检索结果-南通市图书馆

ODS-Eurofer钢微观结构及辐照硬化研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子能科学技术 2019年第11期53卷 2233-2240页

作者：陈哲浩段丙皇蒙萱王铁山兰州大学核科学与技术学院

研究了ODS-Eurofer钢的微观结构及辐照硬化现象。首先用透射电子显微镜(TEM)观察了ODS-Eurofer钢的初始微观组织结构,发现基体中不仅存在几nm至几十nm的氧化物弥散颗粒,还存在具有壳-核结构的大尺寸(直径大于100nm)颗粒,并观察到纳米颗... 详细信息

研究了ODS-Eurofer钢的微观结构及辐照硬化现象。首先用透射电子显微镜(TEM)观察了ODS-Eurofer钢的初始微观组织结构,发现基体中不仅存在几nm至几十nm的氧化物弥散颗粒,还存在具有壳-核结构的大尺寸(直径大于100nm)颗粒,并观察到纳米颗粒对位错线的钉扎作用。随后用能量为5MeV的Fe2+离子在300℃和500℃下辐照样品至25dpa以模拟中子辐照,并用纳米压痕仪和TEM测试表征了辐照所致力学性能和微观结构的变化。结果表明,两种温度下辐照均引起硬度上升,500℃时由于辐照产生的点缺陷发生复合,导致硬化效应弱于300℃。用TEM观测辐照水平为25dpa的损伤层发现有少量纳米尺寸位错环,这些位错环是辐照硬化的主要原因。ODS-Eurofer钢初始微观结构对辐照硬化有重要影响,其中晶界、纳米颗粒与基体界面、位错线等能捕获辐照过程中产生的点缺陷,从而抑制辐照位错环的生长。

关键词： ODS-Eurofer钢辐照硬化微观结构纳米压痕测试

微处理器中子单粒子效应测试系统设计与试验研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子能科学技术 2022年第4期56卷 734-741页

作者：段丙皇杜川华朱小锋李悦陈泉佑中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999 中国科学院国家空间科学中心北京100190

为开展微处理器的空间大气中子单粒子效应研究,以一款TI公司65 nm CMOS工艺的微处理器为研究对象,研制了一套微处理器中子单粒子效应测试系统。该测试系统可实现对被测微处理器的单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子闩锁效应的实时监测... 详细信息

为开展微处理器的空间大气中子单粒子效应研究,以一款TI公司65 nm CMOS工艺的微处理器为研究对象,研制了一套微处理器中子单粒子效应测试系统。该测试系统可实现对被测微处理器的单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子闩锁效应的实时监测。利用加速器中子源,对该微处理器开展14 MeV中子辐照试验。试验结果表明,中子注量累积达3.5×10^(11)cm^(2)时,该器件未发生单粒子锁定效应。但总线通信、模数转换等功能模块发生了多次单粒子功能中断,其中集成总线通信接口模块为最敏感单位,试验获得的器件中子单粒子效应截面为6.6×10^(11)cm^(2)。

关键词：微处理器中子单粒子效应 14 MeV中子测试系统

维普期刊数据库博看期刊

同方期刊数据库

γ射线测距中散射光子影响因素的蒙特卡罗模拟

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子能科学技术 2021年第8期55卷 1472-1477页

作者：刘珉强李晨杜川华许献国朱小锋赵洪超段丙皇中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621000 同方威视技术股份有限公司北京100086

基于散射光子的γ射线测距技术,具有测距精度高、响应速度快、可靠性高、体积小、重量轻等特点,适用于在苛刻空间环境中实现近距离高精度的高度测量。本文采用蒙特卡罗程序MCNP建立模型,模拟不同条件下散射光子的能量、强度的变化规律,... 详细信息

基于散射光子的γ射线测距技术,具有测距精度高、响应速度快、可靠性高、体积小、重量轻等特点,适用于在苛刻空间环境中实现近距离高精度的高度测量。本文采用蒙特卡罗程序MCNP建立模型,模拟不同条件下散射光子的能量、强度的变化规律,分析了探测距离、源-探距离、γ射线能量、靶目标厚度以及靶目标材料的变化对反散射峰光子能量与强度的影响,得出以下结论:反散射峰光子能量与靶目标厚度(>7 cm)、靶目标材料无关,与γ射线能量、源-探距离正相关,与探测距离负相关;反散射峰光子强度与靶目标厚度(>7 cm)无关,与探测距离正相关,与γ射线能量、源-探距离、靶目标材料负相关。对于不同靶目标材料,模拟计算的反散射峰光子能量分布区间与理论计算结果一致,证实本文γ射线散射光子测距技术的仿真方法可行、结果可信。

关键词：蒙特卡罗模拟 γ射线测距反散射峰光子能量光子强度

同方期刊数据库

基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2022年第7期71卷 281-289页

作者：王丽敏段丙皇许献国李昊陈治军杨坤杰张硕兰州大学核科学与技术学院兰州730000 中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳621900 烟台大学核装备与核工程学院烟台264005

锆钛酸铅镧(Pb_(0.94)La_(0.06)Zr_(0.96)Ti_(0.04)O_(3),PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料.为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1-14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧(P... 详细信息

锆钛酸铅镧(Pb_(0.94)La_(0.06)Zr_(0.96)Ti_(0.04)O_(3),PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料.为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1-14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧(PLZT)材料产生的反冲原子能谱,然后根据产生的反冲原子种类和最大能量,利用二元碰撞方法模拟了不同能量的离子在PLZT中产生的位移损伤(包括空位和间隙原子),最后根据反冲原子能谱和对应能量离子在材料中产生的缺陷数目计算了不同能量的中子在PLZT材料中产生缺陷浓度以及分布.结果发现,对于1-14 MeV能区的快中子而言,其在厚度为3 cm的PLZT材料中产生的缺陷数目近似与中子能量无关,约为460±120空位/中子.辐照损伤在3cm厚度内随深度的增加而略有减小,总体变化小于50%,该减小主要是由于中子的反散射导致.本工作为计算中子在材料中的位移损伤提供了一种方法,同时模拟结果可为研究PLZT基电子器件的中子辐照效应提供指导.

关键词：锆钛酸铅镧蒙特卡罗模拟中子辐照损伤缺陷浓度

维普期刊数据库博看期刊

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硼硅酸盐玻璃的电子辐照效应

原子核物理评论 2014年第2期31卷 189-194页

作者：段丙皇陈亮王铁山彭海波张根发杨坤杰兰州大学核科学与技术学院兰州730000

在高放废物长期地质处置过程中,作为第一层工程屏障的固化体玻璃会受到持续的电子辐照,研究其电子辐照效应对高放废物的长期安全处置具有重要的意义。在透射电子显微镜(TEM)上对硼硅酸盐玻璃样品进行原位电子辐照实验。在电子束的作用下... 详细信息

在高放废物长期地质处置过程中,作为第一层工程屏障的固化体玻璃会受到持续的电子辐照,研究其电子辐照效应对高放废物的长期安全处置具有重要的意义。在透射电子显微镜(TEM)上对硼硅酸盐玻璃样品进行原位电子辐照实验。在电子束的作用下,两种硼硅酸盐玻璃均很快发生相分离现象,这主要是由于电离作用导致Na的迁移或逃逸引起网络体结构重组的结果。引入简单的结构模型解释了两种不同组分硼硅酸盐玻璃相分离的不同,结果表明,相分离的不同与玻璃组分中Na成分的多少密切相关。

关键词：硼硅酸盐玻璃电子辐照相分离钠迁移透射电子显微镜

Visible to deep ultraviolet range optical absorption of electron irradiated borosilicate glass

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics B 2015年第7期24卷 345-349页

作者：王铁山段丙皇田丰彭海波陈亮张利民袁伟 School of Nuclear Science and Technology Lanzhou University

To study the room-temperature stable defects induced by electron irradiation, commercial borosilicate glasses were irradiated by 1.2 MeV electrons and then ultraviolet（UV） optical absorption（OA） spectra were measured. Two characteristic bands were revealed before irradiation, and they were attributed to silicon dangling bond（E＇-center） and Fe^3＋species,respectively. The existence of Fe3＋was confirmed by electron paramagnetic resonance（EPR） measurements. After irradiation, the absorption spectra revealed irradiation-induced changes, while the content of E＇-center did not change in the deep ultraviolet（DUV） region. The slightly reduced OA spectra at 4.9 eV was supposed to transform Fe3＋species to Fe^2＋species and this transformation leads to the appearance of 4.3 eV OA band. By calculating intensity variation, the transformation of Fe was estimated to be about 5% and the optical absorption cross section of Fe2＋species is calculated to be 2.2 times larger than that of Fe^3＋species. Peroxy linkage（POL, ≡Si–O–O–Si≡）, which results in a 3.7 eV OA band, is speculated not to be from Si–O bond break but from Si–O–B bond, Si–O–Al bond, or Si–O–Na bond break. The co-presence defect with POL is probably responsible for 2.9-eV OA band.

关键词： borosilicate glass electron irradiation defect optical absorption

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高放废物玻璃固化体的辐照效应研究进展

原子能科学技术 2017年第6期51卷 967-974页

作者：王铁山彭海波刘枫飞孙梦利袁伟段丙皇关兴彩陈亮杜鑫杨迪陈昊兰州大学核科学与技术学院甘肃兰州730000

本文概述了国内外针对玻璃辐照效应所开展的研究及其进展。介绍了α、β、γ射线在玻璃中产生的微观缺陷类型、相对应的表征手段、不同微观损伤与吸收剂量的关系及其在不同温度条件下的稳定性。介绍了玻璃宏观性质随辐照剂量的改变以及... 详细信息

本文概述了国内外针对玻璃辐照效应所开展的研究及其进展。介绍了α、β、γ射线在玻璃中产生的微观缺陷类型、相对应的表征手段、不同微观损伤与吸收剂量的关系及其在不同温度条件下的稳定性。介绍了玻璃宏观性质随辐照剂量的改变以及饱和现象,提出了宏观性质的改变和无序度的联系来解释实验结果。最后,介绍了玻璃固化体研究所面临的问题和挑战。

关键词：玻璃固化体辐照效应高放废物

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基三极管脉冲中子辐射效应TCAD仿真

数值计算与计算机应用 2020年第2期41卷 159-168页

作者：段丙皇熊涔陈泉佑赵洪超中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳621900

本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过... 详细信息

本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过程中缺陷的动力学演化过程,以及器件电学性能的瞬态响应;给出了仿真方法使用的物理模型、缺陷种类、缺陷之间的反应类型和反应参数等,以及在TCAD软件中的实现过程.然后,以文献中2N2222晶体管为对象,进行了中子辐射损伤模型与仿真方法的验证,结果表明辐射退火完成后2N2222基极电流和集电极电流计算结果与文献报道的实验结果一致,证明了该仿真方法的正确性.

关键词：硅基三极管 2N2222 脉冲中子辐射位移损伤 TCAD仿真

Al在不同类型Si基中的扩散深度差异及其温度相关性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

现代应用物理 2024年第5期15卷 164-172,181页

作者：刘雪婷孙恒志段丙皇王扶刚杨帆卢子伟王铁山兰州大学核科学与技术学院兰州大学特殊功能材料与结构设计教育部重点实验室兰州730000 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621000 中国科学院近代物理研究所兰州730000

金属原子在半导体材料中的扩散对半导体器件的电阻率、传导率和光电学性能有直接影响。采用飞行时间二次离子质谱分析技术,结合分子动力学模拟方法研究了常用金属原子Al在不同Si基中的扩散深度差异及其温度相关性。实验结果表明,Al在本... 详细信息

金属原子在半导体材料中的扩散对半导体器件的电阻率、传导率和光电学性能有直接影响。采用飞行时间二次离子质谱分析技术,结合分子动力学模拟方法研究了常用金属原子Al在不同Si基中的扩散深度差异及其温度相关性。实验结果表明,Al在本征、N型以及P型Si基中的扩散深度随温度的升高而增加,其中,Al在P型Si基中的扩散深度大于本征和N型Si基。模拟结果表明,Al在Si基中的扩散深度和扩散系数随温度的升高而增加,温度增高至625 K后其扩散行为更为显著,与实验结果相符。研究表明Al在Si中的扩散行为与Si基的性质及环境温度密切相关。相关研究为深入了解Al在Si基中的扩散及其温度相关性提供了重要基础,同时也为探索其他金属在Si基中的扩散行为以及半导体器件加工工艺的优化提供了新的思路和参考依据。

关键词：金属扩散温度相关性飞行时间二次离子质谱分子动力学模拟