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给/吸电子基团取代对PPV类电致发光聚合物光电特性的影响

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高等学校化学学报 2002年第12期23卷 2340-2343页

作者：黄宗浩段雪梅阚玉和康博南苏忠民唐前林杜国同东北师范大学化学学院功能材料化学研究所长春130024 吉林大学光电子国家重点实验室长春130023

用量子化学的 AM1和 EHMACC/CO方法计算 PPV,MEH-PPV和 CN-PPV的电子和能带结构 ,讨论了烷氧基 (— OR)和氰基 (— CN)侧基取代对 PPV类电致发光聚合物光电特性的影响 .计算结果表明 :给电子基团 (—OR)取代使聚合物的 HOCO(最高占据晶... 详细信息

用量子化学的 AM1和 EHMACC/CO方法计算 PPV,MEH-PPV和 CN-PPV的电子和能带结构 ,讨论了烷氧基 (— OR)和氰基 (— CN)侧基取代对 PPV类电致发光聚合物光电特性的影响 .计算结果表明 :给电子基团 (—OR)取代使聚合物的 HOCO(最高占据晶体轨道 )能级升高 ,电离势减小 ,而吸电子基团 (— CN)取代使 LUCO(最低未占据晶体轨道 )能级降低 ,电子亲和势增大 ,两者都使聚合物能隙降低 ,同时使聚合物的导电类型由 PPV的 p型转变成 CN-PPV的 n和 p兼容型 .该结果解释了 MEH-PPV和 CN-PPV光谱的红移及 CN-PPV高的电致发光效率 ,为设计新型高效的 PPV类电致发光聚合物提供了理论基础 .

关键词：光电特性 PPV类电致发光聚合物吸电子取代基能带结构量子化学聚对苯乙炔分子基团

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垂直腔面发射激光器的动态特性分析

光电子．激光 2000年第4期11卷 345-348页

作者：宋俊峰付艳萍刘杨殷景志康博南杜国同吉林大学电子工程系

本文给出了动态的垂直腔面发射速率方程 ,并由此推出了瞬态下的衰减因子和张弛振荡频率的计算公式 ,以及小信号调制下的光子、载流子的响应函数表达式。计算结果表明 ,在瞬态下衰减因子随β的增加明显变大 ,它使张弛振荡过程变短 ;在小... 详细信息

本文给出了动态的垂直腔面发射速率方程 ,并由此推出了瞬态下的衰减因子和张弛振荡频率的计算公式 ,以及小信号调制下的光子、载流子的响应函数表达式。计算结果表明 ,在瞬态下衰减因子随β的增加明显变大 ,它使张弛振荡过程变短 ;在小信号调制下 ,多量子阱的周期增益结构比一般的垂直腔面发射结构有更大的调制带宽。

关键词：垂直腔面发射激光器动态特性小信号分析

混合抛物面反射二维面发射可见光半导体激光器

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Journal of Semiconductors 1990年第2期11卷 158-161页

作者：张晓波杜国同高鼎三吉林大学电子科学系

研制成功一种新型混合式面发射半导体激光器。它由水平端发射列阵激光器和蒸金GaAs反射抛物面构成。已实现的二维六单元面列阵激光器室温脉冲峰值功率达230mw。

关键词：半导体激光器可见光抛物面

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一定可视角的超高亮度蓝光LED

半导体光电 2002年第4期23卷 245-246页

作者：殷宗友 Densen Cao 杜国同李正庭杨树人吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130023 CAO GROUP INC.8683 South 700 West SandyUT 84070

报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)的实验结果。在室温下 ,正向电压为 3.3V和电流为 35 0mA时 ,其轴向亮度为 16× 10 4 cd/m2 ,可视角为 98°。

关键词：蓝光发光二极管大面积点光源超高亮度封装工艺

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非对称补偿条形复合腔半导体激光器列阵

光学学报 1989年第1期9卷 23-27页

作者：王政杜国同高鼎三吉林大学电子科学系

本文描述了一种新结构半导体激光器阵列——非对称补偿条形复合腔半导体激光器阵列.这种列阵是由7个或9个非对称半腔长交叉错开的条形电极形成7个或9个复合腔结构,光束在腔中以交叉的方式耦合.从该结构列阵得到了直到1.6I_(th)、发散角... 详细信息

本文描述了一种新结构半导体激光器阵列——非对称补偿条形复合腔半导体激光器阵列.这种列阵是由7个或9个非对称半腔长交叉错开的条形电极形成7个或9个复合腔结构,光束在腔中以交叉的方式耦合.从该结构列阵得到了直到1.6I_(th)、发散角仅为3～4°的单瓣远场图样.

关键词：半导体激光器复合腔补偿条形

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基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件

光电子．激光 2010年第4期21卷 524-528页

作者：范昭奇程传辉申人升李万成王瑾白青龙夏道成杜国同大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012 运城学院化学系山西运城044000

制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。

关键词：酞菁有机电致发光器件(OLED) 近红外(NIR)

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窄台衬底内条形半导体激光器

发光学报 1990年第2期11卷 126-131页

作者：张晓波邹峥杜国同高鼎三吉林大学电子科学系

研制了一种新型结构双异质结半导体激光器,这种激光器是利用非平面衬底液相外延的特点,使电流阻挡层和四层双异质结构在腐蚀成窄台的衬底上一次外延完成生长,内条形电流通路在外延生长中自然形成。工艺特别简单,且具有良好线性输出和稳... 详细信息

研制了一种新型结构双异质结半导体激光器,这种激光器是利用非平面衬底液相外延的特点,使电流阻挡层和四层双异质结构在腐蚀成窄台的衬底上一次外延完成生长,内条形电流通路在外延生长中自然形成。工艺特别简单,且具有良好线性输出和稳定基横模式振荡等特点。

关键词：激光器半导体