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外源5-氨基乙酰丙酸对弱光下黄瓜幼苗生长的影响

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外源5-氨基乙酰丙酸对弱光下黄瓜幼苗生长的影响

作者：柳翠霞西南大学

学位级别：硕士

本试验以黄瓜品种h02、h082、川绿一号为试材,幼苗二叶一心期时进行遮光,然后叶片表面喷施ALA,设定0 mg/L(CK)、0.01 mg/L、0.1 mg/L、1 mg/L、10 mg/L和50 mg/L5个浓度。ALA喷施后0d、2d、6d、10d、14d对黄瓜幼苗叶片的抗氧化酶活性、... 详细信息

本试验以黄瓜品种h02、h082、川绿一号为试材,幼苗二叶一心期时进行遮光,然后叶片表面喷施ALA,设定0 mg/L(CK)、0.01 mg/L、0.1 mg/L、1 mg/L、10 mg/L和50 mg/L5个浓度。ALA喷施后0d、2d、6d、10d、14d对黄瓜幼苗叶片的抗氧化酶活性、丙二醛含量进行测定,并记录黄瓜幼苗的生长情况。结果显示：常光下施用低浓度的ALA处理黄瓜幼苗,可促进株高、叶面积等的生长,增加茎粗,当达到一定浓度时促进作用最强,而后随着浓度的增加,促进作用减弱;弱光条件下低浓度ALA的施用具有与常光对照相同的效果和趋势,可明显的增加茎粗,以缓解植株徒长的趋势。本试验还表明：常光或弱光时施用低浓度的ALA处理黄瓜幼苗,均可提高植株抗氧化酶(超氧化物歧化酶SOD、过氧化氢酶CAT、过氧化物酶POD)的活性,减少丙二醛MDA的积累,当达到一定浓度时促进作用最强,而后随着浓度的增加,促进作用减弱。说明ALA可以提高黄瓜幼苗对弱光的耐性,1mg/L的ALA处理时,效果最佳。以黄瓜品种h02、h082、川绿一号为试材,二叶一心期放入光照培养箱中,ALA浓度设定为1mg/L,清水(CK)作对照。将黄瓜分成两部分处理,弱光条件:25/8℃,80μmol/m2·s,正常条件:25/8℃,200μmol/m2·s。黄瓜幼苗生长至二叶一心时进行处理,分别为清水处理和ALA喷施(喷施前取样测定),连续处理2天后放入将幼苗放入到人工气候箱内进行处理。处理第2天开始隔2天进行测定共测定4次,最后一次时测定干鲜重。实验结果表明：黄瓜叶片的净光合速率、气孔导度、蒸腾速率和胞间C02浓度等光合参数一致显示,弱光条件下黄瓜幼苗的光合作用显著降低;而在外源喷施ALA后,可对叶片的光合作用起到明显的提高作用。经弱光处理后,h02、h082、川绿一号等三个黄瓜品种的SOD、CAT酶活性均较常光对照显著降低,且随着弱光处理时间的延长CAT的活性不断下降,叶面喷施ALA可显著缓解弱光处理后SOD、CAT活性的下降。而弱光下黄瓜幼苗的POD活性呈先增加后下降的趋势。黄瓜幼苗叶片中MDA的含量较常光对照有着显著增加,随着弱光持续时间的延长,MDA积累的量也不断的增加,膜脂过氧化程度进一步增加,而叶面喷施ALA则以一定程度缓解此种伤害。弱光处理后,h02的叶绿素a、b含量较常光对照均有不同程度的下降,而h082和川绿一号则有所上升,且叶面喷施过ALA的幼苗叶绿素a、b较弱光对照下降的少,ALA的施用有利于弱光条件下黄瓜植株叶绿素a、b的积累。弱光条件下外源ALA的施用也使类胡萝卜素的含量在弱光处理期间始终高于弱光对照。弱光条件下叶绿素a/b比值不断减小且比值始终低于常光对照,叶面喷施ALA的叶片比值高于弱光对照。

关键词：黄瓜 5-氨基乙酰丙酸遮光生长指标

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CuO在高压下的状态方程、电学性质与相变

高压物理学报 1998年第4期12卷 254-257页

作者：鲍忠兴程开甲赵昌森程漱玉柳翠霞蔡宗义李焰中国科学院物理研究所中国科学院国际材料物理中心西北核技术研究所有色金属研究总院

在活塞－圆筒式高压装置上研究了ＣｕＯ在４．５ＧＰａ内的ｐ－Ｖ关系，给出了它的状态方程、格临爱森参数γ０、体积模量Ｂ０以及Ｂ０的压力导数Ｂ０。在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻、电容测量方法研究了ＣｕＯ在２２ＧＰ... 详细信息

在活塞－圆筒式高压装置上研究了ＣｕＯ在４．５ＧＰａ内的ｐ－Ｖ关系，给出了它的状态方程、格临爱森参数γ０、体积模量Ｂ０以及Ｂ０的压力导数Ｂ０。在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻、电容测量方法研究了ＣｕＯ在２２ＧＰａ内电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，ＣｕＯ的电阻和电容在一些压力下都发生了突然的变化。这些变化可能与ＣｕＯ内部的电子结构和晶界处的结构状态变化有关。

关键词：高压状态方程电学性质电子结构相变氧化铜

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纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

高压物理学报 1999年第2期13卷 133-137页

作者：鲍忠兴何宇亮王卫乡柳翠霞陈伟中国科学院物理研究所中国科学院国际材料物理中心中国科学院半导体材料科学开放实验室北京航空航天大学华南师范大学

在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明。

关键词：纳米晶电阻电容金属化相变硅高压

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培哚普利对糖尿病性心肌病患者心功能的影响

山东医药 2007年第5期47卷 49-50页

作者：姜婕马圣庭柳翠霞济南市第四人民医院山东济南250031

将70例糖尿病性心肌病患者随机分为治疗组37例和对照组33例,两组均口服地高辛、肠溶阿司匹林、呋塞米,在此基础上治疗组口服培哚普利4～8mg/d,对照组口服氯化钾控释片500mg/d,疗程均为6个月。治疗前及治疗后6个月判定临床疗效;彩色多普... 详细信息

将70例糖尿病性心肌病患者随机分为治疗组37例和对照组33例,两组均口服地高辛、肠溶阿司匹林、呋塞米,在此基础上治疗组口服培哚普利4～8mg/d,对照组口服氯化钾控释片500mg/d,疗程均为6个月。治疗前及治疗后6个月判定临床疗效;彩色多普勒超声显像系统检测两组心功能相关指标。结果总有效率治疗组为85.9%、对照组为76.1%,P0.05)。认为培哚普利可明显改善糖尿病性心肌病患者心脏功能,且可显著抑制左室重塑。

关键词：糖尿病心肌病培哚普利心脏功能

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固体C_(60)在高压下的状态方程与相变

科学通报 1995年第5期40卷 400-402页

作者：鲍忠兴柳翠霞李玉良朱道本中国科学院物理研究所北京100080 中国科学院化学研究所北京100080

自从固体C_(60)被发现以来,人们已对固体C_(60)在常压下的性质进行了广泛的研究.近几年来,人们对固体C_(60)在高压下的晶体结构、电学性质与光学性质等进行了一些研究,观测到一些新的和有趣的现象.高压X光衍射测量和电阻测量表明固体C_(... 详细信息

自从固体C_(60)被发现以来,人们已对固体C_(60)在常压下的性质进行了广泛的研究.近几年来,人们对固体C_(60)在高压下的晶体结构、电学性质与光学性质等进行了一些研究,观测到一些新的和有趣的现象.高压X光衍射测量和电阻测量表明固体C_(60)在大约15～22GPa范围内有一个相变.最近的研究还表明固体C_(60)在249K时也有一个相变,是从高温fcc结构变成低温sc结构,而且这个有序-无序转变温度随着压力增加而增加,所以在室温下,

关键词：固体状态方程相变碳60 高压

老年慢性完全闭塞病变介入治疗后QT离散度变化的研究

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上海医学 2007年第S1期30卷 97-98页

作者：岳文伟柳翠霞张丽莉济南市第四人民医院心内科 250031

目的了解老年慢性冠状动脉完全闭塞病变(CTO)患者经皮冠状动脉介入治疗(PCI)术前、术后的QT间期离散度(QTd)及校正QT间期离散度(QTcd)的变化。方法利用标准同步12导联心电图,对74例老年慢性冠状动脉完全闭塞病变患者行PCI,术前、术后1日... 详细信息

目的了解老年慢性冠状动脉完全闭塞病变(CTO)患者经皮冠状动脉介入治疗(PCI)术前、术后的QT间期离散度(QTd)及校正QT间期离散度(QTcd)的变化。方法利用标准同步12导联心电图,对74例老年慢性冠状动脉完全闭塞病变患者行PCI,术前、术后1日、1周及1月的QT间期离散度(QTd)及校正QT间期离散度(QTcd)进行测量计算。结果老年慢性冠状动脉完全闭塞病变患者PCI术后的QT间期离散度(QTd)及校正QT间期离散度(QTcd)较术前均显著缩短(P0．05)。结论老年CTO病变在PCI术后以挽救了尚存活心肌在改善了心室肌复极的均一性、降低了恶性心律失常的发生率,改善CTO患者的预后。对于老年慢性冠状动脉完全闭塞病变在仍存在存活心肌(冬眠及顿抑心肌),血运重建后再灌注心肌可恢复电生理功能,且至少在术后1月内改善心肌电活动程度是一致的。

关键词： QT离散度闭塞病变介入治疗存活心肌 QTcd 恶性心律失常心室肌复极血运重建导联心电图顿抑心肌

偏硼酸钡低温相晶体在高压下的电学性质与相变

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高压物理学报 1997年第1期11卷 46-49页

作者：鲍忠兴柳翠霞黄朝恩刘有臣陈红吴非中国科学院物理研究所中国科学院国际材料物理中心国家建材局人工晶体研究所

在金刚石压砧装置上，采用电容和电阻测量方法研究了偏硼酸钡低温相晶体（β－ＢａＢ２Ｏ４）在室温下和１６ＧＰａ内的电容、电阻与压力的关系。实验结果表明，它的电容在２．１、４．６、６．４、８、９．５、１０．７ＧＰａ左右都有... 详细信息

在金刚石压砧装置上，采用电容和电阻测量方法研究了偏硼酸钡低温相晶体（β－ＢａＢ２Ｏ４）在室温下和１６ＧＰａ内的电容、电阻与压力的关系。实验结果表明，它的电容在２．１、４．６、６．４、８、９．５、１０．７ＧＰａ左右都有一个突变。这说明β－ＢａＢ２Ｏ４内部的结构状态在这些压力下都发生了变化，可能发生了相变。还发现β－ＢａＢ２Ｏ４样品在较高压力下已发生了非晶化转变，而且是不可逆的，在卸压后被保留下来。

关键词：电学性质相变电容测量 BBO 晶体

Cd_(1-x)Zn_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

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高压物理学报 2000年第4期14卷 269-272页

作者：鲍忠兴褚君浩柳翠霞刘克岳王金义中国科学院物理研究所中国科学院国际材料物理中心辽宁沈阳110015 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室华北光电研究所

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次... 详细信息

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、4 5GPa内的p V关系。实验结果表明它在3 8GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程 ,以及它的Gr櫣ｎｅｉｓｅｎ参数γ0 、体弹模量B0 与B0 的压力导数B0 ′。

关键词：电阻电容电学性质状态方程相变高压三元化合物半导体体弹模量 Gruneisen参数

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碳纳米管在高压下的电学性质与状态方程

高压物理学报 2002年第1期16卷 42-45页

作者：鲍忠兴成会明白朔李峰候鹏翔柳翠霞中国科学院物理研究所中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家联合实验室辽宁沈阳110016

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻测量方法研究了多层碳纳米管在室温下、2 3GPa内的电阻与压力的关系。实验结果表明 ,在 1 5～ 4 6GPa内 ,电阻急剧减小 ,而在 5 7GPa左右 ,电阻出现一个极大值。这些变化与碳纳米管的结构、形状和层间距... 详细信息

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻测量方法研究了多层碳纳米管在室温下、2 3GPa内的电阻与压力的关系。实验结果表明 ,在 1 5～ 4 6GPa内 ,电阻急剧减小 ,而在 5 7GPa左右 ,电阻出现一个极大值。这些变化与碳纳米管的结构、形状和层间距离的变化有关。同时 ,还在活塞圆筒式p V关系测量装置上首次研究了多层碳纳米管在室温下、4 5GPa内的p V关系 ,给出了它在第一次和第七次压缩时的状态方程。

关键词：碳纳米管高压电学性质电阻状态方程