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高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件(英文)

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发光学报 2017年第12期38卷 1650-1653页

作者：武利翻苗瑞霞李永峰杨小峰西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121

用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子... 详细信息

用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25 000 cm^2·V^(-1)·s^(-1),并且该器件输入电阻和输出电阻较低。同时,Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件。

关键词：霍尔器件量子阱 δ掺杂分子束外延

红外焦平面阵列的CMO S读出电路结构评述

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传感器与微系统 2006年第1期25卷 1-4页

作者：汪建平武利翻熊平重庆邮电学院重庆400065 CCD图像传感器国家重点实验室重庆400065

红外焦平面阵列是获取景物红外光辐射信息的重要光电器件。读出电路是其关键部件,良好的读出电路性能在红外焦平面阵列中发挥着重要的作用。列举了一些最新的CMOS读出电路单元结构,并对它们各自的特点作了简要的比较,给出了一些结构对... 详细信息

红外焦平面阵列是获取景物红外光辐射信息的重要光电器件。读出电路是其关键部件,良好的读出电路性能在红外焦平面阵列中发挥着重要的作用。列举了一些最新的CMOS读出电路单元结构,并对它们各自的特点作了简要的比较,给出了一些结构对应芯片上的主要参数,最后,简单介绍了读出电路的未来发展方向。

关键词：红外焦平面阵列读出电路探测器

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高校教学管理制度改革的探讨

科教导刊 2012年第31期 180-181页

作者：武利翻西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121

高等学校提高教学质量、培养合格人才,需要科学、高效以及完善的教学管理制度作保障,建设一套科学、高效及完善的教学管理制度也是当前高等教育改革的重要内容之一。本文结合专业的人才培养特色,以不断健全和完善教学运行的各项规章制... 详细信息

高等学校提高教学质量、培养合格人才,需要科学、高效以及完善的教学管理制度作保障,建设一套科学、高效及完善的教学管理制度也是当前高等教育改革的重要内容之一。本文结合专业的人才培养特色,以不断健全和完善教学运行的各项规章制度、评估指标,强化教育质量为目的,提出几项教学管理制度的改革措施。

关键词：高等学校教学管理制度改革

基于.net平台的图形绘制系统实现的关键问题

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科技创新导报 2012年第34期9卷 40-41页

作者：武利翻西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121

绘图系统主要是实现各种标准图形和任意线条图形的绘制编辑和变换,其中标准图形包括直线,多边形,椭圆,各种曲线等。要实现它们的绘制和各种基本变换(编辑功能),其中最关键的问题是曲线的多边形与曲线的拟合。

关键词：图形绘制曲线拟合图形编辑

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CCD制造的关键工艺

传感器世界 2005年第2期11卷 21-24页

作者：武利翻重庆邮电学院

CCD(电荷藕合器件)是一种在硅集成电路工艺线上制作的图像传感器。本文介绍了 CCD 的基本工作原理和制造的单项工艺,并详细介绍了其关键工艺:氧化、光刻、离子注入,还对各工艺所遇到的问题、相应的解决方法及发展状况进行了阐述。

关键词： COD 氧化光刻离子注入

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CCD纵向抗晕结构研究

半导体光电 2007年第1期28卷 36-39页

作者：武利翻刘昌林陈红兵汪建平熊平重庆光电技术研究所重庆400060 西安邮电学院计算机科学与技术系陕西西安710121

建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参... 详细信息

建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响,得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。

关键词： CCD 光晕纵向抗晕器件仿真

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电子快门与CCD图像传感器抗晕的研究

电子科技 2010年第8期23卷 18-19,24页

作者：武利翻西安邮电学院电子工程学院陕西西安710121

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并分析1 PW层硼掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并对CCD纵向抗晕结构进行优化结构。而电... 详细信息

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并分析1 PW层硼掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并对CCD纵向抗晕结构进行优化结构。而电子快门就是利用纵向抗晕的工作原理而发展的。

关键词： CCD 光晕抗晕器件仿真

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CCD纵向抗晕结构设计与优化

现代电子技术 2010年第16期33卷 172-174页

作者：武利翻西安邮电学院陕西西安710121

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的... 详细信息

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强。得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。

关键词： CCD 光晕纵向抗晕器件仿真