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衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究
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光子学报 1998年 第2期27卷 147-151页
作者: 杨李茗 虞淑环 许乔 舒晓武 杨国光 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室
本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明:反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点,对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本... 详细信息
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大型环抛面形实时监测与控制
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强激光与粒子束 2012年 第2期24卷 399-402页
作者: 欧光亮 杨李茗 王琳 何曼泽 刘义彬 成都精密光学工程研究中心 成都610041
为解决大型激光驱动器建设中的关键工艺大型精密环形抛光技术一直存在着的控制困难、精度收敛不稳定的难题,分析了环形抛光加工中面形调整控制机理和本质,找到了传统调节控制和判断方法中的缺陷,提出了一种对环抛机面形变化基本实时的... 详细信息
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宽角束传播法用于计算透射光栅特性
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光子学报 2002年 第Z2期31卷 263-267页
作者: 杨春林 杨李茗 周礼书 成都精密光学工程研究中心,成都610041
基于Pade近拟,并在透明边界条件下利用宽角束传授法对透射光栅的性质进行了详细的分析。介绍了所使用的数值模拟方法的理论模型,并对高斯光束通过光栅后的光场分布和光栅的衍射效率进行了数值求解。
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影响超精密环抛相对磨削量因素的计算模拟
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光电工程 2004年 第4期31卷 67-71页
作者: 曹冲 冯国英 杨李茗 王岚 高耀辉 朱海波 陈建国 四川大学电子信息学院 四川成都610064 成都精密光学工程研究中心 四川成都610041
利用Preston方程,考虑了超精密环抛中的诸因素,如工件和磨盘转速比、偏心距以及压强,计算模拟了它们对磨削效果的影响。模拟表明,当转速比越接近1或偏心距越大时,磨削越均匀;均匀分布的压强越大,磨削越不均匀。在这三个影响因素中,转速... 详细信息
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用湿法刻蚀技术制作衍射光学元件
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光子学报 2002年 第Z2期31卷 169-172页
作者: 周礼书 敬守勇 杨李茗 杨春林 成都精密光学工程研究中心,四川成都610041
研究了氢氟酸(HF)湿法刻蚀石英玻璃的化学机理,探索了针对衍射光学元件制作的刻蚀工艺,得到相关实验规律和工艺参数。最后对实验误差进行定量分析,得到湿法刻蚀的可控精度。
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影响连续相位板聚焦性能的主要因素
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强激光与粒子束 2012年 第7期24卷 1741-1744页
作者: 张远航 杨春林 温圣林 颜浩 王健 杨李茗 成都精密光学工程研究中心 成都610041
为提高惯性约束聚变系统中聚焦光斑的能量集中度,分析了在应用过程中影响连续相位板性能的主要误差来源,并建立了相应的数学模型。通过分析得出存在误差时远场焦斑的能量集中度和均方根值,且口径误差、对准误差、振幅畸变误差对连续相... 详细信息
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用耦合波法分析平面镀膜分频光栅的特性
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光子学报 2004年 第6期33卷 751-754页
作者: 杨春林 许乔 周礼书 杨李茗 成都精密光学工程研究中心 成都610041
使用严格的耦合波理论分析了ICF系统的色分离光栅 (CSG)特性 ,特别针对平面镀膜减反后的情况进行了详细的讨论 模拟计算结果表明 ,与未镀膜的裸光栅相比 ,采用文中所述方法设计的镀膜光栅有很好的减反增透效果 。
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光学元件表面缺陷的显微散射暗场成像及数字化评价系统
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光学学报 2007年 第6期27卷 1031-1038页
作者: 杨甬英 陆春华 梁蛟 刘东 杨李茗 李瑞洁 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室 杭州310027 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 绵阳621000
根据国际ISO10110-7的表面缺陷标准及惯性约束聚变(ICF)工程标准,提出了一种新颖的光学元件表面缺陷的光学显微散射成像及数字化评价系统,多束光纤冷光源呈环状分布并以一定角度斜入射到数毫米视场的被检表面,形成适合数字图像二值化处... 详细信息
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激光驱动飞片超高速发射技术实验研究
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强激光与粒子束 2010年 第12期22卷 3011-3014页
作者: 代福 龚自正 曹燕 牛锦超 童靖宇 向树红 杨李茗 北京卫星环境工程研究所 北京100094 成都精密光学工程研究中心 成都610041
介绍了影响激光驱动超高速发射技术的各种因素。分析了激光能量、激光光束空间分布对飞片发射速度及完整性的影响和飞片靶镀膜工艺对飞片速度及完整性的影响。结果表明:空间分布为"平顶型"的激光束有利于发射出完整的飞片。在膜与基底... 详细信息
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光学元件精密加工中的磁流变抛光技术工艺参数
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强激光与粒子束 2013年 第9期25卷 2281-2286页
作者: 秦北志 杨李茗 朱日宏 侯晶 袁志刚 郑楠 唐才学 成都精密光学工程研究中心 成都610041 南京理工大学电子工程与光电信息技术学院 南京210094
为了充分掌握磁流变抛光中磁场强度、浸入深度、抛光轮转速、磁流变液水分含量等工艺参数对抛光结果的影响规律,以期提高元件的面形精度和表面的质量,在研究了磁流变抛光材料的去除数学模型的基础上,结合实验室的PKC100-P1型抛光设备,... 详细信息
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