检索结果-南通市图书馆

CMOS传感器辐射损伤对视觉位姿测量系统性能的影响机制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与激光工程 2017年第B12期46卷 69-73页

作者：冯婕李豫东文林郭旗中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011

视觉位置姿态测量系统是在轨服务系统的重要组成部分。为了准确测量目标航天器部件的位置和姿态,针对CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)图像传感器在空间带电粒子辐照下光电敏感参数衰降,造成视觉系统性能退化的问题,利用C... 详细信息

视觉位置姿态测量系统是在轨服务系统的重要组成部分。为了准确测量目标航天器部件的位置和姿态,针对CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)图像传感器在空间带电粒子辐照下光电敏感参数衰降,造成视觉系统性能退化的问题,利用CMOS传感器辐射损伤对视觉系统性能影响的理论与实验相结合的研究方法,结果显示:对CMOS传感器进行3.0 Me V质子辐照后,随着辐照注量增加,位置解算标准差迅速增大,当质子辐照注量为7.36×1010 p/cm2时,标准差为辐照前的4.41~17.86倍。姿态解算标准差随辐照注量增加而降低,姿态解算标准差在质子辐照注量为7.36×1010p/cm2时为辐照前的2.76~5.85倍。姿态解算精度要优于位置解算精度,这说明质子辐照对视觉系统位置解算精度的影响更大。该结果为掌握视觉系统的空间辐射效应奠定了基础。

关键词：辐射物理性能退化机制辐照 CMOS图像传感器辐射损伤视觉位置姿态测量

CMOS有源像素传感器辐射损伤对星敏感器星图识别影响机理与识别算法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2022年第18期71卷 217-225页

作者：冯婕崔益豪李豫东文林郭旗中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了^(60)Co-γ射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器(complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor,CMOS APS)电离总剂量... 详细信息

为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了^(60)Co-γ射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器(complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor,CMOS APS)电离总剂量效应对星敏感器星图识别的影响机理.通过搭建外场观星试验系统,实际观测天顶和猎户座天区,经过星图数据采集、星点提取与星图识别等试验流程,获得^(60)Co-γ射线辐照后CMOS APS噪声对星图背景灰度均值、识别星点数量的影响机理,并提出一种寻找被辐射噪声湮没星点的识别算法.通过理论推导分别建立了CMOS APS暗电流噪声、暗信号非均匀性噪声和光响应非均匀性噪声与星点质心定位误差的定量关系.研究结果表明^(60)Co-γ射线辐照后星敏感器星图背景灰度均值增大、星点识别数量减少,CMOS APS辐照后噪声增大导致星点质心定位误差增大,从而影响星敏感器的姿态定位精度,该研究结果为高精度星敏感器的设计和抗辐射加固提供一定的理论依据.

关键词：星敏感器辐射损伤机理星图识别互补金属氧化物半导体有源像素传感器识别算法

CMOS APS辐射损伤对星敏感器星图识别影响机理与识别算法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2022年

作者：冯婕崔益豪李豫东文林郭旗中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院大学

为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因，深入研究了;Co-γ 射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器（Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor，简称CMOS APS）电离总...

为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因，深入研究了;Co-γ 射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器（Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor，简称CMOS APS）电离总剂量效应对星敏感器星图识别的影响机理。通过搭建外场观星试验系统，实际观测天顶和猎户座天区，经过星图数据采集、星点提取与星图识别等试验流程，获得;Co-γ 射线辐照后CMOS APS噪声对星图背景灰度均值、识别星点数量的影响机理，并提出一种寻找被辐射噪声湮没星点的识别算法。通过理论推导分别建立了CMOS APS暗电流噪声、暗信号非均匀性噪声和光响应非均匀性噪声与星点质心定位误差的定量关系。研究结果表明;Co-γ 射线辐照后星敏感器星图背景灰度均值增大、星点识别数量减少，CMOS APS辐照后噪声增大导致星点质心定位误差增大，从而影响星敏感器的姿态定位精度，该研究结果为高精度星敏感器的设计和抗辐射加固提供一定的理论依据。

关键词：

辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

原子能科学技术 2021年第12期55卷 2143-2150页

作者：刘炳凯李豫东文林周东郭旗中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

针对空间和核工业应用中辐射引起CMOS图像传感器产生暗电流随机电报信号(DC-RTS)问题,对0.18μm CMOS图像传感器进行不同能量质子、γ射线的辐照试验,辐照后对DC-RTS特征参数进行分析。试验结果表明:由于位移损伤和电离总剂量效应产生的... 详细信息

针对空间和核工业应用中辐射引起CMOS图像传感器产生暗电流随机电报信号(DC-RTS)问题,对0.18μm CMOS图像传感器进行不同能量质子、γ射线的辐照试验,辐照后对DC-RTS特征参数进行分析。试验结果表明:由于位移损伤和电离总剂量效应产生的RTS缺陷不同,两种DC-RTS在台阶、最大跳变幅度、平均时间等参数存在差异。相比于位移损伤产生的DC-RTS,电离总剂量产生的DC-RTS具有跳变幅度小、平均时间长的波动特点,导致此类DC-RTS难以检测分析。像素积分期间传输栅电压会对电离总剂量诱发的DC-RTS产生影响。上述工作为深入认识CMOS图像传感器DC-RTS现象、探索相关抑制技术提供重要参考。

关键词： CMOS图像传感器位移损伤效应电离总剂量效应暗电流随机电报信号

偏高岭土的掺加及养护方式对水泥砂浆性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

偏高岭土的掺加及养护方式对水泥砂浆性能的影响

作者：董豫东河北工业大学

学位级别：硕士

我国是矿产资源非常丰富的国家,近几年来矿产资源的开发力度大大增加,但是矿产资源的利用率却很低,因此产生了很多矿物固体废弃物,特别是矿物资源的尾矿,例如常见的粉煤灰、硅灰、铁尾矿以及偏高岭土等。大量的矿物资源固体废弃物的堆... 详细信息

我国是矿产资源非常丰富的国家,近几年来矿产资源的开发力度大大增加,但是矿产资源的利用率却很低,因此产生了很多矿物固体废弃物,特别是矿物资源的尾矿,例如常见的粉煤灰、硅灰、铁尾矿以及偏高岭土等。大量的矿物资源固体废弃物的堆积不仅造成了环境的污染,而且还带来了大量的资源浪费。我国的偏高岭土和粉煤灰来源广泛,矿藏丰富,理化性质稳定,但利用率却不高。偏高岭土由于本身的粒径很小,表面积很大的特性因此具有很强的填充效应,能够有效填充试样中的孔隙,减小孔隙的大小和数量,使得水泥试样结构更加致密进而提升试样的抗压强度。与此同时,很大的表面积会增加颗粒表面水膜的厚度,表面水膜厚度的增加则会引起体系内自由水含量的降低,这在一定程度上相当于减少了体系中的水灰比,从而使得体系中的反应进一步加快。同时偏高岭土由于本身含有大量高活性的AlO和Si O,因此具有很强的火山灰活性,能消耗硅酸盐水泥体系中的Ca(OH)生成更多的水化硅酸钙凝胶(C-S-H),促进反应向正反应方向进行,加快硅酸盐水泥的反应进程和速度,进一步提升水泥试样的强度和耐久性能,所以探究偏高岭土的掺加对硅酸盐水泥性能的影响十分有实际意义。本文以传统硅酸盐水泥砂浆为对照组,探究了不同取代量偏高岭土(0%、5%、10%、15%、20%)对水泥砂浆力学性能和抗硫酸盐侵蚀性能的影响,采用X射线衍射分析技术和扫描电镜对水化产物的物相组成及微观形貌进行机理分析和解释。最终结果表明:标准养护条件下,偏高岭土能显著提升硅酸盐水泥砂浆的抗压强度,特别是早期强度,掺量10%偏高岭土取代硅酸盐水泥砂浆的试件M10,在一天内的抗压强度是普通硅酸盐水泥砂浆强度的3倍,接近普通硅酸盐水泥试样3 d的抗压强度。掺入偏高岭土的水泥试样相比于普通硅酸盐水泥试样在水化一天后体系中就出现了钙矾石的水化产物,这表明偏高岭土能加快体系的反应进度和速度。这将为水泥制品的早期脱模带来很大的益处,能实现水泥制品的早期成型脱模,缩短养护成型周期,这将为建筑工程中实现水泥制品在实际生产应用方面提供很强的理论参考依据。同时试样M10后期的抗压强度以及耐久性能同样高于其他各组,表现为超强的综合性能。其次,研究表明传统的硅酸盐水泥前期对水的依赖性很强,前期湿养护的时间周期较长。偏高岭土的加入能在很大程度上降低硅酸盐水泥对水对敏感度,减少前期水泥砂浆试样湿养护时间。本文探究了不同的养护方式及偏高岭土掺量对传统硅酸盐水泥砂浆力学性能性能及抗硫酸盐侵蚀耐久性的影响。同时利用了偏高岭土的加入引起砂浆混凝土颗粒表面的水膜厚度增大的理论,对偏高岭土增加水泥强度的结果进行了简单的机理分析。最终结果表明:传统的硅酸盐水泥砂浆前期对湿养护时间的依赖性很强,养护时间不能少于7 d,但偏高岭土的掺入能大大降低硅酸盐水泥对水对敏感度,即使前期三天湿养护时间的偏高岭土水泥砂浆试件28 d的抗压强度也能达到49.1 MPa,可以大大的缩短前期湿养护时间,同时掺有偏高岭土的水泥砂浆试件在抗硫酸盐侵蚀耐久性方面表现也很优异。这将为建筑工程中实现水泥制品的早期脱模提供很强的理论依据,同时此项研究还可以很好地为气候干旱以及盐渍土质地区的建筑建设提供理论参考,具有很大的参考价值。最后,本文探究了标准养护条件下偏高岭土和粉煤灰不同比例(1:1、1:2、1:3、2:1、3:1)的复掺对水泥砂浆试样力学性能及耐久性能的影响。最终结果表明:在偏高岭土与粉煤灰复掺的水泥砂浆试样中,在改善硅酸盐水泥性能方面,偏高岭土相比于粉煤灰更具有优势。同时在标准养护条件下,偏高岭土与粉煤灰复掺的最佳比例为3:1,最佳总取代量为15%,其试样相比于相同养护龄期的其他各组试样具有更优的力学性能和耐久性能,同时研究结果表明偏高岭土与粉煤灰复掺效果要好于偏高岭土单掺的效果,特别是在抗硫酸盐侵蚀的耐久性能方面。

关键词：硅酸盐水泥早期强度养护方式偏高岭土耐久性硫酸盐侵蚀

10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

原子能科学技术 2021年第12期55卷 2135-2142页

作者：冯婕李豫东傅婧文林郭旗中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为分析星敏感器性能下降和姿态测量精度下降的原因,研究了10 MeV质子辐照下8T全局曝光CMOS图像传感器(CIS)电离总剂量(TID)效应和位移损伤效应对星敏感器典型性能参数的影响。分析了CMOS图像传感器暗电流、暗信号非均匀性和光响应非均... 详细信息

为分析星敏感器性能下降和姿态测量精度下降的原因,研究了10 MeV质子辐照下8T全局曝光CMOS图像传感器(CIS)电离总剂量(TID)效应和位移损伤效应对星敏感器典型性能参数的影响。分析了CMOS图像传感器暗电流、暗信号非均匀性和光响应非均匀性随位移损伤剂量(DDD)的变化规律和星敏感器星对角距精度、质心定位精度随DDD的退化规律。该研究从系统角度分析了空间辐射对星敏感器性能参数的影响,为星敏感器在轨姿态误差测量和修正技术的研究奠定基础,同时也为高精度星敏感器的设计提供了一定的理论依据。

关键词：星敏感器 CMOS图像传感器质子辐照性能退化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究

原子能科学技术 2021年第12期55卷 2128-2134页

作者：傅婧李豫东冯婕文林郭旗中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。... 详细信息

本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。

关键词： CMOS图像传感器钳位光电二极管质子辐照电离总剂量位移损伤剂量

CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

核技术 2020年第1期43卷 48-56页

作者：蔡毓龙李豫东文林郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重... 详细信息

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展。简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展。分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考。

关键词： CMOS图像传感器单粒子效应抗辐射加固技术空间辐射

Room-Temperature Annealing of 1 MeV Electron Irradiated Lattice Matched In0.53Ga0.47As/InP Multiple Quantum Wells

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics Letters 2015年第5期32卷 99-102页

作者：王海娇李豫东郭旗玛丽娅文林汪波 Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry Chinese Academy of Sciences Urumqi 830011 Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices Urumqi 830011 University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049

Long-term room-temperature annealing effects of InGaAs/InP quantum wells with different wells （namely triple wells and five wells embedded） and bulk InCaAs are investigated after high energy electron irradiation. It is observed that the photoluminescence （PL） intensity of bulk InGaAs materials is enhanced after low dose electron irradiation and the PL intensity for all the three samples is degraded dramatically when the electron dose is relatively high. With respect to the room-temperature annealing, we find that the PL intensity for both samples recovers relatively fast at the initial stage. The PL performance of multiple quantum-well samples shows better recovery after irradiation compared with the results of bulk InGaAs materials. Meanwhile, the recovery speed factors of multiple quantum-well samples are relatively faster than those of the bulk InGaAs materials as well. We infer that the recovery difference between the quantum-well materials and bulk materials originates from the fact that the radiation induced defects are confined in the quantum wells as a consequence of the free energy barrier between the In0.53Ga0.47 As wells and InP barrier layers.

关键词： InGaAs InP Ga Room-Temperature Annealing of 1 MeV Electron Irradiated Lattice Matched In As/InP Multiple Quantum Wells