V电压,输出电压为1.8 V,该稳压器的最大负载电流约为13 m A.当负载电流为2 m A时,电源抑制比约为-67d B,其带宽在6 k Hz左右.稳压器的静态电流约为32.2μA,芯片面积为320×224μm^2.

关键词：带隙基准低功耗电源抑制比频率补偿

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一种新的8B／10B编解码硬件设计方法

高技术通讯 2005年第3期15卷 48-52页

作者：贺传峰戴居丰毛陆虹天津大学电子信息工程学院光纤通信研究所天津300072

在深入研究了8B/10B编码规则及其内在相关性的基础上,提出了一种新的8B/10B编、解码方法,该方法综合了查表法和逻辑运算法的优点,具有运算量小、编解码同步好、速度快、可靠性高等优点.用Verilog HDL语言实现编解码算法的描述,并通过高... 详细信息

在深入研究了8B/10B编码规则及其内在相关性的基础上,提出了一种新的8B/10B编、解码方法,该方法综合了查表法和逻辑运算法的优点,具有运算量小、编解码同步好、速度快、可靠性高等优点.用Verilog HDL语言实现编解码算法的描述,并通过高性能的FPGA器件进行仿真和综合,实现了具体的硬件电路,并验证了设计方法的有效性和可行性.

关键词：编解码 HDL语言硬件设计同步 FPGA器件查表法算法 8B/10B 逻辑运算硬件电路

集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器

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传感技术学报 2014年第5期27卷 581-586页

作者：李勃毛陆虹张世林谢生战金雷天津大学电子信息工程学院天津300072

针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现... 详细信息

针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现了宽温度测量。仿真结果表明：当温度范围在-75℃-125℃时,温度脉冲宽度变化近220μs,标签芯片供电电压为1.5V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为200 nW,温度传感器精度为0.45℃/LSB。测试结果：在-5℃~45℃范围内进行测试,温度传感器精度为0.48℃/LSB,其中在室温25℃左右振荡器频率2.087 MHz,脉冲宽度大约110μs,异步计数器显示为011011000。

关键词：无源RFID 温度传感器宽温测范围新型温度补偿性振荡器

条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析

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发光学报 2010年第3期31卷 369-372页

作者：杨广华毛陆虹黄春红王伟郭维廉天津大学电子信息工程学院天津300072 天津工业大学信息与通信工程学院天津300161 中国科学院半导体所北京100083

采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功... 详细信息

采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量。SiLED的正向偏置时开启电压为0.9V,反向偏置时在15V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时,10V,100mA电流下所得输出光功率为12.6nW,发光峰值在758nm处。

关键词：硅发光器件标准CMOS工艺

集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器

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传感技术学报 2012年第4期25卷 462-467页

作者：王倩毛陆虹张欢张世林谢生天津大学电子信息工程学院天津300072

提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,... 详细信息

提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃～50℃范围内,脉冲周期从1.841μs～0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。

关键词：无源RFID 温度传感器高分辨率 CMOS工艺

集成于无源UHFRFID标签的超低功耗CMOS温度传感器

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传感技术学报 2013年第7期26卷 940-945页

作者：周诗伟毛陆虹王倩张世林谢生天津大学电子信息工程学院天津300072

本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的超低功耗CMOS温度传感器。考虑到功耗是影响标签使用的第一要素。本文结构复用标签内部电路产生的电流作为温度转换模块的偏置电流,同时采用标签内部振荡器产生的信号作为传感器计数器的时钟信号... 详细信息

本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的超低功耗CMOS温度传感器。考虑到功耗是影响标签使用的第一要素。本文结构复用标签内部电路产生的电流作为温度转换模块的偏置电流,同时采用标签内部振荡器产生的信号作为传感器计数器的时钟信号,有效降低了功耗。本文设计采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS,仿真结果表明:电源电压为1.5 V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为100 nW;当温度在-20℃～80℃变化时,温度传感器分辨率为0.4℃/LSB。

关键词：无源RFID 温度传感器超低功耗 CMOS工艺