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一种大电流高精度集成汽车电压调节器

微电子学 2009年第4期39卷 491-495页

作者：杨发顺林洁馨马奎丁召傅兴华贵州大学电子科学系贵阳550025 贵州省微纳电子技术重点实验室贵阳550025

介绍了一种大电流高精度集成汽车电压调节器的设计原理及电路结构。该集成汽车电压调节器由基准电压源、比较放大器、保护电路和调整管等单元组成。该电路采用硅双极型对通隔离功率IC工艺研制,具有过流/过压、过热保护功能,以及电压调... 详细信息

介绍了一种大电流高精度集成汽车电压调节器的设计原理及电路结构。该集成汽车电压调节器由基准电压源、比较放大器、保护电路和调整管等单元组成。该电路采用硅双极型对通隔离功率IC工艺研制,具有过流/过压、过热保护功能,以及电压调节精度高、调整电流大等特点。

关键词：汽车电压调节器基准电压源过热保护双极集成电路

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提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究

半导体技术 2010年第2期35卷 133-136页

作者：林洁馨杨发顺马奎龚红贵州大学电子科学系贵阳550025 贵州省微纳电子技术重点实验室贵阳550025

影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工... 详细信息

影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。

关键词：高温反偏掺氯氧化聚酰亚胺表面钝化技术

Advanced BCD technology with vertical DMOS based on a semi-insulation structure

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Journal of Semiconductors 2016年第7期37卷 56-62页

作者：马奎傅兴华林洁馨杨发顺 Department of Electronics Guizhou University

A new semi-insulation structure in which one isolated island is connected to the substrate was pro- posed. Based on this semi-insulation structure, an advanced BCD technology which can integrate a vertical de- vice without extra internal interconnection structure was presented. The manufacturing of the new semi-insulation structure employed multi-epitaxy and selectively multi-doping. Isolated islands are insulated with the substrate by reverse-biased PN junctions. Adjacent isolated islands are insulated by isolation wall or deep dielectric trenches. The proposed semi-insulation structure and devices fixed in it were simulated through two-dimensional numerical computer simulators. Based on the new BCD technology, a smart power integrated circuit was designed and fabri- cated. The simulated and tested results of Vertical DMOS, MOSFETs, BJTs, resistors and diodes indicated that the proposed semi-insulation structure is reasonable and the advanced BCD technology is validated.

关键词： semi-insulation structure vertical DMOS BCD technology integrated circuit

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一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺

微电子学与计算机 2013年第10期30卷 93-96页

作者：马奎杨发顺林洁馨傅兴华贵州大学电子科学系贵州贵阳550025

当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDMOS器件,并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到V... 详细信息

当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDMOS器件,并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到VDMOS的阈值电压为2.5V,击穿电压为161V;NPN管和PNP管的C-E耐压分别为47.32V、32.73V,β分别为39.68、9.8;NMOS管和PMOS管的阈值电压分别为0.65V、-1.16V,D-S耐压分别为17.37V、14.72V.

关键词： BCD工艺 VDMOS 漏极背面引出

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C语言程序设计教学方法的探索

课程教育研究 2014年第10期 123-124页

作者：林洁馨李良荣贵州大学电子科学系

本文针对C语言程序设计教学中存在的各种问题进行了分析,结合贵州大学电子大类专业学生的特点及贵州大学实验室的具体状况,提出了一种实验式教学模式。通过各种统计数据分析,实验式教学模式能提高教学效果,让学生在老师的引导下能更加... 详细信息

本文针对C语言程序设计教学中存在的各种问题进行了分析,结合贵州大学电子大类专业学生的特点及贵州大学实验室的具体状况,提出了一种实验式教学模式。通过各种统计数据分析,实验式教学模式能提高教学效果,让学生在老师的引导下能更加主动地学习。

关键词： C语言程序设计实验式教学教学效果

“数字信号处理”课程双语教学改革研究与实践

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高教学刊 2020年第29期6卷 91-94页

作者：刘洪林洁馨梁建娟杨平贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550000

文章论述了在电子信息类专业中开展“数字信号处理”课程双语教学的重要性和必要性,详细分析了“数字信号处理”课程双语教学中存在的问题,通过在教材选用、教学内容、教学模式及考核方式四个方面的改革及实践,使得教学效果得到有效提升... 详细信息

文章论述了在电子信息类专业中开展“数字信号处理”课程双语教学的重要性和必要性,详细分析了“数字信号处理”课程双语教学中存在的问题,通过在教材选用、教学内容、教学模式及考核方式四个方面的改革及实践,使得教学效果得到有效提升,并总结和分析了教学改革的成效。

关键词：数字信号处理双语教学教学模式过程性考核

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双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计

半导体技术 2010年第6期35卷 598-602页

作者：杨发顺马奎林洁馨丁召傅兴华贵州大学电子科学系贵阳550025 贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标。通过Cadence软件平台下的Spectr... 详细信息

设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标。通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的温度系数、负载调整率、噪声、交流电源纹波抑制比、负载电流、启动时间等电参数进行仿真验证,得到了初始精度±0.5%,在-40～85℃范围内温度系数小于6×10-6/℃,负载电流0～50 mA,电源电压4.5～36 V,输出为2.5 V的集成电压基准源电路。该电路采用6μm/36 V双极型工艺生产制造,芯片面积为1.7 mm×2.1 mm,具有过热保护、过流保护和反接保护功能。

关键词：大负载电流低温度系数电源抑制比过热保护绝对温度比电流

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三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

现代电子技术 2019年第12期42卷 81-85页

作者：林洁馨杨发顺马奎丁召傅兴华贵州大学大数据与信息工程学院

基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极... 详细信息

基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100V,60A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。

关键词：热可靠性设计 MOSFET 三维集成技术功率器件硅通孔布局散热热阻降低

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汽车电压调节器集成电路芯片版图设计

半导体技术 2009年第9期34卷 930-934页

作者：杨发顺林洁馨马奎丁召傅兴华贵州大学电子科学系贵阳550025 贵州省微纳电子技术重点实验室贵阳550025

介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调... 详细信息

介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调整管采用了宽发射极窄接触条和圣诞树型结构相结合的方案。芯片测试结果表明,电压调节器的调节精度为14.2±0.15V,最大调节电流为5A,较好地实现了预定电路功能。芯片成品率达80%。

关键词：汽车电压调节器芯片功率集成电路版图设计可靠性