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低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度

Journal of Semiconductors 2001年第7期22卷 871-874页

作者：郑望陈猛陈静林梓鑫王曦中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室上海200050

用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺... 详细信息

用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke

关键词： SOI 缺陷密度半导体硅集成电路

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离子注入微生物的生物效应研究

中国抗生素杂志 1998年第6期23卷 415-419页

作者：陈宇林梓鑫张峰柳襄怀汤建中朱卫民黄勃中国科学院上海冶金研究所上海先锋药业公司抗生素研究所

用４０ｋｅＶ、６０ｋｅＶ的Ｎ＋离子束对红霉素产生菌进行了离子注入，发现菌株存活率随注入剂量的增加呈指数衰减，并拟合了存活率—剂量公式。扫描电镜观察发现离子注入导致了红霉产生菌孢子的表面损伤。用１００ｋｅＶＡｓ＋注入大... 详细信息

用４０ｋｅＶ、６０ｋｅＶ的Ｎ＋离子束对红霉素产生菌进行了离子注入，发现菌株存活率随注入剂量的增加呈指数衰减，并拟合了存活率—剂量公式。扫描电镜观察发现离子注入导致了红霉产生菌孢子的表面损伤。用１００ｋｅＶＡｓ＋注入大肠埃希氏菌和枯草芽孢杆菌，对注入离子在其体内分布进行了Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射测量和理论估算。

关键词：微生物离子注入存活率红霉素

离子注入红霉素产生菌诱变高产菌株及其机理初步研究

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中国抗生素杂志 1997年第6期22卷 410-414,441页

作者：陈宇林梓鑫张峰毛应俊柳襄怀汤建中朱卫民黄勃中国科学院上海冶金研究所上海先锋药业公司抗生素研究所

用４０～６０ｋｅＶ、剂量１×１０１１～５×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２的Ｎ＋离子注入红霉素产生菌后可产生可遗传的变异，在一定范围内红霉素产生菌的正向突变分布百分数与离子注入剂量正相关，离子注入后红霉素产生菌的菌落形态和孢... 详细信息

用４０～６０ｋｅＶ、剂量１×１０１１～５×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２的Ｎ＋离子注入红霉素产生菌后可产生可遗传的变异，在一定范围内红霉素产生菌的正向突变分布百分数与离子注入剂量正相关，离子注入后红霉素产生菌的菌落形态和孢子颜色发生变化，经筛选得到了高产突变菌株，摇瓶发酵表明高产突变菌株产量可提高２０％以上。与紫外线诱变相比，离子注入诱变具有突变范围广和突变程度高的特点。ＥＳＲ测试表明离子注入产生的自由基对生物效应基本上无影响，离子注入生物效应主要应由注入离子与生物分子的直接作用引起。对离子注入诱变的机理进行了探讨。

关键词：离子注入红霉素产生菌突变诱变

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C^+注入SiO_2薄膜的蓝光发射

科学通报 1997年第23期42卷 2575-2576页

作者：赵俊杨根庆林梓鑫江炳尧周祖尧柳襄怀中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室上海200050

自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。

关键词：二氧化硅薄膜蓝光发射离子注入半导体

Polyimide辐照效应的紫外及可见光谱研究

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科学通报 1993年第6期38卷 568-569页

作者：许东徐兴龙林梓鑫杜根娣邹世昌中国科学院上海冶金研究所上海200050

聚酰亚胺(polyimide)是一种电绝缘特性极好的热稳定芳香族聚合物,也被用作光致抗蚀剂.现已发现经过适当剂量的离子注入之后,聚酰亚胺的电导率能提高约20个量级,达到半导体水平.作为抗电磁辐射封装材料和温敏材料,聚酰亚胺已受到广泛瞩目... 详细信息

聚酰亚胺(polyimide)是一种电绝缘特性极好的热稳定芳香族聚合物,也被用作光致抗蚀剂.现已发现经过适当剂量的离子注入之后,聚酰亚胺的电导率能提高约20个量级,达到半导体水平.作为抗电磁辐射封装材料和温敏材料,聚酰亚胺已受到广泛瞩目,被公认是一种值得重视的新型功能材料.近年来的研究已经表明:聚酰亚胺改性层电导率的提高与其内部类石墨相的形成存在密切的联系.本文通过紫外及可见光谱研究了注入过程中聚酰亚胺的结构变化,以期对其中类石墨相的形成有一个较深入的了解.

关键词：聚酰亚胺离子注入可见光谱

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低剂量SIMOX圆片研究

Journal of Semiconductors 2001年第8期22卷 1019-1024页

作者：陈猛陈静郑望李林牟海川林梓鑫俞跃辉王曦中国科学院上海冶金研究所上海200050

用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅... 详细信息

用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的

关键词：低剂量线缺陷密度 SIMOX SOI 集成电路