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AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性

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发光学报 2023年第5期44卷 898-903页

作者：王雪刘乃鑫王兵郭亚楠张晓娜郭凯李勇强张童闫建昌李晋闽山西中科潞安紫外光电科技有限公司山西长治046000 中国科学院半导体研究所半导体照明技术研究开发中心北京100083

在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-Al Ga N材料接触特性的影响。结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO。... 详细信息

在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-Al Ga N材料接触特性的影响。结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO。进一步优化Ni/Au/Ni/Au体系金属厚度,当Ni/Au/Ni/Au各层厚度由20/20/20/20 nm减薄至2/2/5/5 nm,并在600℃空气氛围退火3 min,其与p-AlGaN材料的接触电阻率从3.23×10^(-1)Ω·cm^(2)降到2.58×10^(-4)Ω·cm^(2)。采用上述优化的Ni/Au/Ni/Au体系制备的深紫外LED器件,器件光电特性得到了改善。在150 mA驱动下工作电压低至5.8 V;通过提升电极透过率,光输出功率提升18.9%。

关键词： UV-LED AlGaN NiAu 欧姆接触

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Co掺杂CaO材料的铁磁性研究

西安交通大学学报 2011年第11期45卷 112-115页

作者：赵婧李晋闽夏庆林中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083 中南大学粉末冶金国家重点实验室长沙410083

利用固态反应法制备了具有铁磁性的Co掺杂CaO纳米粉末材料,并对材料的结构和磁学性质进行了研究.X射线衍射和高分辨率透射电镜测试结果表明,材料为单相的CaO立方结构,Co掺杂导致了晶格常数的减小,表明Co离子通过替位Ca离子融入了CaO晶格... 详细信息

利用固态反应法制备了具有铁磁性的Co掺杂CaO纳米粉末材料,并对材料的结构和磁学性质进行了研究.X射线衍射和高分辨率透射电镜测试结果表明,材料为单相的CaO立方结构,Co掺杂导致了晶格常数的减小,表明Co离子通过替位Ca离子融入了CaO晶格.磁性分析表明,该Co掺杂CaO纳米粉末表现出了明显的铁磁特性,临界温度高于70K.通过分析认为,材料的铁磁性是由浅施主缺陷O空位与Co离子耦合形成束缚磁极化子引起的.

关键词：稀磁材料纳米粒子铁磁性固相反应法

高平均功率全固态激光器发展现状、趋势及应用

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激光与光电子学进展 2008年第7期45卷 16-29页

作者：李晋闽中国科学院半导体研究所全固态光源实验室北京100083

综述了目前获得高平均功率全固态激光(DPL)输出的圆棒、板条、薄片和光纤激光器,以及热容激光和相干合成等主要方式的特点、发展历史及国内外最新进展,分析评述了高平均功率全固态激光器的发展趋势,并展望了其在工业和国防领域的应用前景。

关键词：全固态激光高平均功率圆棒激光器板条激光器薄片激光器光纤激光器

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高功率全固态激光器研究及应用

红外与激光工程 2007年第Z1期36卷 269-271页

作者：李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083

介绍了高功率全固态激光器的研究和应用。并对高功率Nd:YAG激光的工业应用进行了初步的探索,为进一步研究和工业化应用提供了技术参考。

关键词：高功率全固态激光工业化应用

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Si基外延GaN的结构和力学性能

材料研究学报 2007年第4期21卷 409-413页

作者：魏同波王军喜刘喆李晋闽中科院半导体研究所北京100083

采用MOCVD技术在Si村底〈111〉面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超品格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的... 详细信息

采用MOCVD技术在Si村底〈111〉面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超品格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是O_N与V_(Ga)所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05N.

关键词：无机非金属材料 GaN CL RBS/沟道临界载荷

场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的理论计算

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物理学报 1992年第10期41卷 1672-1678页

作者：李晋闽郭里辉侯洵中国科学院西安光学精密机械研究所

本文对决定场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的诸因素进行了详细分析。基于电流连续性方程和量子力学的隧道效应,对阴极吸收层中的电子传输、发射层中的电子转移以及表面电子逸出几率等过程进行了定量计算,得到了在不同场助偏压时... 详细信息

本文对决定场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的诸因素进行了详细分析。基于电流连续性方程和量子力学的隧道效应,对阴极吸收层中的电子传输、发射层中的电子转移以及表面电子逸出几率等过程进行了定量计算,得到了在不同场助偏压时,波长与量子效率的关系曲线。计算结果表明,在场助偏压的作用下,可将半导体阴极在0.9—1.25μm范围的量子效率提高两个数量级以上。本文的计算结果对场助半导体阴极的结构设计及工作条件的优化具有一定的帮助。

关键词：光电阴极量子效率半导体材料

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MOCVD生长GaN力学性能研究

稀有金属材料与工程 2007年第3期36卷 416-419页

作者：魏同波王军喜李晋闽刘喆段瑞飞中科院半导体研究所北京100083

采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度... 详细信息

采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1MPa,弹性模量为299.5GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。

关键词： GaN MOCVD 形貌机械性能

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努力改进农村基层党组织建设

党建研究 1993年第3期 30-,7页

作者：李晋闽中共福建省委组织部

党在农村的基层组织是党在农村全部工作和战斗力的基础。在新旧经济体制转换的历史时期,农村基层党建工作怎样才能适应并促进农村市场经济的发展,这是摆在农村各级党组织面前的一大课题。只有以改革创新的精神进行农村基层党组织建设,... 详细信息

党在农村的基层组织是党在农村全部工作和战斗力的基础。在新旧经济体制转换的历史时期,农村基层党建工作怎样才能适应并促进农村市场经济的发展,这是摆在农村各级党组织面前的一大课题。只有以改革创新的精神进行农村基层党组织建设,党在农村的基层组织才能始终充满生机和活力,才能真正成为带领农民群众进行改革和建设的战斗堡垒。

关键词：农村基层党组织农村基层党建基层组织农村市场经济经济体制转换改革创新农村经济改革党组织设置党的组织组织才能

场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算

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科学通报 1992年第7期37卷 598-601页

作者：李晋闽郭里辉侯洵中国科学院西安光学精密机械研究所

一、引言场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽... 详细信息

一、引言场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽然目前场助多元化合物半导体光电阴极的研究已取得了许多成果,但有关理论研究方面的报道却很少见。

关键词：半导体光电阴极异质结时间响应