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Cortex-M3触摸屏及看门狗的中断应用

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信息与电脑（理论版） 2012年第8期 118-119页

作者：林佳利深圳大学计算机与软件学院广东深圳518000

Cortex-M3是一种基于ARM7v架构的最新ARM嵌入式内核,内建了NVIC,本文主要探讨了其中断功能的应用,硬件部份内核采用LM3S9B92,利用一个片载按键与LM3S9B92中GPIOJ7脚相连,四线电阻触摸屏分别与LM3S9B92的GPIOE口中的四只管脚进行复用,板... 详细信息

Cortex-M3是一种基于ARM7v架构的最新ARM嵌入式内核,内建了NVIC,本文主要探讨了其中断功能的应用,硬件部份内核采用LM3S9B92,利用一个片载按键与LM3S9B92中GPIOJ7脚相连,四线电阻触摸屏分别与LM3S9B92的GPIOE口中的四只管脚进行复用,板载LED灯接于LM3S9B92中GPIOF3脚相连。软件部分利用GPIO的外部中断及触摸屏中断来控制板载LED灯的翻转,同时对相应的中断进行计数,与程序预设的阀值进行比较,如果两种中断中任一中断数达到阀值,则不清除看门狗中断,使得看门狗电路在下一次中断到来时,重新启动系统。

关键词： Cortex-M3 LM3S9B92 触摸屏看门狗

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初中信息技术教学中创新能力培养策略探究

考试周刊 2020年第63期 113-114页

作者：林佳利泉州实验中学

信息技术是初中阶段基础教学科目之一,初中生学习信息技术不但可以学到有关的知识,还可以增强自身的核心素养。众所周知,民族灵魂与国家实现发展的动力就是创新,随着社会的进步和发展,创新的重要性日益突出,同时创新也是组成初中生信息... 详细信息

信息技术是初中阶段基础教学科目之一,初中生学习信息技术不但可以学到有关的知识,还可以增强自身的核心素养。众所周知,民族灵魂与国家实现发展的动力就是创新,随着社会的进步和发展,创新的重要性日益突出,同时创新也是组成初中生信息素养的主要内容。当前,新课改逐渐推进,素质教育理念下学生的创新能力受到越来越多的关注,初中信息技术课堂上,教师要为学生营造出轻松愉快的教学氛围,吸引学生兴趣,关注学生的学习过程,应用合适的教学手段不断培养学生的创新能力,促进学生不断进步,最终实现学生的全面发展。

关键词：初中信息技术创新能力培养初探

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实验室黑名单信息化管理的设计与实现

信息与电脑（理论版） 2010年第11期 66-66,68页

作者：刘晔林佳利深圳大学计算机与软件学院广东深圳518060

计算机类实验室是高校实验室中非常重要的组成部分,此类实验室所安排的课程教学实验和开放实验的工作量非常大。通过人工方式对上机的各种情况进行监测和统计,是难以实现的。本文分析设计实验室黑名单管理平台,对学生使用计算机的情况... 详细信息

计算机类实验室是高校实验室中非常重要的组成部分,此类实验室所安排的课程教学实验和开放实验的工作量非常大。通过人工方式对上机的各种情况进行监测和统计,是难以实现的。本文分析设计实验室黑名单管理平台,对学生使用计算机的情况进行实时检测和追踪,改善实验室的管理状况。

关键词：实验室管理信息化管理黑名单管理

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挖掘新教材内容，培养学生数学个性品质

挖掘新教材内容，培养学生数学个性品质

浅谈“三性”实验对提高学生综合实验能力的作用

第四届中国教育家大会

作者：林佳利蒋惠玲广西桂林市全州高中广西桂林市全州二中

数学个性品质是指学生个体对数学的情感、态度和价值观,具有一定的数学视野,认识数学的科学价值和人文价值,崇尚数学的理性精神,形成审慎思维的习惯,体会数学的美学含义。要求学生克服紧张情绪,以平和的心态独立解答习题、参加考试。合...

数学个性品质是指学生个体对数学的情感、态度和价值观,具有一定的数学视野,认识数学的科学价值和人文价值,崇尚数学的理性精神,形成审慎思维的习惯,体会数学的美学含义。要求学生克服紧张情绪,以平和的心态独立解答习题、参加考试。合理分配时间,养成实事求是的态度,树立战胜困难的信心,体现锲而不舍的精神。发现、保留、培养学生的数学个性、

关键词：

来源： cnki会议评论

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南昌教育学院学报 2011年第5期26卷 70-70,74页

作者：吴小虹刘晔林佳利深圳大学广东深圳518060

目前理工科大学生的综合实验能力和创新意识尚待提高,实验教学方面存在一些普遍的问题。本文通过深圳大学开展的"综合性、设计性、探索研究性"实验教学改革,以《MSK调制解调实验》为例,阐述了三性实验对学生综合实验能力的作用。

关键词：综合实验能力三性实验理工科

高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制

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半导体光电 2015年第3期36卷 382-385页

作者：林秀其柳铭岗杨亿斌任远陈扬翔向鹏陈伟杰韩小标藏文杰林佳利罗慧廖强张佰君中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室广州510275

采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空... 详细信息

采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。

关键词：高反射率电极表面粗化光萃取效率

Influences of stress on the properties of GaN/InGaN multiple quantum well LEDs grown on Si(111) substrates

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Chinese Physics B 2015年第6期24卷 656-661页

作者：柳铭岗杨亿斌向鹏陈伟杰韩小标林秀其林佳利罗慧廖强臧文杰吴志盛刘扬张佰君 School of Physics and Engineering State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and TechnologiesSun Yat-Sen University

The influences of stress on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells （MQWs） grown on silicon substrate were investigated. The different stresses were induced by growing InGaN and A1GaN insertion layers （IL） respectively before the growth of MQWs in metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） system. High resolution x-ray diffrac- tion （HRXRD） and photoluminescence （PL） measurements demonstrated that the InGaN IL introduced an additional ten- sile stress in n-GaN, which released the strain in MQWs. It is helpful to increase the indium incorporation in MQWs. In comparison with MQWs without the IL, the wavelength shows a red-shift. A1GaN IL introduced a compressive stress to compensate the tensile stress, which reduces the indium composition in MQWs. PL measurement shows a blue-shift of wavelength. The two kinds of ILs were adopted to InGaN/GaN MQWs LED structures. The same wavelength shifts were also observed in the electroluminescence （EL） measurements of the LEDs. Improved indium homogeneity with InGaN IL, and phase separation with A1GaN IL were observed in the light images of the LEDs.

关键词： GaN/InGaN LEDs stress indium composition

Performance improvement of Ga N-based light-emitting diodes transferred from Si(111) substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes

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Chinese Physics B 2015年第3期24卷 428-433页

作者：柳铭岗王云茜杨亿斌林秀其向鹏陈伟杰韩小标臧文杰廖强林佳利罗慧吴志盛刘扬张佰君 State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Sun Yat-sen University

Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells（MQWs） light-emitting diodes（LEDs） are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes. The vertical-conducting n-side-up configuration of the LED is achieved by using the through-hole structure. The widened embedded p-electrode covers almost the whole transparent conductive layer（TCL）, which could not be applied in the conventional p-side-up LEDs due to the electrodeshading effect. Therefore, the widened p-electrode improves the current spreading property and the uniformity of luminescence. The working voltage and series resistance are thereby reduced. The light output of embedded wide p-electrode LEDs on Cu is enhanced by 147% at a driving current of 350 m A, in comparison to conventional LEDs on Si.

关键词： light-emitting diodes embedded wide p-electrodes Si substrate electroplating Cu submount

In-situ wafer bowing measurements of GaN grown on Si(111) substrate by reflectivity mapping in metal organic chemical vapor deposition system

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Chinese Physics B 2015年第9期24卷 362-366页

作者：杨亿斌柳铭岗陈伟杰韩小标陈杰林秀其林佳利罗慧廖强臧文杰陈崟松邱运灵吴志盛刘扬张佰君 State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Sun Yat-Sen University School of Physics and Engineering Institute of Power Electronics and Control TechnologySun Yat-Sen University

In this work, the wafer bowing during growth can be in-situ measured by a reflectivity mapping method in the 3×2 Thomas Swan close coupled showerhead metal organic chemical vapor deposition（MOCVD） system. The reflectivity mapping method is usually used to measure the film thickness and growth rate. The wafer bowing caused by stresses（tensile and compressive） during the epitaxial growth leads to a temperature variation at different positions on the wafer, and the lower growth temperature leads to a faster growth rate and vice versa. Therefore, the wafer bowing can be measured by analyzing the discrepancy of growth rates at different positions on the wafer. Furthermore, the wafer bowings were confirmed by the ex-situ wafer bowing measurement. High-resistivity and low-resistivity Si substrates were used for epitaxial growth. In comparison with low-resistivity Si substrate, Ga N grown on high-resistivity substrate shows a larger wafer bowing caused by the highly compressive stress introduced by compositionally graded Al Ga N buffer layer. This transition of wafer bowing can be clearly in-situ measured by using the reflectivity mapping method.

关键词： stresses metal organic chemical vapor deposition wafer bowing in-situ reflectivity mapping