检索结果-南通市图书馆

低温等离子体对大豆蛋白膜改性及其应用的研究

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

低温等离子体对大豆蛋白膜改性及其应用的研究

作者：李志兵浙江海洋大学

学位级别：硕士

本研究以大豆蛋白作为研究对象,利用低温等离子体对大豆蛋白进行改性,并分析了低温等离子体对大豆蛋白p H、总巯基、持水性等性质的影响。利用改性后的大豆蛋白作为成膜基材,通过单因素实验以及响应面实验优化了大豆蛋白膜的最佳生产工... 详细信息

本研究以大豆蛋白作为研究对象,利用低温等离子体对大豆蛋白进行改性,并分析了低温等离子体对大豆蛋白p H、总巯基、持水性等性质的影响。利用改性后的大豆蛋白作为成膜基材,通过单因素实验以及响应面实验优化了大豆蛋白膜的最佳生产工艺,对比分析了低温等离子体处理后的大豆蛋白膜与普通大豆蛋白膜在稳定性、表面亲疏水性等性质,最后以中华管鞭虾为保鲜对象,研究了两种不同改性方式下的大豆蛋白膜以及普通大豆蛋白膜的保鲜效果。为低温等离子体技术在大豆蛋白膜改性上的应用提供了理论依据。本论文的主要获得的成果有以下三点:1.研究了低温等离子体处理对大豆蛋白的改性效果。低温等离子体的处理对大豆蛋白一、二级结构无影响,但是对大豆蛋白三、四级结构有影响。通过对大豆蛋白的p H、持水性、总巯基、色差、DSC、FIRT以及大豆蛋白凝胶电泳实验的测定,对比分析了低温等离子体处理前后大豆蛋白功能特性的变化。结果发现:随着处理电压的增加使得大豆蛋白的p H逐渐降低;在处理电压为30 k V时大豆蛋白内含有的总巯基含量提升到最高;在处理电压为30 k V时,大豆蛋白的持水性最强。低温等离子体处理大豆蛋白后,大豆蛋白变得暗沉;经低温等离子体处理后,蛋白质变得不稳定;低温等离子体大豆蛋白处理后不会产生新的基团,但是会引起其亲水性的增强;低温等离子体处理并不会破坏大豆蛋白的亚基结构,但是会对大豆蛋白中小分子肽的降解造成影响。2.以断裂伸长率、拉伸强度、水蒸气透过率、二氧化碳透过率、透光率为考查指标开始单因素实验,选取单因素实验中最优的三个水平做响应面的优化实验。以大豆蛋白添加量、低温等离子体处理电压、低温等离子体处理时间、甘油添加量为单因素,通过响应面实验优化最佳大豆蛋白膜的制备工艺为添加量为9g/100m L、处理电压为30 k V、处理时间为3 min、添加甘油量为2.8 g/100m L。经过低温等离子体改性后,促进了大豆蛋白膜中氢键形成,大豆蛋白分子间作用力更大,结合力更强,使得蛋白质之间交联更为紧致,膜的热稳定性更好。改性大豆蛋白膜与普通大豆蛋白膜相比,表面平整光滑更加紧致且没有气泡及裂缝的产生。与普通大豆蛋白膜相比低温等离子体改性后的大豆蛋白胶束更小,有效降低大豆蛋白膜的表面粗糙度。低温等离子体处理增强大豆蛋白膜表面亲水性,使得大豆蛋白膜的水接触角变小。3.在-4℃贮藏温度下,研究普通大豆蛋白膜、大豆蛋白改性膜及预改性大豆蛋白膜对中华管鞭虾的保鲜效果。经过低温等离子体改性的大豆蛋白膜保鲜效果均优于普通大豆蛋白膜。在感官评分及质构参数的对比分析中发现,预改性大豆蛋白膜保鲜下的中华管鞭虾感官评分下降的更慢,中华管鞭的口感也得到了有效的保持。通过对中华管鞭虾TVB-N以及PV的测定,发现预改性大豆蛋白膜可以延缓中华管鞭虾的蛋白质分解及脂质的氧化。通过对中华管鞭虾菌落总数的测定,发现预改性大豆蛋白膜相对于普通大豆蛋白膜在相同贮藏温度下可以延长2d的货架期。

关键词：低温等离子体大豆蛋白膜改性中华管鞭虾保鲜

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体镀膜电源的研究与设计

等离子体镀膜电源的研究与设计

作者：李志兵大连海事大学

学位级别：硕士

随着电子技术的高速发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多,电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切。任何电子设备都离不开可靠的电源,它们对电源的要求也越来越高。现代社会中,对某些产品的硬度都有一定的要... 详细信息

随着电子技术的高速发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多,电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切。任何电子设备都离不开可靠的电源,它们对电源的要求也越来越高。现代社会中,对某些产品的硬度都有一定的要求,为了达到这个目的,在工业生产过程中,往往需要对某些产品进行表面镀膜,以增强其耐磨性和耐刮性;譬如日常生活中的手表和手机外壳、譬如工业领域中用到的钻头,刀片等等。在物理化学领域,这属于表面改性,需要使真空炉中的某些气体在一定的气压和真空度下进行强电场等离子体电离,从而对真空炉中的挂件进行等离子体表面镀膜;这就需要一个高频脉冲电源对真空炉的两个电极施加一定频率的电压场。本论文所研究设计的电源正是满足这种需要的高频脉冲电源。本文所设计的电源采用了三相工频交流电电源输入,经过三相可控硅整流滤波后,再通过全桥逆变和高频变压器升压;控制电路采用PWM(脉宽调制)和PID(比例、微分、积分)控制,从而得到设备所需要的高频方波脉冲。经过理论研究、原理图设计和整机实验,样机基本达到了原先的设计目标,但某些方面还需要进一步的完善和改进。

关键词：等离子体高频开关电源 PWM

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

单粒子效应脉冲故障注入模型研究

单粒子效应脉冲故障注入模型研究

作者：李志兵西安电子科技大学

学位级别：硕士

宇航集成电路的单粒子效应随着工艺进步而日趋严重,研究单粒子效应仿真方法对于促进宇航集成电路设计优化、改进单粒子效应实验方法以及提高宇航集成电路评估充分性具有重要意义。本文基于Gds2mesh、Genius、Design Compiler、Finesim... 详细信息

宇航集成电路的单粒子效应随着工艺进步而日趋严重,研究单粒子效应仿真方法对于促进宇航集成电路设计优化、改进单粒子效应实验方法以及提高宇航集成电路评估充分性具有重要意义。本文基于Gds2mesh、Genius、Design Compiler、Finesim等仿真工具将器件级仿真和晶体管级仿真相结合开展了单粒子效应的仿真研究工作。主要研究工作和成果如下:1、基于Cogenda一整套先进的单粒子仿真工具构建单粒子效应器件级仿真方法,详细阐述了版图绘制、器件建模、高能粒子输运仿真、器件级仿真的实施细节。使用Gds2mesh构建了130nm NMOS三维器件模型并进行初始状态仿真,利用Genius仿真获得了复杂条件(LET、温度、入射位置、漏极偏置、入射角度、粒子种类和能量)影响下的单粒子瞬态电流,详细分析了复杂条件下瞬态电流产生差异的原因,获得了每种条件的最劣情况分别是:LET(100MeV·cm/mg)、温度(423K)、入射位置(1.27μm)、漏极偏置(1.8V)、入射角度(60°)。将LET之外的其它条件设置为最劣情况,仿真获得了不同LET条件下的最劣单粒子瞬态电流。2、对四参数Weibull函数模型进行了推导,推导结果表明:通过对Weibull函数四个参数t、a、b、c的设定,就能够唯一确定电流脉冲的峰值、宽度和变化趋势。使用1stOpt软件并基于四参数Weibull函数和双指数函数对不同LET条件下的最劣单粒子瞬态电流进行拟合,基于四参数Weibull函数拟合的脉冲峰值和脉冲半高宽平均误差分别为4.13%和11.68%,基于双指数函数拟合的脉冲峰值和脉冲半高宽平均误差高达42.91%和330.64%,拟合结果表明四参数Weibull函数的拟合准确性更高,获得了不同LET条件下参数a、b、c的具体数值,并通过数值拟合的方法构建了由LET值唯一决定的最劣单粒子瞬态电流数学解析模型。基于Verilog-A语言和PWL两种方法将解析模型实现为可用于晶体管级仿真的故障注入模型。3、从晶体管级和器件级两个层面针对SRAM六管单元进行单粒子效应仿真,晶体管级仿真获得的SRAM翻转阈值在0.545.548MeV·cm/mg之间,与文献报道的实验结果为0.5MeV·cm/mg相近,相差小于10%。使用Gds2mesh构建SRAM六管单元全物理模型并使用Genius进行器件级仿真,仿真获得SRAM翻转阈值在0.56.58MeV·cm/mg之间。晶体管级仿真与器件级仿真、实验结果一致性较好,表明所构建的故障注入模型准确性较高。详细研究了十管单元电路、DICE单元电路以及ROCK单元电路的抗辐射加固机理,并通过仿真的手段验证及对比了三种电路的加固效果。仿真结果表明:(1)在130nm体硅CMOS工艺下,十管单元电路、DICE单元电路以及ROCK单元电路均能达到抗辐射加固的效果。(2)三种存储单元加固电路中,ROCK单元抗辐射加固效果最好,DICE单元次之,而十管单元抗辐射加固效果最差。4、基于对单粒子敏感节点提取技术和单粒子随机故障注入技术的研究,构建了支持规模集成电路的单粒子效应晶体管级仿真方法,可以实现在随机的时间选取随机的敏感节点注入数量可配置的故障电流源,并且故障电流源的峰值与脉宽在一定范围内随机。基于对故障注入模型和晶体管级仿真方法的研究,开展了典型电路(16位乘法器,规模大约为6000个晶体管)的单粒子效应晶体管级仿真工作。仿真结果表明:(1)针对SUM信号和CO信号故障注入产生的错误个数随LET值近似线性变化,并且SUM信号的单粒子敏感性强于CO信号。(2)关键路径容易受到单粒子的影响而产生功能和时序错误。(3)单粒子对乘法器造成的错误个数随频率的增加而增加。(4)当输入信号依次为16’H0000、16’H000F、16’H00FF、16’H0FFF、16’HFFFF时,乘法器受单粒子影响发生错误的个数依次增加。上述仿真结果符合单粒子与电路的作用规律,表明本文构建的故障注入模型和仿真方法是可行的。

关键词：单粒子效应最劣情况故障注入模型 SRAM 晶体管级仿真乘法器

审查、规制、监察、惩处:美国教师职业行为督责机制及其启示

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

黑龙江高教研究 2023年第6期41卷 69-74页

作者：李志兵南京晓庄学院江苏南京211171 南京师范大学江苏南京211171

美国佛罗里达州有健全的教师职业行为督责机制,法规准则齐全,督责主体明确,职前审查、职后督责机制完善,在教师职业行为审查、规制、监察、问责等方面,积累了较为丰富的经验。美国的有效做法,对新时代加强和改进我国高校师德师风建设具... 详细信息

美国佛罗里达州有健全的教师职业行为督责机制,法规准则齐全,督责主体明确,职前审查、职后督责机制完善,在教师职业行为审查、规制、监察、问责等方面,积累了较为丰富的经验。美国的有效做法,对新时代加强和改进我国高校师德师风建设具有一定的借鉴价值,启示我们,要建立完善的教师入职筛选机制、制定具体的教师职业行为规定、编制法制化的教师职业行为问题审查处置程序。

关键词：教师职业行为督责机制启示

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

带智能控制的LED驱动电路设计

带智能控制的LED驱动电路设计

作者：李志兵电子科技大学

学位级别：硕士

目前，LED照明已得到广泛使用，但驱动电源仍存在着一些问题，如质量不够稳定，效率低，可靠性低，电磁兼容（EMC，Electro Magnetic Compatibility）性差等。所以兼容性好的大功率LED驱动电路的研究和开发非常有理论和实践意义。本文... 详细信息

目前，LED照明已得到广泛使用，但驱动电源仍存在着一些问题，如质量不够稳定，效率低，可靠性低，电磁兼容（EMC，Electro Magnetic Compatibility）性差等。所以兼容性好的大功率LED驱动电路的研究和开发非常有理论和实践意义。本文分析了大功率LED驱动电路的工作原理。对两级有源功率因数校正（PFC，Power Factor Correction）和单级PFC进行了比较。可分为两种类型：两级和单级PFC。两级的PFC电路包括一个PFC级和一个DC/DC级。他们已被广泛应用于笔记本电脑适配器。单级PFC电路集成PFC级和DC/DC级，使拓扑结构变得简单和降低成本。它们适合用于低功耗的应用。LED驱动电路要求是隔离式的，使用单级PFC来实现更加适合，它成本低，功率因数高。通过进一步研究，对单级PFC反激式开关电源做了一些改进，使其性能更好。本文设计中采用单级PFC拓扑结构，同时要求高功率因数校正，恒流限压反馈控制等，通过对这种特殊结构的单级PFC电路的分析，设计了一种LED恒定电流反馈电路以满足这种电路的要求。电源的发热问题得到了充分考虑，维持优异的散热性能以提高电路的性能。通过对高效率，低EMC，低温升，适合单级PFC反激式的开关电源，单级PFC反激式变压器的工作原理的分析后，设计并制作了一款性能优异的开关电源的变压器。本文设计了一款具有多路恒流输出的LED路灯照明系统，该系统采用反激式拓扑结构，同时达到电气隔离与PFC的目的。系统采用两级结构，一级AC-DC实现输入输出隔离和PFC，另一级DC-DC实现三路独立恒流输出。系统在正常输入电压（交流185V～250V）时功率为100W，效率达到了87%，功率因素（PF，PowerFactor）大于0.98，输出电压纹波小于5%。而且本系统还加入了定时自动调光和关机功能。

关键词： LED路灯照明恒流电源功率因素校正(PFC) 反激多路输出

基于FEM-FCT法的均匀电场下SF_6气体击穿特性

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

高电压技术 2014年第10期40卷 3046-3053页

作者：李鑫涛林莘徐建源李志兵沈阳工业大学电气工程学院沈阳110870 中国电力科学研究院北京100192

研究SF6气体放电过程中微观粒子的动力学特性,可以得到临界击穿场强等衡量气体绝缘能力的宏观参量,这些宏观参量对高压开关设备的设计和研发有重要作用.为此,根据流注理论建立了反映气体放电过程中微观粒子动力学特性的流体动力学模型,... 详细信息

研究SF6气体放电过程中微观粒子的动力学特性,可以得到临界击穿场强等衡量气体绝缘能力的宏观参量,这些宏观参量对高压开关设备的设计和研发有重要作用.为此,根据流注理论建立了反映气体放电过程中微观粒子动力学特性的流体动力学模型,将有限单元法与通量校正传输法相结合,求解均匀电场下极间隙为0.5 cm时SF6气体的放电特性,得到了放电过程中带电粒子的动力学行为以及空间电荷对电场的影响.通过循环计算均匀电场中不同电压下SF6气体的放电过程,得到其临界击穿场强.在此基础上,计算不同压强下SF6气体的临界击穿场强,通过与已有的均匀电场中SF6气体临界击穿场强实验值进行对比,验证计算结果的准确性,并分析气体压强对SF6气体击穿特性的影响.计算结果表明：当压强为0.1 MPa时,极间距为0.5 cm的SF6气体在39 kV的外电压下发生击穿,间隙内的电场在6.8 ns时开始发生畸变,此时电子数密度最大值达到2.7＆#215;1017 m-3,随后SF6由绝缘状态发展为导电状态;当气体压强为0.1～0.4 MPa时,SF6的临界击穿场强与气体压强基本呈线性关系.数值计算结果与实验值基本相符,验证了其正确性.

关键词：流注理论气体放电有限元法通量校正传输法 SF6 临界击穿场强 SF6

气体绝缘开关设备中特快速瞬态过电压的全过程测量方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国电机工程学报 2011年第31期31卷 18-27页

作者：岳功昌刘卫东陈维江关永刚李志兵王浩电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系) 北京市海淀区100084 国家电网公司北京市西城区100031 中国电力科学研究院北京市海淀区100192

特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltages,VFTO)是超/特高压气体绝缘开关设备(gas insulatedswitchgear,GIS)设计和运行中十分关心的问题,试验研究VFTO的特性是非常必要的。VFTO包含特快速瞬态分量、工频分量和准直流分量(... 详细信息

特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltages,VFTO)是超/特高压气体绝缘开关设备(gas insulatedswitchgear,GIS)设计和运行中十分关心的问题,试验研究VFTO的特性是非常必要的。VFTO包含特快速瞬态分量、工频分量和准直流分量(空载母线残余电荷电压),其中VFTO的瞬态分量在GIS中以电压波的形式传播,致使不同位置的VFTO波形具有显著差异。因此,试验研究VFTO的关键是对VFTO时间过程和空间分布的全过程测量。研究了VFTO测量方法,采用手孔式电容传感器与阻抗变换器相结合的方法实现了全过程测量,研制出测量频带为0.003 Hz^100 MHz和波形记录时间为200 ms的测量系统;采用多个测量系统,并基于隔离开关触头间隙击穿时的电磁波辐射信号,研制出了同步触发装置,实现了对GIS上不同位置的VFTO空间分布的测量。

关键词：特高压气体绝缘开关设备特快速瞬态过电压电容传感器阻抗匹配阻抗变换

可生物降解高分子PLLA／PHB混合薄膜结晶性的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中山大学学报（自然科学版） 2011年第5期50卷 44-49页

作者：葛骏李志兵高椅功中山大学物理科学与工程技术学院∥光电材料与技术国家重点实验室广东广州510275 関西学院大学理工学部物理学研究科日本兵库帛三田市6691337

利用掠入射X射线衍射法(GIXD)对PLLA和PHB混合制成的薄膜进行研究。通过改变两者的混合比、分子量、膜厚等参数,观察PHB的加入对混合薄膜中PLLA的结晶性的影响,并与相同条件下可以近似视为本体的滴膜进行对比。实验发现在升温结晶的过程... 详细信息

利用掠入射X射线衍射法(GIXD)对PLLA和PHB混合制成的薄膜进行研究。通过改变两者的混合比、分子量、膜厚等参数,观察PHB的加入对混合薄膜中PLLA的结晶性的影响,并与相同条件下可以近似视为本体的滴膜进行对比。实验发现在升温结晶的过程中,PHB的加入明显地提高了混合薄膜中PLLA的结晶性,同时还降低了PLLA的结晶温度并提高了熔融温度。但是在本体中却没有观察到这一现象。相对于分子量较大的PLLA,分子量较小的PLLA与PHB混合后结晶性的提升更为显著。

关键词：聚乳酸聚羟基丁酸酯高分子混合薄膜结晶性

二维和三维空间SU(2)规范群的Wilson圈平均值

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高能物理与核物理 1989年第6期13卷 512-517页

作者：李志兵郑维宏郭硕鸿中山大学

本文采用改进了的Monte Carlo方法在二维和三维空间计算了SU(2)格点规范理论的nxm Wilson圈平均值,并与分立子群Y_(120)以及二维的准确结果作了比较.

关键词：三维空间 SU(2)规范群 Wilson圈