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用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质

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Journal of Semiconductors 1993年第10期14卷 644-647页

作者：张秀淼石国华杨爱龄杭州大学电子工程系杭州310028

本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及... 详细信息

本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及其成键状态,结果表明氮化硅膜中的氢含量是较高的,且氢原子大部分都与氮原子键合,在一定的意义上,可以把此膜看作是硅-氮-氢三元系。

关键词：氮化硅杂质俄歇电子能谱成份

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发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象

发光学报 2002年第6期23卷 575-578页

作者：傅柔励傅丽伟杨爱龄中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 浙江大学信息与固体电子系浙江杭州310028

揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变。

关键词：发光聚合物光激发磁化率极化子光电功能材料

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低温生长的ZnO单晶薄膜的结构和性能

材料研究学报 2000年第5期14卷 485-488页

作者：邱东江吴惠桢杨爱龄徐晓玲浙江大学浙江大学西溪校区物理系杭州市310028

采用电子束反应蒸镀方法在玻璃衬底上在低温下外延生长了沿ｃ－轴高度取向的单晶ＺｎＯ薄膜，研究了衬底温度及反应气氛中的Ｏ２对薄膜结构的影响，结合荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）研究了玻璃上ＺｎＯ薄膜的光学跃... 详细信息

采用电子束反应蒸镀方法在玻璃衬底上在低温下外延生长了沿ｃ－轴高度取向的单晶ＺｎＯ薄膜，研究了衬底温度及反应气氛中的Ｏ２对薄膜结构的影响，结合荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）研究了玻璃上ＺｎＯ薄膜的光学跃迁特性．在３２５℃下获得的单晶薄膜（００２）晶面的ｘ射线衍射峰强度最大且线宽最窄（０．２８）．反应气氛中的Ｏ２对ＺｎＯ薄膜结构的影响不明显，但对薄膜的ＰＬ及ＰＬＥ特性的影响显著．

关键词：电子束反应蒸镀单晶ZnO薄膜玻璃衬底低温生长

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PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系

杭州大学学报（自然科学版） 1990年第2期17卷 174-183页

作者：杨爱龄张秀淼邵迪玲杭州大学电子工程系

本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加,固定界面正电荷密度与陷阱... 详细信息

本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加,固定界面正电荷密度与陷阱密度均在10^(12)/cm^2量级,膜的导电机理显示Poole-Frenkel发射,当Si/N比为1.25～0.81时,膜的击穿场强为3.0～8.5MV/cm.

关键词：氮化硅薄膜 PECVD 性质生长条件

(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的理论研究

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杭州大学学报（自然科学版） 1989年第3期16卷 273-277页

作者：杨爱龄傅柔励杭州大学电子工程系中科院上海技术物理所

本文用半经验紧束缚法研究了(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格,计算了其能隙随层厚的变化,其结果能说明超晶格体系的准二维特性,表明(7,7)超晶格已足以模拟异质界面问题,并指出(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的禁带中很可能存在界面态。

关键词：硒化锌锗超晶格晶体紧束缚法

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皮秒级光控光开关研究现状

光通信技术 2003年第1期27卷 38-41页

作者：陈克坚杨爱龄江晓清王明华浙江大学信息工程与电子工程系杭州310027

介绍了目前常用的几种光控光开关(M-Z型、平面反射型、光克尔型、NOLM型、频移型等)的工作原理、性能和应用;介绍了几类对全光开关研究有十分重要意义的新材料;最后探讨了关于如何能够更好的研究光控光开关的一些思路。

关键词：皮秒级光控光开关研究现状 PS级开关速度光学元器件原理

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光注入X结GaAs全光开关的设计

光电子．激光 2004年第4期15卷 406-409页

作者：陈克坚杨爱龄唐奕江晓清王明华浙江大学信息工程与电子工程系浙江杭州310027

设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明,改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其... 详细信息

设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明,改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其开关速度可达100～102ns。

关键词：全内反射光注人全光开关砷化镓 X结GaAs 开关速度器件设计

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量子阱结构中的等效宽度分析

Journal of Semiconductors 2002年第7期23卷 725-730页

作者：周小平周剑英杨爱龄李锡华江晓清王明华浙江大学信息与电子工程学系杭州310027

在有效质量近似下 ,分析了有限深势阱的电子基态能级 ,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较 ,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式 ,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好 .分析了两种模型下的波... 详细信息

在有效质量近似下 ,分析了有限深势阱的电子基态能级 ,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较 ,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式 ,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好 .分析了两种模型下的波函数和结合能 ,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性 .

关键词：量子阱等效宽度结合能 GaAs/GaAlAs 光学性质

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量子阱结构的等效宽度新公式

光电子．激光 2002年第9期13卷 881-884页

作者：周小平周剑英杨爱龄李锡华江晓清王明华浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027

在有效质量近似下 ,分析了 Ga As/ Ga Al As量子阱结构中有限深势阱 (FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级 ,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式 ,发现结果与前人的数据吻合得很好 ;进一步的分析表明 ,该公式... 详细信息

在有效质量近似下 ,分析了 Ga As/ Ga Al As量子阱结构中有限深势阱 (FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级 ,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式 ,发现结果与前人的数据吻合得很好 ;进一步的分析表明 ,该公式在非零电场下仍然适用 ,并从波函数角度进行了论证。

关键词：量子阱等效宽度 GaAs/GaAlAs 有限深势阱无限深势阱 FPB IPB