检索结果-南通市图书馆

基于肖特基栅共振隧穿三极管的器件模拟与实验分析(英文)

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Journal of Semiconductors 2008年第6期29卷 1062-1065页

作者：宋瑞良毛陆虹郭维廉余长亮天津大学电子信息工程学院天津300072

通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT) .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压会主要影响峰值电压,其原因是栅极电压和发射极、集电极... 详细信息

通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT) .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压会主要影响峰值电压,其原因是栅极电压和发射极、集电极的电场分布将会改变耗尽区的分布.实验测试结果对这种现象也予以证实.

关键词：肖特基栅共振隧穿三极管器件模拟耗尽区

应用于UHF RFID标签的低功耗真随机数发生器

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电路与系统学报 2010年第4期15卷 120-124,85页

作者：李蕾毛陆虹黄晓综陈力颖天津大学电子信息工程学院天津300072 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院辽宁葫芦岛125105 南开大学微电子学研究所天津300457

设计了一种基于振荡采样法的真随机数发生器。针对UHF RFID标签芯片功耗低、面积小的特点,利用简单有效的电路结构增强发生器的随机性。采用频率受控的被采样数据振荡器与采样时钟异或后形成初步随机数,并增加异或链输出负反馈结构,有... 详细信息

设计了一种基于振荡采样法的真随机数发生器。针对UHF RFID标签芯片功耗低、面积小的特点,利用简单有效的电路结构增强发生器的随机性。采用频率受控的被采样数据振荡器与采样时钟异或后形成初步随机数,并增加异或链输出负反馈结构,有效提高了输出序列中"0""1"分布的均匀性,降低了序列的自相关性。标签采用SMIC 0.18μm RF CMOS工艺设计并流片,采样时钟为2MHz,总工作电流少于2μA。

关键词： RFID标签真随机数发生器异或链相关系数

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InP基UTC-PD的理论分析与模拟

科学通报 2009年第20期54卷 3092-3096页

作者：谢生刘丽飒亢文萍宋瑞良毛陆虹张世林天津大学电子与信息工程学院天津300072 南开大学物理学院天津300074

首先采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光电探测器(UTC-PD)的光电流响应.利用器件仿真器ATLAS建立了UTC-PD的器件模型,并对优化设计的InP/InGaAsPD的能带结构和性能参数作了二维模拟.模拟结果表明,光敏面为14μm×1μm、反偏电压为2V时... 详细信息

首先采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光电探测器(UTC-PD)的光电流响应.利用器件仿真器ATLAS建立了UTC-PD的器件模型,并对优化设计的InP/InGaAsPD的能带结构和性能参数作了二维模拟.模拟结果表明,光敏面为14μm×1μm、反偏电压为2V时,光电流响应的线性动态范围达60mW,响应度和?3dB带宽分别为0.16A/W和40GHz.当输入光脉冲宽度为10ps时,光电流响应的峰值达1.3mA,半峰全宽(FWHM)为28ps.

关键词：光电子学光电探测器单行载流子磷化铟器件模拟

10Gbit/s甚短距离传输系统接收模块研究

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电路与系统学报 2005年第4期10卷 66-70页

作者：毛陆虹贺传峰戴居丰陈弘达周毅陈雄斌天津大学电子信息工程学院天津300072 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

本文研究了符合OIF-VSR4-01.0规范的甚短距离(VSR)并行光传输系统转换器集成电路,实现了接收部分转换器集成电路中帧同步、8B/10B解码、12路通道去斜移、检错纠错等模块的设计。在Altera的StratixGX系列的FPGA上实现了接收部分转换器集... 详细信息

本文研究了符合OIF-VSR4-01.0规范的甚短距离(VSR)并行光传输系统转换器集成电路,实现了接收部分转换器集成电路中帧同步、8B/10B解码、12路通道去斜移、检错纠错等模块的设计。在Altera的StratixGX系列的FPGA上实现了接收部分转换器集成电路。仿真分析的结果表明所设计的各个模块能正确的实现接收部分转换器集成电路的功能,给出了仿真结果。

关键词：甚短距离传输转换器集成电路帧同步仿真分析

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基于多波束切换的便携式RFID阅读器设计

天津工业大学学报 2013年第1期32卷 52-56页

作者：张文锦李建雄毛陆虹天津工业大学电子与信息工程学院天津300387 天津大学电子信息工程学院天津300072

研究了一种基于多波束切换技术的便携式RFID阅读器，详细阐述了射频模块中各硬件部分的工作原理以及芯片参数的确定，给出了多波束天线系统的设计方案以及整个阅读器系统的设计方案．该阅读器工作频率的范围为860～960MHz，并且符合IS01... 详细信息

研究了一种基于多波束切换技术的便携式RFID阅读器，详细阐述了射频模块中各硬件部分的工作原理以及芯片参数的确定，给出了多波束天线系统的设计方案以及整个阅读器系统的设计方案．该阅读器工作频率的范围为860～960MHz，并且符合IS018000—6C（EPCGen2）标准．将多波束切换型智能天线系统应用于RFID系统中，经理论证明，可提高现有阅读器的最大识别距离、覆盖区域等性能．

关键词： RFID 阅读器多波束切换智能天线

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高响应度的NMOS型栅体互连光电探测器

天津大学学报（自然科学与工程技术版） 2019年第8期52卷 788-792页

作者：谢生王雪飞兰馗博毛陆虹董威锋丛佳孙邵凡天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津300072 天津大学电气自动化与信息工程学院天津300072

针对硅基光电探测响应度低的问题,设计了一款与标准CMOS工艺兼容的、可用于弱光探测的高响应度的NMOS型光电探测器(NMOS-PD).该探测器由栅体互连的NMOS管和T-well/N-well结光电二极管构成,利用光电二极管的光生伏特效应改变T阱电势,进... 详细信息

针对硅基光电探测响应度低的问题,设计了一款与标准CMOS工艺兼容的、可用于弱光探测的高响应度的NMOS型光电探测器(NMOS-PD).该探测器由栅体互连的NMOS管和T-well/N-well结光电二极管构成,利用光电二极管的光生伏特效应改变T阱电势,进而控制NMOS管的栅压和阈值电压,以此实现光信号的探测与倍增放大,故所设计光电探测器具有更高的光电流增益和更宽的动态范围.经理论模拟计算和优化设计,本文设计了总面积为20μm×20μm的NMOS-PD,选用整个T阱区作为光敏区域(16μm×16μm),以增加光的吸收量,所设计光电探测器经UMC 0.18μm CMOS工艺流片制备.测试结果表明,所设计探测器在400～700 nm波长范围内具有较好的响应度.采用630 nm LED作为光源,当输出光功率密度P_(opt)=5 mW/cm^2、漏源偏压V_(DS)=0.4 V时,NMOS-PD的响应度达到1 550 A/W,并实现了200 kHz的信号探测.尽管随着光强增大,光电探测器响应度逐渐降低,但整体上仍超过10~3A/W.与硅基CMOS工艺制备的传统光电探测器相比,所设计光电探测器结构不仅可在低压、低功耗下正常工作,且在弱光条件下具有极高的倍增放大能力,有望应用于弱光探测的图像传感领域.

关键词：光电探测器响应度弱光探测 CMOS 工艺

标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

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半导体技术 2003年第4期28卷 30-32,41页

作者：崔增文何山虎陈弘达毛陆虹高建玉兰州大学微电子研究所甘肃兰州730000 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。

关键词：高速模拟电路数模混合电路应用展望 CMOS工艺特征频率ft 单片系统SoC 价格多项目晶圆

与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析

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固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 202-206页

作者：齐海涛郭维廉张世林梁惠来毛陆虹天津大学电子信息工程学院天津300072

在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具... 详细信息

在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具有负阻、双稳、自锁等特性,同时与普通台面HBT工艺兼容,易于集成,是一种具有研究和应用价值的新型负阻器件。

关键词：负阻器件异质结双极晶体管电流峰谷比器件模拟

Progress in complementary metal–oxide–semiconductor silicon photonics and optoelectronic integrated circuits

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Journal of Semiconductors 2015年第12期36卷 1-13页

作者：陈弘达张赞黄北举毛陆虹张赞允 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Department of Electronics and Information Engineering Tianjin University School of Electronics and Information Engineering Tianjin Polytechnic University

Silicon photonics is an emerging competitive solution for next-generation scalable data communications in different application areas as high-speed data communication is constrained by electrical interconnects. Optical interconnects based on silicon photonics can be used in intra/inter-chip interconnects, board-to-board interconnects, short-reach communications in datacenters, supercomputers and long-haul optical transmissions. In this paper, we present an overview of recent progress in silicon optoelectronic devices and optoelectronic integrated circuits （OEICs） based on a complementary metal-oxide-semiconductor-compatible process, and focus on our research contributions. The silicon optoelectronic devices and OEICs show good characteristics, which are expected to benefit several application domains, including communication, sensing, computing and nonlinear systems.

关键词： silicon photonics silicon LED grating coupler silicon modulator optoelectronic integrated circuits