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背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

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红外与激光工程 2013年第12期42卷 3358-3362页

作者：赵文伯周勋李艳炯申志辉罗木昌重庆光电技术研究所重庆400060

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子... 详细信息

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。

关键词：高量子效率 AlGaN 日盲紫外探测器

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

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半导体光电 2016年第2期37卷 175-177,196页

作者：叶嗣荣周勋李艳炯申志辉重庆光电技术研究所重庆400060

对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电... 详细信息

对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器。

关键词： GaN 雪崩探测器背照式斜台面

高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究

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半导体光电 2014年第2期35卷 176-180页

作者：赵文伯许华胜申志辉叶嗣荣周勋李艳炯黄烈云重庆光电技术研究所重庆400060 中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组... 详细信息

利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。

关键词：日盲探测器抑制比 AIxGal-xN 背照式

应用厚缓冲层实现蓝宝石上高质量AlN外延层的MOCVD生长

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半导体光电 2015年第3期36卷 412-416页

作者：李艳炯赵红赵文伯叶嗣荣杨晓波重庆光电技术研究所重庆400060

在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放。用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明... 详细信息

在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放。用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明所生长外延层表面无裂纹,并显示出清晰的阶梯流表面形貌,其平均粗糙度为0.160nm,KOH腐蚀坑密度为5.8×108 cm-2,(0002)和(10-12)回摆曲线FWHM分别为210″和396″。详细论述了AlN外延层的生长模式、位错行为和应力释放途径。

关键词： AlN MOCVD 原子力显微镜 X射线衍射

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蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长

半导体光电 2010年第6期31卷 895-898页

作者：李艳炯方亮赵红赵文伯周勇杨晓波周勋重庆大学物理学院重庆400044 重庆光电技术研究所重庆400060

结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为3... 详细信息

结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为37″和712″。详细论述了AlN基板的生长模式、位错行为和应力释放途径。

关键词： AlN基板 MOCVD 原子力显微镜 X射线衍射

大功率LED封装用散热铝基板的制备与性能研究

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材料导报 2011年第2期25卷 130-134页

作者：方亮钟前刚何建刘高斌李艳炯郭培重庆大学应用物理系重庆400044 重庆大学光电技术及系统教育部重点试验室重庆400044

通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制... 详细信息

通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制基板和深圳光恒光电公司提供的铝基板上,检测温度与时间变化的关系,结果表明,自制散热铝基板性能更优。

关键词： LED 铝基板阳极氧化热阻厚度绝缘电阻率

多模光纤耦合InGaAsP/InP单光子探测器模块

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半导体光电 2021年第3期42卷 327-331页

作者：崔大健张承赵江林敖天宏李艳炯严银林重庆光电技术研究所重庆400060

针对1064nm波段高灵敏激光测距应用,设计了一种由单光子雪崩光电二极管(SPAD)、微型热电制冷器(TEC)、主动淬灭主动恢复电路(AQAR)、温控单元、高压单元、FPGA等混合集成的高性能单光子探测器模块。SPAD芯片采用了分离吸收渐变电荷倍增(... 详细信息

针对1064nm波段高灵敏激光测距应用,设计了一种由单光子雪崩光电二极管(SPAD)、微型热电制冷器(TEC)、主动淬灭主动恢复电路(AQAR)、温控单元、高压单元、FPGA等混合集成的高性能单光子探测器模块。SPAD芯片采用了分离吸收渐变电荷倍增(SAGCM)的InGaAsP/InP材料结构设计,内部电场分布经Matlab软件仿真,结果显示该结构具有良好的增益特性。SPAD芯片通过TEC制冷保持低温工作来降低暗计数以抑制器件的噪声。低延迟AQAR由高速比较器与宽带放大器构成,淬灭时间约为1.2ns,有效减少了后脉冲效应。测试结果表明,在-30℃,探测效率为30.2%下,暗计数率仅为1.9kHz,在死时间为0.8μs时,后脉冲为10.4%。通过集成化设计的单光子探测器模块具有探测效率高和暗计数率低的优势,能够满足小型化激光测距应用需求。

关键词：集成制冷单光子雪崩光电二极管激光测距 AQAR

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AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究

半导体光电 2018年第2期39卷 156-159,200页

作者：赵文伯叶嗣荣赵红罗木昌周勋杨晓波陈扬李艳炯申志辉柳聪重庆光电技术研究所重庆400060

结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术... 详细信息

结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。

关键词：响应均匀性日盲探测器混合集成结构焦平面阵列

基于扎根理论的乳制品安全综合治理机制政策分析

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食品科学 2024年第8期45卷 272-282页

作者：叶璟李艳南京财经大学管理科学与工程学院江苏南京210023 南京航空航天大学自动化学院江苏南京210016

为提高乳制品安全治理效能,从政策视角探究我国乳制品安全治理的发展脉络和作用机制是必要的。以2002—2021年乳制品政策文本为研究对象,运用扎根理论量化政策文本形成包括治理要素和治理行为的乳制品安全保障体系,并基于量化结果和社... 详细信息

为提高乳制品安全治理效能,从政策视角探究我国乳制品安全治理的发展脉络和作用机制是必要的。以2002—2021年乳制品政策文本为研究对象,运用扎根理论量化政策文本形成包括治理要素和治理行为的乳制品安全保障体系,并基于量化结果和社会网络分析对我国乳制品安全治理演化过程和作用机制进行深入探究。研究发现,我国乳制品安全治理经历了从政府强制监管、应急治理、政主企辅治理到社会共治治理模式的演变过程;整个演变过程体现了国家对治理行动者治理行为与方式的侧重,揭示了乳制品安全综合治理作用机制,治理行动者通过治理行为的相互配合共同作用于治理要素,并经治理要素将其治理作用体现在乳制品安全上,从而保障了乳制品质量安全。

关键词：乳制品安全演化分析政策文本扎根理论社会网络