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一种线阵红外焦平面的图像处理方法

红外与毫米波学报 2010年第2期29卷 91-93页

作者：李言谨危峻胥学荣中国科学院上海技术物理研究所上海200083

根据线阵碲镉汞焦平面中少数载流子的横向收集物理特性,提出了一种改善红外焦平面图像质量的处理方法,并应用于某试验卫星的遥感图像上.这些遥感图像是采用上海技术物理研究所研制的256元线列焦平面组件获得的.结果表明,经处理后图像的... 详细信息

根据线阵碲镉汞焦平面中少数载流子的横向收集物理特性,提出了一种改善红外焦平面图像质量的处理方法,并应用于某试验卫星的遥感图像上.这些遥感图像是采用上海技术物理研究所研制的256元线列焦平面组件获得的.结果表明,经处理后图像的分辨率和对比度均有显著提高.

关键词：图像处理红外焦平面碲镉汞

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基于弛豫铁电单晶的红外热释电探测器研究

光电子．激光 2012年第3期23卷 451-454页

作者：马学亮邵秀梅于月华李言谨中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039

研究了新型热释电材料驰豫铁电单晶(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMNT)的低损伤减薄工艺、电极成型和耦合封装等关键技术,研制了基于PMNT的单元热释电探测器。对减薄后约30μm晶片材料性能的测试分析表明,部分样品的热释电系数约为9.0... 详细信息

研究了新型热释电材料驰豫铁电单晶(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMNT)的低损伤减薄工艺、电极成型和耦合封装等关键技术,研制了基于PMNT的单元热释电探测器。对减薄后约30μm晶片材料性能的测试分析表明,部分样品的热释电系数约为9.0×10-4 C/m2 K,无明显衰减。采用低噪声电路提取单元探测器的微弱热释电电流,对所研制的单元探测器性能进行了测试分析。

关键词：红外热释电探测器弛豫铁电单晶非制冷

Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的钝化研究

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红外与毫米波学报 2004年第6期23卷 469-472页

作者：孙涛李言谨王庆学陈兴国胡晓宁何力中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心上海200083

用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性.在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS... 详细信息

用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性.在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS钝化层在高温下并不稳定,而CdTe钝化层却能保持较高的耐温性能.

关键词：光伏探测器钝化层介质层 MCT 晶面二维点阵 e光晶体发现

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降低红外焦平面热失配应力方法

科技导报 2011年第8期29卷 27-30页

作者：李言谨中国科学院上海技术物理研究所上海200083

采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力,在碲镉汞/硅/宝石片三层结构中,低温下碲镉汞受到张应力,易于损坏。根据膨胀合金的特性,提出了两种焦平面器件结构,一是将低膨胀合金因瓦材... 详细信息

采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力,在碲镉汞/硅/宝石片三层结构中,低温下碲镉汞受到张应力,易于损坏。根据膨胀合金的特性,提出了两种焦平面器件结构,一是将低膨胀合金因瓦材料置于宝石片下面;二是将定膨胀合金柯伐材料置于硅和宝石片之间,两种结构均可有效降低碲镉汞的热应力。这两种结构已分别用于256×1、256×256和2048×1中波红外碲镉汞焦平面器件的制备,实验结果表明可明显提高碲镉汞焦平面器件的可靠性。

关键词：红外焦平面 HgCdTe 热应力可靠性

HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

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物理学报 2005年第7期54卷 3357-3362页

作者：孙涛陈兴国胡晓宁李言谨中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心上海200083

在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1... 详细信息

在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocal spacemapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1f噪声电流增加的原因.

关键词： HgCdTe 表面漏电流光伏探测器噪声研究高分辨X射线衍射 mapping 1/f噪声长波高温烘烤噪声电流 ZnS space 1/f噪声外延层隧道电流倒易点阵暗电流钝化器件缺陷单层原因 RSM 晶片

测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法

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Journal of Semiconductors 1999年第12期20卷 1129-1131页

作者：李言谨方家熊中国科学院上海技术物理研究所上海200083

根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法．实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度．

关键词：半导体少子漂移迁移率扩散长度测量

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FTIR确定碲镉汞晶片的组分与截止波长

红外与毫米波学报 1997年第4期16卷 316-320页

作者：龚海梅胡晓宁李言谨章莲妹沈杰中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室

采用傅立叶变换红外（ＦＴＩＲ）透射的方法测量了碲镉汞晶片在不同厚度下的透射曲线，运用经验公式确定了其组分及８０Ｋ时的截止波长，并同实测的响应光谱得到的截止波长进行了比较，结果表明，采用该方法预测的截止波长同实际的截止... 详细信息

采用傅立叶变换红外（ＦＴＩＲ）透射的方法测量了碲镉汞晶片在不同厚度下的透射曲线，运用经验公式确定了其组分及８０Ｋ时的截止波长，并同实测的响应光谱得到的截止波长进行了比较，结果表明，采用该方法预测的截止波长同实际的截止波长相对偏差为２．５％，从而为碲镉汞器件制备工艺中材料的筛选、提高投片的准确率提供了重要的参考依据．

关键词：傅立叶变换红外透射碲镉汞组分截止波长

碲镉汞 p^+-on-n长波异质结探测器的研究

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红外与毫米波学报 2004年第6期23卷 423-426页

作者：叶振华吴俊胡晓宁巫艳王建新李言谨何力中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心上海200083

报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和... 详细信息

报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率.

关键词：异质结焦平面器件碲镉汞 MBE 暗电流器件性能湿法腐蚀长波结焦工艺

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线列红外焦平面中几种相关采样法分析

红外与毫米波学报 1999年第1期18卷 41-46页

作者：房骏李言谨陈新禹方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室

介绍了相关双采样法（ＣＤＳ）、四δ采样、差分平均法等方法对像元复位噪声（ＫＴＣ）的抑制作用，从理论上分析了这几种方法对输入噪声的影响．将这几种方法用于线列红外焦平面，并对不同方法对噪声改善的程度进行了实验比较．

关键词：相关采样 KTC噪声红外焦平面 CDS