检索结果-南通市图书馆

秦山第二核电厂换料大修期间反应堆厂房辐射分区调整分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

核动力工程 2015年第S1期36卷 75-77页

作者：柯海鹏王川曾进忠刘杰中核核电运行管理有限公司浙江海盐314300

通过分析秦山第二核电厂1号机组第10次换料大修期间反应堆厂房辐射水平的变化,从辐射分区管理和剂量控制最优化角度考虑,提出换料大修期间反应堆厂房各区域的辐射分区调整。调整结果表明:反应堆厂房大部分区域辐射风险在换料大修期间大... 详细信息

通过分析秦山第二核电厂1号机组第10次换料大修期间反应堆厂房辐射水平的变化,从辐射分区管理和剂量控制最优化角度考虑,提出换料大修期间反应堆厂房各区域的辐射分区调整。调整结果表明:反应堆厂房大部分区域辐射风险在换料大修期间大大降低,大部分区域可降级为黄区或绿区。

关键词：换料大修辐射水平反应堆厂房分区调整秦山第二核电厂

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

He离子注入对Ge中缺陷行为的影响研究

人工晶体学报 2020年第12期49卷 2244-2251页

作者：柯海鹏欧雪雯柯少颖福建省漳州第一职业中专学校漳州363000 闽南师范大学物理与信息工程学院漳州363000

本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导。本文主要模拟了He离子入射角度、能量以及注入剂量对Ge材料损伤程度和溅射产额等的影响。研究表明:入射... 详细信息

本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导。本文主要模拟了He离子入射角度、能量以及注入剂量对Ge材料损伤程度和溅射产额等的影响。研究表明:入射角度较小时,拖尾效应不明显,有利于避免沟道效应,同时缺陷空位数(DPA)也处于较低水平;能量增大导致离子射程增大,溅射产额减小,离表面越近的Ge中DPA变少,可以实现低DPA GOI材料的制备;离子注入剂量增大导致损伤区域增大且集中,然而更多的He离子聚集在射程附近,能够很好地降低GOI材料的剥离温度。

关键词： He离子注入射程缺陷空位数绝缘体上Ge

Ge/Si异质键合界面纳米级氧化层对Ge/Si异质结光电特性调控机制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅酸盐学报 2021年第1期49卷 180-188页

作者：彭强柯海鹏李杏莲林鑫柯少颖周锦荣闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州363000 福建省漳州第一职业中专学校福建漳州363000

由于Ge/Si存在4.2%晶格失配,Si基外延Ge中的穿透位错密度(TDD)极高,导致器件暗电流偏大。低温Ge/Si异质键合可以通过抑制失配位错传播降低Ge薄膜中的TDD,在高质量大失配薄膜制备方面展现出巨大的潜力。然而,Ge/Si键合界面由于亲水反应... 详细信息

由于Ge/Si存在4.2%晶格失配,Si基外延Ge中的穿透位错密度(TDD)极高,导致器件暗电流偏大。低温Ge/Si异质键合可以通过抑制失配位错传播降低Ge薄膜中的TDD,在高质量大失配薄膜制备方面展现出巨大的潜力。然而,Ge/Si键合界面由于亲水反应形成的纳米级氧化层会对异质结性能产生影响。基于载流子基本方程,在键合界面构建载流子非局域量子隧穿模型,通过半经典近似解法研究Ge/Si异质键合界面氧化层厚度(dO)对异质结暗电流、总电流、光谱响应、带宽等性能的影响,并揭示异质结性能影响机制。研究表明:随着dO的增加,氧化层对载流子的阻挡效应增强,导致器件暗电流、总电流和光谱响应下降。由于氧化层的分压效应,dO的增加导致Ge层中电场下降,载流子速率降低,进而导致异质结高频特性变差。为确保键合Ge/Si异质结优异的光电特性,dO必须控制在0.50 nm以内。

关键词：锗/硅异质键合晶格失配界面氧化层电场

Ge/Si异质键合半/绝接触界面态对异质结光电输运特性的影响研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光学学报 2020年第19期40卷 203-212页

作者：何盛泉柯海鹏严莲李杏莲柯少颖李东珂闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州363000 福建省漳州第一职业中专学校福建漳州363000 淮阴师范学院江苏淮安223300

Ge/Si异质键合技术作为一种新型的通用材料制备工艺,在制备高质量Si基Ge薄膜方面展现出巨大的潜力,是研制高性能Ge/Si光电器件的备选方案之一。现阶段主流的直接键合和等离子体键合方法在制备Ge/Si薄膜时都容易在Ge/Si键合界面处引入纳... 详细信息

Ge/Si异质键合技术作为一种新型的通用材料制备工艺,在制备高质量Si基Ge薄膜方面展现出巨大的潜力,是研制高性能Ge/Si光电器件的备选方案之一。现阶段主流的直接键合和等离子体键合方法在制备Ge/Si薄膜时都容易在Ge/Si键合界面处引入纳米氧化锗层(GeO2),导致Ge/GeO2及GeO2/Si半/绝接触界面存在界面态,从而器件性能受影响。基于载流子三大输运方程、非局域隧穿模型及半经典量子解法,构建了低温Ge/Si异质键合界面,研究了键合界面的界面态密度(ISD)对Ge/Si异质结的载流子电学输运、光吸收、复合及高频响应等性能的影响。结果表明,随着ISD的增加,Ge/Si异质结的暗电流增大,同时界面态对载流子的俘获能力加强,导致总电流减小,光谱响应减弱。另外,ISD的增加导致Ge层内的电场减小,高频特性变差。为获得性能良好的键合Ge/Si异质结,ISD必须低于1×1012 cm-2。该研究结果为高质量Si基Ge薄膜及高性能Ge/Si光电器件的制备提供了理论指导。

关键词：薄膜 Ge/Si异质键合界面态密度载流子隧穿电场