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SPS多腔烧结碳化硅块材的有限元仿真及实验研究

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成都大学学报（自然科学版） 2024年第1期43卷 88-93页

作者：潘小强李统业陈秋月赖鑫张靖安旭光中国核动力研究设计院四川成都610014 成都大学机械工程学院四川成都610106

通过设计加工具有3个模腔的石墨模具,并建立放电等离子烧结的有限元仿真模型,研究了烧结工艺对碳化硅块材物相及密度等的影响.结果表明,烧结时的电流主要通过石墨压头及样品产生热量实现样品的加热,且当模具温度高于1200 K时,样品中心... 详细信息

通过设计加工具有3个模腔的石墨模具,并建立放电等离子烧结的有限元仿真模型,研究了烧结工艺对碳化硅块材物相及密度等的影响.结果表明,烧结时的电流主要通过石墨压头及样品产生热量实现样品的加热,且当模具温度高于1200 K时,样品中心与模具的温度差异逐步增大,烧结模具的中心区域温度高于模具的温度.此外,采用放电等离子烧结同时制得了3个碳化硅块体,实验结果表明,随烧结温度的增加,烧结助剂钇铝石榴石的含量逐渐减少,而碳化硅的含量及结晶性逐步增加,当烧结温度达到2023 K时,得到了纯相的碳化硅.烧结所得的碳化硅密度为(3.103±0.043)g/cm^(3),致密度为97%.

关键词：碳化硅有限元仿真放电等离子烧结

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认准形势加快我国科技发展的步伐

东岳论丛 1995年第S1期16卷 56-62,55页

作者：李统业日照市委党校

认准形势加快我国科技发展的步伐李统业在当代世界各国的经济社会发展中，科学技术的作用越来越大，科学技术的最新成就已渗透到人类社会活动的所有领域中。加快我国科技发展的步伐，对于振兴国民经济，加快四化建设，具有重要的意义。... 详细信息

认准形势加快我国科技发展的步伐李统业在当代世界各国的经济社会发展中，科学技术的作用越来越大，科学技术的最新成就已渗透到人类社会活动的所有领域中。加快我国科技发展的步伐，对于振兴国民经济，加快四化建设，具有重要的意义。（一）加速发展，必须加快我国科技发...

关键词：科技发展科学技术科技进步新技术革命技术进步社会主义市场经济科技人员科技体制改革发达国国际科技合作

Sb_2O_3掺杂对Pr_6O_11压敏电阻微结构和电学性能的影响

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人工晶体学报 2013年第6期42卷 1041-1045页

作者：王秀芳李统业西南交通大学峨眉校区峨眉614202 西南交通大学材料学院成都610031

采用传统陶瓷工艺制备了Sb2O3掺杂的Pr6O11压敏电阻,并利用现代分析测试技术对其微结构和电学性能进行了研究。样品的相结构比较简单,除了Pr6O11主相外,未发现明显的第二相。样品的相对密度及晶粒尺寸随着Sb2O3掺杂量的提高而降低。非... 详细信息

采用传统陶瓷工艺制备了Sb2O3掺杂的Pr6O11压敏电阻,并利用现代分析测试技术对其微结构和电学性能进行了研究。样品的相结构比较简单,除了Pr6O11主相外,未发现明显的第二相。样品的相对密度及晶粒尺寸随着Sb2O3掺杂量的提高而降低。非线性系数、压敏电压和晶界电阻都呈现出先降低后增加的趋势,非线性系数最高可达134。分析表明,Sb掺杂不与Pr6O11发生固相反应,其高温分解所产生的蒸汽压会降低Pr6O11压敏电阻的相对密度、晶粒尺寸及势垒高度,电学性能的变化要归结于相对密度、晶粒尺寸及势垒高度的共同作用。

关键词：压敏电阻氧吸附 Pr6O11 Sb2O3

核燃料颗粒涂铌沉积室内流态化与CVD反应的耦合数值模拟研究

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核动力工程 2016年第1期37卷 52-56页

作者：李统业王辉陈建华潘小强中国核动力研究设计院反应堆燃料及材料重点实验室成都610041 中国科学院过程工程研究所北京100190

利用Euler-Euler方法对沉积室内的气固两相流场进行计算流体力学(CFD)模拟计算,利用HSC Chemistry软件对还原反应产物进行稳态模拟计算,并将还原反应的计算结果与流场分布的计算结果相结合,拟合得到沉积室内的速度场和组分浓度场。研究... 详细信息

利用Euler-Euler方法对沉积室内的气固两相流场进行计算流体力学(CFD)模拟计算,利用HSC Chemistry软件对还原反应产物进行稳态模拟计算,并将还原反应的计算结果与流场分布的计算结果相结合,拟合得到沉积室内的速度场和组分浓度场。研究结果表明,沉积室内燃料颗粒分布不均匀,在沉积室内存在局部颗粒堆积现象;床料粘结现象可能是由于还原反应副产物低价氯化铌的熔化产生的粘性力引起,沉积室内反应速率及Nb Cl5流量的不均匀性导致副产物生成量大幅提高,进而促进床料的粘结。

关键词：核燃料颗粒涂铌气固两相流计算流体力学(CFD) 化学气相沉积(CVD)

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Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

西南交通大学学报 2009年第6期44卷 963-967页

作者：董亮王豫李德柱李统业严仲明西南交通大学超导研究开发中心四川成都610031

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长... 详细信息

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.

关键词： Ce掺杂 WO3薄膜磁控溅射显微结构电学性质

淬火工艺对纳米前驱体三氧化钨功能陶瓷伏安特性的影响

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功能材料 2009年第8期40卷 1274-1277页

作者：郭娜花中秋李统业董亮王豫西南交通大学材料科学与工程学院四川成都610031 西南交通大学超导研究开发中心四川成都610031

采用自制纳米三氧化钨粉末为原料,以淬火工艺制得纳米基三氧化钨陶瓷。通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析,研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性,结果表明较低温度淬火可以使样品的非线性系数提高到10.93,但随着淬火温... 详细信息

采用自制纳米三氧化钨粉末为原料,以淬火工艺制得纳米基三氧化钨陶瓷。通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析,研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性,结果表明较低温度淬火可以使样品的非线性系数提高到10.93,但随着淬火温度(开始淬火温度)的提高,样品的非线性系数急剧下降,当高于900℃淬火时,样品的电学行为转变为线性,非线性系数约为1。对其进行阻抗谱测量,结合相结构与电学行为的关系,认为相结构的不同造成晶界电阻及势垒的不同,改变了电输运特性,从而使其电学行为改变。

关键词：淬火工艺 WO3陶瓷伏安特性

固相合成法制备ZrW2O8陶瓷及其电学行为研究

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功能材料 2009年第8期40卷 1282-1284页

作者：董亮王豫严仲明李统业李德柱西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室四川成都610031

按Zr和W的原子比为1∶2.1,通过固相反应技术,在1200℃加热24h,然后在冰水中快速冷却,得到立方晶相的ZrW2O8产物,XRD分析表明产物的纯度很高,基本上没有杂项,对样品的电学性能进行了测试,用物性测量系统PPMS测量了在T=39800A/m下样品的... 详细信息

按Zr和W的原子比为1∶2.1,通过固相反应技术,在1200℃加热24h,然后在冰水中快速冷却,得到立方晶相的ZrW2O8产物,XRD分析表明产物的纯度很高,基本上没有杂项,对样品的电学性能进行了测试,用物性测量系统PPMS测量了在T=39800A/m下样品的磁化率(M)随温度的变化,经过分析表明,样品在15和250K左右出现的磁化率明显变化和WO3的相转变温度吻合。

关键词： ZrW2O8 磁化率相变

影响NbCl_5流量的因素及NbCl_5流量与涂铌质量的关系研究

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核动力工程 2012年第S2期33卷 144-148页

作者：刘廷伟张良潘小强李统业代胜平杨静中国核动力研究设计院核燃料元件及材料研究所成都610041

比较研究了NbCl5装载量、内部温度、NbCl5纯度、氩气携带方式与NbCl5平均流量间的关系,探讨了NbCl5流量对物料粘结、涂铌物料质量以及利用率的影响。结果表明,为了相对稳定地控制NbCl5流量,氩气应不通过NbCl5罐,且应根据装载量和预热时... 详细信息

比较研究了NbCl5装载量、内部温度、NbCl5纯度、氩气携带方式与NbCl5平均流量间的关系,探讨了NbCl5流量对物料粘结、涂铌物料质量以及利用率的影响。结果表明,为了相对稳定地控制NbCl5流量,氩气应不通过NbCl5罐,且应根据装载量和预热时升温特性确定加热曲线;在涂铌过程中,NbCl5前期流量一定要小,再逐步缓慢变大,平均流量控制在260 g/h左右,既能保证物料不粘结,又能兼顾涂铌质量和利用率。

关键词： NbCl5 平均流量物料粘结涂铌质量

CuO掺杂对WO_3压敏电阻微结构和电学性能的影响

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功能材料 2009年第12期40卷 2004-2007页

作者：赵洪旺花中秋李统业陈汉军董亮王豫西南交通大学材料科学与工程学院四川成都610031 西南交通大学超导研究开发中心四川成都610031

研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析。结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒... 详细信息

研究了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响,样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜(SEM)观察,相结构和成分借助于X射线衍射(XRD)和能谱(EDS)进行分析。结果表明,微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果,0.2%(摩尔分数)CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复,这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n-p-n型的双肖特基势垒。

关键词：压敏电阻导电陶瓷 WO3 CuO