检索结果-南通市图书馆

电脑与信息技术 2009年第1期17卷 22-24页

作者：闫国英段平光河北大学物理学院河北保定071002

文章简要介绍了DCS系统结构及本系统中现场控制站的组成,重点阐述了该系统中网络通信任务的设计和实现过程,并给出了主要的程序代码。实测表明,程序运行稳定可靠,系统性能达到了设计要求。

关键词： DCS 现场控制站 Windows CE-NET 网络通信

利用Radon-Wigner变换的LFM信号检测性能分析

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河北大学学报（自然科学版） 2013年第1期33卷 90-95页

作者：许建忠孙红伟孙业岐段平光陈刚河北大学物理科学与技术学院河北保定071002 河北大学工商学院河北保定071002 北华航天工业学院河北廊坊065000

针对线性调频(LFM)信号的检测问题,通过利用LFM信号在时频平面上的能量聚集特性,采用Radon-Wigner变换(RWT)实现了LFM信号的检测,并对其检测性能进行了分析,得到了噪声背景下RWT输出的信噪比,进一步推导了高斯白噪声下的检测概率.仿真... 详细信息

针对线性调频(LFM)信号的检测问题,通过利用LFM信号在时频平面上的能量聚集特性,采用Radon-Wigner变换(RWT)实现了LFM信号的检测,并对其检测性能进行了分析,得到了噪声背景下RWT输出的信噪比,进一步推导了高斯白噪声下的检测概率.仿真实验证明了这种方法的有效性,且在低信噪比环境下有着较好的检测性能.

关键词：线性调频信号 Radon-Wigner变换检测性能检测概率

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ZnO基稀磁半导体的研究进展

河北大学学报（自然科学版） 2007年第3期27卷 332-336页

作者：蔡淑珍秦向东段平光李霞张玉梅河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

现在的信息技术主要利用电子的电荷自由度去处理和传输信息,利用电子的自旋自由度去存储信息.而稀磁半导体同时利用了电子的电荷属性和自旋属性进行信息处理和存储,使其成为了一类新型的半导体.稀磁半导体具有很多特殊的性质,在高密度... 详细信息

现在的信息技术主要利用电子的电荷自由度去处理和传输信息,利用电子的自旋自由度去存储信息.而稀磁半导体同时利用了电子的电荷属性和自旋属性进行信息处理和存储,使其成为了一类新型的半导体.稀磁半导体具有很多特殊的性质,在高密度存储器、半导体集成电路、半导体激光器和量子计算机等领域将会有广阔的应用前景.本文主要介绍了近年来世界各国研究小组采用不同方法合成的ZnO基稀磁半导体,对其磁性进行了系统研究,分析了铁磁性产生的机理.

关键词：氧化锌晶体稀磁半导体铁磁性

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基于USB通讯的控制系统设计方案

河北农业大学学报 2007年第4期30卷 102-104页

作者：蔡淑珍孙雪胡夕坤段平光王志军河北大学物理科学与技术学院河北保定071002 河北大学工商学院河北保定071002

本研究设计了一个基于通用串行总线(USB)的通讯控制系统。介绍了USB控制模块与单片机、PC机之间进行数据通讯的原理、特点及硬件的实现方法;阐述了通过USB接口实现对外界参数的数据采集分析及对多种外部设备控制的原理;对USB通讯软件的... 详细信息

本研究设计了一个基于通用串行总线(USB)的通讯控制系统。介绍了USB控制模块与单片机、PC机之间进行数据通讯的原理、特点及硬件的实现方法;阐述了通过USB接口实现对外界参数的数据采集分析及对多种外部设备控制的原理;对USB通讯软件的设计思想及编程方法进行了详细分析,并给出了USB接口驱动程序的开发工具及流程。

关键词： USB接口单片机数据通讯湿度传感器外部设备控制

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SAA4961在色亮分离电路中的应用

保定师范专科学校学报 2007年第2期20卷 56-57页

作者：蔡淑珍孙业歧段平光河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

SAA4961是飞利浦公司推出的一种NTSC/PAL制兼容的三行自适应梳状滤波器.其输出亮度信号不需要通常的色度陷波器,增加亮度信号的带宽,可以有效消除“色串亮”和“亮串色”等现象,大幅度提高彩电的清晰度.

关键词：动态数字式梳状滤波器相关性自适应

缓冲气体对激光烧蚀制备掺Er纳米Si晶薄膜结构特性的影响

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河北大学学报（自然科学版） 2007年第2期27卷 139-142页

作者：周阳刘云山褚立志段平光邓泽超庞学霞王英龙河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

采用XeCl脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1∶3,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶,在10 Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜.在氮气保护下,分别在1 000℃,1 050℃和1 100℃温度下进行30 min热退火处理.对所得样品的Raman谱测量证实,随... 详细信息

采用XeCl脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1∶3,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶,在10 Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜.在氮气保护下,分别在1 000℃,1 050℃和1 100℃温度下进行30 min热退火处理.对所得样品的Raman谱测量证实,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度提高;利用扫描电子显微镜观测了所制备的掺Er纳米Si晶薄膜的表面形貌,并与相同实验参数、真空环境下烧蚀并经热退火的结果进行了比较.结果表明,Ne气的引入,使形成轮廓明显的掺Er纳米Si晶粒的退火温度降低,有利于尺寸均匀的晶粒的形成.

关键词：掺Er纳米Si晶粒脉冲激光烧蚀 Raman谱表面形貌

Photoluminescence properties of solid-state Tb^(3+) doped NaY(MoO_4)_2

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Optoelectronics Letters 2014年第6期10卷 451-454页

作者：刘海燕张坤庞立斌高少杰高占军段平光张子才王志军 Industrial & Commercial College Hebei University Department of Foreign Language Teaching and Research Hebei University College of Physics Science & Technology Hebei University

A series of Tb3+ doped Na Y(Mo O4)2 are synthesized by a solid-state reaction at 550 °C for 4 h, and their luminescent properties are investigated. The phase formation is carried out with X-ray powder diffraction analysis, and there is no other crystalline phase except Na Y(Mo O4)2. Na Y(Mo O4)2:Tb3+ can produce the green emission under 290 nm radiation excitation, and the luminescence emission peak at 545 nm corresponds to the 5D4→7F5 transition of Tb3+. The emission intensity of Tb3+ in Na Y(Mo O4)2 is enhanced with the increase of Tb3+ concentration, and there is no concentration quenching effect. The phenomena are proved by the decay curves of Tb3+. Moreover, the Commission International de I'Eclairage(CIE) chromaticity coordinates of Na Y(Mo O4)2:Tb3+ locate in the green region.

关键词： Luminescence Solid state reactions