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科技进步对我国经济发展的贡献率分析

现代商业 2019年第3期 118-119页

作者：杨曜源长沙县第一中学湖南长沙410138

当前我国经济转型的脚步越来越快,科技进步的重要性愈加凸显。本文立足于1978——2017年40年间的各种经济数据,通过实证分析得出了我国不同地区的资本贡献率、劳动贡献率和科技进步贡献率,进一步分析得知资金投入对我国经济发展仍有重... 详细信息

当前我国经济转型的脚步越来越快,科技进步的重要性愈加凸显。本文立足于1978——2017年40年间的各种经济数据,通过实证分析得出了我国不同地区的资本贡献率、劳动贡献率和科技进步贡献率,进一步分析得知资金投入对我国经济发展仍有重要影响,科技进步贡献率地区差异较大,仍需不断调整并给出了具体的政策建议。

关键词：科技进步经济发展贡献率分析

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关于学校教务管理工作的思考

科教文汇 2009年第34期 58-58,88页

作者：杨曜源北京邮电大学民族教育学院北京102209

教务管理是教学管理的核心。本文探讨了教务管理工作的基础内容、根本作用和基本内涵,指出教务管理工作具有原则性、重复性与创新性并存的特点。要提高学校的教务管理工作水平,一方面要加强教务管理队伍建设,努力提高教务管理人员的素质... 详细信息

教务管理是教学管理的核心。本文探讨了教务管理工作的基础内容、根本作用和基本内涵,指出教务管理工作具有原则性、重复性与创新性并存的特点。要提高学校的教务管理工作水平,一方面要加强教务管理队伍建设,努力提高教务管理人员的素质;另一方面要优化教务管理制度和管理模式,不断创新教务管理。

关键词：教务管理基础创新

低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

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稀有金属材料与工程 2005年第2期34卷 306-308页

作者：周育先方珍意潘伟杨曜源张力强王向阳肖红涛中非人工晶体研究院北京100018 清华大学北京100084

以单质 Zn,Se 和 H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为 630℃～750℃,压力为 300 Pa～1 000 Pa条件下制备出了性能优异的 ZnSe 多晶材料。性能测试表明,制备出的 CVD ZnSe 多晶材料在 0.55 μm^22 μm, 及 8 μm^14 μm 波段的... 详细信息

以单质 Zn,Se 和 H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为 630℃～750℃,压力为 300 Pa～1 000 Pa条件下制备出了性能优异的 ZnSe 多晶材料。性能测试表明,制备出的 CVD ZnSe 多晶材料在 0.55 μm^22 μm, 及 8 μm^14 μm 波段的平均透过率超过 70% (1 mm 厚),在 3.39 μm 处的应力双折射为 54 nm/cm。其光学透过性能与美国采用Zn 和 H2Se 气体为原料制备出的 CVD ZnSe 多晶非常接近。

关键词： ZnSe 红外化学气相沉积 CVD 透过

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化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶

硅酸盐学报 2004年第8期32卷 946-949页

作者：杨曜源方珍意蔡以超王向阳张力强肖红涛田鸿昌东艳萍李卫郝永亮人工晶体研究院北京100018

采用化学气相沉积 (CVD)法 ,在ZnSeH2 -Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体。测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱 ,用光学显微镜观察了样品的显微形貌 ;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响。研究结果表明 :通... 详细信息

采用化学气相沉积 (CVD)法 ,在ZnSeH2 -Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体。测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱 ,用光学显微镜观察了样品的显微形貌 ;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响。研究结果表明 :通过优化的生长工艺 ,生长温度在 5 0 0～ 75 0℃ ,压力在 10 0～ 15 0 0Pa的范围内 ,可以制备出高质量ZnSe多晶体 ;在 8～ 12 μm波段范围内 ,其红外透过率达70 %以上。

关键词：硒化锌化学气相沉积法红外晶体

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硒化锌单晶的应用及制备技术

硒化锌单晶的应用及制备技术

中国硅酸盐学会2003年学术年会

作者：李卫杨曜源丁进刘莹沙方珍意中非人工晶体研究院

目前用于蓝光LED的ZnSe宽带隙光发射器件的寿命远未达到实用化标准。研究认为,该器件快速退化的主要原因是Ⅱ-Ⅵ族ZnSe与现用基底材料Ⅲ-Ⅴ族GaAs界面的结构缺陷。目前大多数Znse基Ⅱ-Ⅵ化合物半导体是通过在GaAs基底上进行分子束外延(M...

目前用于蓝光LED的ZnSe宽带隙光发射器件的寿命远未达到实用化标准。研究认为,该器件快速退化的主要原因是Ⅱ-Ⅵ族ZnSe与现用基底材料Ⅲ-Ⅴ族GaAs界面的结构缺陷。目前大多数Znse基Ⅱ-Ⅵ化合物半导体是通过在GaAs基底上进行分子束外延(MBE)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)得到的。而GaAs和ZnSe之间存在晶格失配(0.28%)和热膨胀系数差异(20%),由此引起基底和外延层之间高度的堆垛层错和位错,此外,用GaAs作基底,界面上的GaSe会引起bow-tie缺陷,这些如同堆垛层错和相关的线缺陷在激光器工作中诱发暗线(斑)缺陷的形成,工作时这些缺陷传播到有

关键词：

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金刚石薄膜与CVD硫化锌复合技术的研究

金刚石薄膜与CVD硫化锌复合技术的研究

中国硅酸盐学会2003年学术年会

作者：李卫刘莹沙丁进杨曜源方珍意中非人工晶体研究院

CVD硫化锌是在航空光学系统,特别是8～12μm波段(大气的第3个红外窗口)经常使用的红外材料,但该材料很软,在雨天和沙尘天气中容易受损。而金刚石薄膜红外透过波段宽,且有着高硬度、高热导率、良好的耐磨性、耐腐蚀性及化学稳定性等优良...

CVD硫化锌是在航空光学系统,特别是8～12μm波段(大气的第3个红外窗口)经常使用的红外材料,但该材料很软,在雨天和沙尘天气中容易受损。而金刚石薄膜红外透过波段宽,且有着高硬度、高热导率、良好的耐磨性、耐腐蚀性及化学稳定性等优良性能,使它非常适宜作为红外窗口。但要得到厚度达mm级且双面抛光的金刚石膜非常困难,也十分昂贵。硫系玻璃由于具有较大的质量和较弱的键强,从而具有较长的透红外截止波长,早在50年代就开始被作为透红外材料使用。

关键词：

来源： cnki会议评论

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CVD方法生长平面和曲面块状多晶硫化锌

人工晶体学报 2000年第1期29卷 30-33页

作者：王和明蔡以超杨曜源东燕萍王永杰闫泽武人工晶体研究所北京100018

采用化学气相沉积方法成功地生长出硫化锌多晶红外光学材料。加工后的成品多晶硫化锌尺寸为直径 150mm ,厚度为 6mm ;既有曲面的整流罩 ,又有平面窗口 ,蒸镀多层防反膜。由于采用了自制的活性硫化氢为原料 ,以及较好的工艺生长条件 ,生... 详细信息

采用化学气相沉积方法成功地生长出硫化锌多晶红外光学材料。加工后的成品多晶硫化锌尺寸为直径 150mm ,厚度为 6mm ;既有曲面的整流罩 ,又有平面窗口 ,蒸镀多层防反膜。由于采用了自制的活性硫化氢为原料 ,以及较好的工艺生长条件 ,生长的硫化锌红外光学材料长波透射比达到理论值 75%。镀多层防反膜以后 ,中、长红外波段透过率均有所提高 ,但镀膜技术还有待改进。文中对硫化锌的透过曲线进行了分析与比较 ,结果表明我们生长的硫化锌杂质较少 ,是红外透过率高的原因。文中还测试了硫化锌的其它主要性能。

关键词： CVD 硫化锌红外材料块状多晶红外光谱

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ZnS晶体的化学气相沉积生长

人工晶体学报 2004年第1期33卷 92-95页

作者：杨曜源李卫张力强蔡以超王向阳肖红涛田鸿昌东艳萍方珍意郝永亮人工晶体研究院北京100018

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素。结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的... 详细信息

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素。结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上。

关键词： ZnS晶体化学气相沉积法疏化锌红外材料物理性能化学性能长波红外透过率

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工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

人工晶体学报 2004年第2期33卷 238-240页

作者：杨曜源蔡以超东艳苹张力强王向阳肖红涛田鸿昌李卫郝永亮方珍意中非人工晶体研究院 100018

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律。实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率... 详细信息

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律。实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大。在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体。

关键词： CvD法制备方法 ZnS晶体沉积速率红外光学材料