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对我国甲级职业足球俱乐部经营管理现状的初步研究
对我国甲级职业足球俱乐部经营管理现状的初步研究
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第五届全国体育科学大会
作者: 何志林 郑鹭宾 李豫东 张忠 上海体育学院
<正>职业足球在中国还属新生事物,而职业足球俱乐部在中国的发展也属初级阶段,尚未成为真正意义上的职业俱乐部,需要企业大量输血,才能维持俱乐部的正常运转。一旦企业的经济效益不佳或领导更迭,将直接威胁到俱乐部的生存。因此,加强...
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CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应
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强激光与粒子束 2015年 第9期27卷 202-206页
作者: 汪波 李豫东 郭旗 文林 孙静 王帆 张兴尧 玛丽娅 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011 中国科学院大学 北京100049
为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输... 详细信息
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浅埋隧道大管幕施工台阶法几何参数优化
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河南大学学报(自然科学版) 2019年 第5期49卷 623-630页
作者: 李豫东 梁斌 赵琳 翟聚云 河南科技大学土木工程学院 河南洛阳471023 中铁十五局集团第三工程公司 成都610097 河南城建学院 河南平顶山467000
研究了浅埋隧道下穿高速公路大管幕施工的台阶法几何参数优化问题.以重庆新白杨湾隧道工程为依托,采用数值模拟方法分析不同台阶参数对初支受力、围岩变形、开挖面稳定性以及对现场施工的影响规律.研究结果表明:拱顶沉降和水平收敛随着... 详细信息
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应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计
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半导体技术 2012年 第7期37卷 562-566页
作者: 张乐情 郭旗 李豫东 卢健 张兴尧 胥佳灵 于新 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京100049
电荷耦合器件(CCD)辐射效应测试系统需具备通用性。通常情况下需要为每一种CCD设计一款测试电路,无法满足通用性要求,通用性电路的难点在于不同CCD要求不同的驱动通道数、驱动时序、信号占空比及工作点。提出了一种适用于多种CCD的测试... 详细信息
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超浅埋隧道下穿高速公路施工沉降及控制研究
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河南大学学报(自然科学版) 2020年 第1期50卷 118-126页
作者: 赵琳 李豫东 刘章伟 梁斌 中铁十五局集团第三工程公司 成都610097 河南科技大学土木工程学院 河南洛阳471023
以重庆铁路枢纽东环线新白杨湾下穿高速公路隧道工程为依托,研究了超浅埋隧道下穿高速公路施工沉降及控制问题.结合相关规范和类似隧道工程,提出本工程下穿高速公路路面沉降控制标准为20 mm.采用有限元分析软件MIDAS-GTS NX建立台阶法... 详细信息
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Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array
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Journal of Semiconductors 2012年 第3期33卷 42-47页
作者: 高博 余学峰 任迪远 李豫东 孙静 崔江维 王义元 李明 Xinjiang Technical Institute of Physics&Chemistry Chinese Academy of Sciences Xinjiang Province Key Laboratory of Electronics Information Material and Device Graduate University of the Chinese Academy of Sciences Xinjiang Province Kev Laboratory of Electronics Information Material and Device
SRAM-based FPGA devices are irradiated by ^(60)Coγrays at various aose rates 10 investigate total dose effects and the evaluation method.The dependences of typical electrical parameters such as static power current... 详细信息
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^(60)Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究
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物理学报 2014年 第5期63卷 303-309页
作者: 汪波 李豫东 郭旗 刘昌举 文林 玛丽娅 孙静 王海娇 丛忠超 马武英 中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 中国科学院大学 北京100049 重庆光电技术研究所 重庆400060
对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60Co-γ射线辐照试验,着重分析了对辐射最敏感的暗信号和暗信号非均匀性随总剂量退化... 详细信息
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电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应
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发光学报 2016年 第1期37卷 44-49页
作者: 汪波 李豫东 郭旗 汪朝敏 文林 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学 北京100049 重庆光电技术研究所 重庆400060
为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由于中... 详细信息
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CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究
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核电子学与探测技术 2010年 第8期30卷 1087-1091,1097页
作者: 李茂顺 余学峰 郭旗 李豫东 高博 崔江维 兰博 陈睿 费武雄 赵云 中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京100049
对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在... 详细信息
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埋深对大管幕支护隧道下穿高速公路施工的地表沉降影响研究
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安阳工学院学报 2020年 第4期19卷 59-64,74页
作者: 邢琳斌 李豫东 张敏 梁斌 中铁十五局集团第三工程公司 成都610097 河南科技大学土木工程学院 河南洛阳471023
以重庆铁路枢纽东环线新白杨湾下穿高速公路隧道工程为依托,研究了大管幕支护下隧道埋深对下穿高速公路地表沉降的影响。采用有限元分析软件MIDAS-GTS NX建立隧道施工模型,分析埋深分别为2.5m、3m、4m、6m、10m、和15m共6种工况下地表... 详细信息
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