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PZT悬臂梁结构的优化设计

固体电子学研究与进展 2004年第4期24卷 445-449,497页

作者：黄聪林殷茵汤庭鳌复旦大学微电子学系上海200433

推导了单层锆钛酸铅悬臂梁伸缩振动时振幅的表达式 ,得出振幅与电势差ΔV成正比 ,与长厚比L/d成正比 ,与宽度w无关。分类分析了锆钛酸铅悬臂梁弯曲振动的各种模式 ,通过有限元分析软件ANSYS仿真得出 :在相同几何尺寸、相同电压的情况下 ... 详细信息

推导了单层锆钛酸铅悬臂梁伸缩振动时振幅的表达式 ,得出振幅与电势差ΔV成正比 ,与长厚比L/d成正比 ,与宽度w无关。分类分析了锆钛酸铅悬臂梁弯曲振动的各种模式 ,通过有限元分析软件ANSYS仿真得出 :在相同几何尺寸、相同电压的情况下 ,“异P同E”的振幅是“异E同P”的振幅的一半 ,两者的振幅与电势差ΔV成正比 ,与长厚比 (L/d)成平方关系 ,与宽度w无关。对于“同P同E”得出上下两层锆钛酸铅的电场差异越大 ,振幅越大。此分析方法和结论可用于锆钛酸铅悬臂梁结构的优化设计。

关键词：悬臂梁锆钛酸铅设计

SnO_2薄膜的溶胶-凝胶制备及气敏性能的研究

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压电与声光 1998年第3期20卷 186-189页

作者：林殷茵杨合情张良莹姚熹西安交通大学电子材料与器件研究所

采用非醇盐溶胶－凝胶工艺制得纳米微晶ＳｎＯ２多孔薄膜，该法易于实现ＳｎＯ２与多种添加剂的均匀掺杂。通过调整薄膜的微观结构使薄膜对Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＯ在最佳工作温度的灵敏度比调整前分别提高了３倍和１４倍。

关键词：薄膜溶胶-凝胶气敏材料纳米微晶二氧化锡

纳米微晶SnO_2薄膜的制备和光学性能的研究

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压电与声光 1998年第4期20卷 263-266页

作者：林殷茵刘秦杨合情张良莹姚熹西安交通大学电子材料与器件研究所

以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁，随晶粒尺寸的减小，间接带宽增大。

关键词：二氧化锡纳米微晶间接跃迁吸收边导电材料

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二氧化锡薄膜的MOD法制备和表征

功能材料 2001年第3期32卷 277-279,284页

作者：林殷茵汤庭鳌姚熹复旦大学电子工程系微电子所上海200433 西安交通大学电子材料研究所陕西西安710049

采用新颖的金属有机物热分解方法（ＭＯＤ）制备了二氧化锡薄膜。红外分析和热分析表明，先体制备过程中生成了锡的有机物，这对制备质量良好的光学薄膜起了决定作用。对薄膜的红外光谱和紫外一可见先谱的分析表明，薄膜的热处理过程中... 详细信息

采用新颖的金属有机物热分解方法（ＭＯＤ）制备了二氧化锡薄膜。红外分析和热分析表明，先体制备过程中生成了锡的有机物，这对制备质量良好的光学薄膜起了决定作用。对薄膜的红外光谱和紫外一可见先谱的分析表明，薄膜的热处理过程中经历了溶剂挥发、有机物燃烧和析晶等过程，随热处理温度的升高，薄膜的孔率显著减小，薄膜的结构致密，这是由制备过程的特点决定的。

关键词：二氧化锡薄膜金属有机物热分解制备表征

eDRAM的低功耗自适应动态刷新及写电压调整方案

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 21-26页

作者：董存霖孟超程宽林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案... 详细信息

由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案,使得芯片在温度变化和存取操作干扰变化的情况下能自适应地调整刷新频率及写操作电压,节约了25%～30%的刷新功耗.

关键词：嵌入式DRAM 增益单元自适应动态刷新写电压调整低功耗

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氧化钽基RRAM的循环耐受特性优化研究

复旦学报（自然科学版） 2016年第1期55卷 28-35页

作者：刘佩林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

阻变存储器(RRAM)因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺兼容而被各大研究机构广泛关注,但TaOx基RRAM存储阵列的可... 详细信息

阻变存储器(RRAM)因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺兼容而被各大研究机构广泛关注,但TaOx基RRAM存储阵列的可靠性仍存在很大问题,尤其是循环耐受特性.本文制备了4种具有优秀阻变性能的双层Ta2O5/TaOxRRAM器件,Ta2O5层厚度分别为5nm和3nm,TaOx层的x值分别为1.0和0.7.比较了这4种拥有不同器件参数的氧化钽基RRAM器件的循环耐受性能,给出了TaOx基RRAM的循环耐受性能优化方法,发现双层TaOxRRAM的富氧Ta2O5层的厚度越薄且缺氧TaOx层的缺氧程度越大,其循环耐受性能越好.

关键词：氧化钽 Ta2O5/TaOx 循环耐受特性阻变存储器

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镧掺杂对PZT铁电薄膜漏电学特性的影响

功能材料 2004年第6期35卷 692-694,697页

作者：程继林殷茵汤庭鳌复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433

　研究了镧掺杂对PZT铁电性能和相结构的影响。研究表明镧掺杂增加了(110)和(200)峰的强度,减小了(111)峰的相对强度,导致矫顽场和极化强度的下降。研究了镧掺杂对漏电特性的影响,以及肖特基势垒电流模型。

关键词： PZT 矫顽场极化强度漏电模型

具有低功耗和多值存储性能的双层WO_X/AlON阻变存储器的研究

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复旦学报（自然科学版） 2013年第3期52卷 309-313页

作者：田晓鹏林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOX/AlON RRAM具有低至10μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低... 详细信息

针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOX/AlON RRAM具有低至10μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低的操作电压,以及多值存储等性能.针对WOX/AlONRRAM,提出了WOX介质层的等效电路模型为固定电阻与二极管串联模型.在直流置位(DC set)过程中,电路中存在一个较大的过冲电流,使得无法通过控制限流来获得不同大小的低阻态.在增加WOX介质层后,在WOX层和AlON层间形成了界面肖特基势垒,因此有效地抵抗了过冲电流,提高了低阻态的可控性.

关键词： WOx AlON WOx/AlON reset电流多值存储

溶胶-凝胶法制备BiFeO_3铁电薄膜的结构和特性

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功能材料 2005年第3期36卷 340-342,345页

作者：杨彩霞林殷茵汤庭鳌复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

采用 sol gel 方法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备出纯相铁酸铋薄膜。采用热分析方法研究了凝胶的化学变化和析晶过程。分析讨论了退火温度对薄膜的结构和形貌的影响。并用 XRD、SEM 等手段对样品在不同温度条件退火处理后的薄膜相和形貌... 详细信息

采用 sol gel 方法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备出纯相铁酸铋薄膜。采用热分析方法研究了凝胶的化学变化和析晶过程。分析讨论了退火温度对薄膜的结构和形貌的影响。并用 XRD、SEM 等手段对样品在不同温度条件退火处理后的薄膜相和形貌进行了分析。在800℃时采用层层退火方式,有效抑制 Fe价态转化,从而降低了电子波动引发的氧空位数目,制备出纯铁相高电阻率的BiFeO3 铁电薄膜,并观测到饱和电滞回线,其 Ps 和 Pr 分别为 6.9μC/cm2 和 2.8μC/cm2。

关键词：铁酸铋溶胶-凝胶铁电薄膜