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新型无机晶须──钛酸钾晶须

化学通报 1994年第4期 5-10页

作者：朱文化柯家骏中国科学院化工冶金研究所

本文介绍钛酸钾无机晶须新材料的研究现状、晶须形貌、结构和性能特点，以及晶须的合成方法。钛酸钾晶须主要应用于塑料与金属的增强，取代石棉和玻璃纤维或与之混合使用以得到高性能的复合材料。

关键词：无机晶须钛酸钾晶须复合材料

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古巴地理发展情况

人文地理 1991年第4期6卷 70-71页

作者：朱文化西安外国语学院

我于一九八九年十月十七日至十九日参加了在古巴首都哈瓦那举行的第一次国际地理科学研讨会,本文就是根据我在这次会上的所见所闻写的.古巴地理学家为举办这次研讨会花了很大的气力,目的就在于多与世界上其它国家的同行进行广泛的交流,... 详细信息

我于一九八九年十月十七日至十九日参加了在古巴首都哈瓦那举行的第一次国际地理科学研讨会,本文就是根据我在这次会上的所见所闻写的.古巴地理学家为举办这次研讨会花了很大的气力,目的就在于多与世界上其它国家的同行进行广泛的交流,特别是要加强与拉美国家同行间的交流.这样做的目的,就是要建立一个以古巴为首的拉丁美洲联合会,从而使之与泛美地理联合会进行抗衡.这次研讨会是在设备齐全的哈瓦那议会大厦里进行的。

关键词：古巴发展情况科学研讨会地理研究地理学研究联合会同声传译拉丁美洲拉美国家议会大厦

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氯酸盐电化生产过程的反应模型

中国科学院研究生院学报 1995年第2期12卷 157-164页

作者：朱文化衣宝廉中国科学院大连化学物理研究所

利用氧阴极与ＤＳＡ阳极组装成一种新型氯酸盐电解槽。在分析阳极表面ＯＣｌ－氧化反应途径的基础上改进了阳极表面的反应模型，对扩散层内氯的水解分率进行了计算，并讨论了活性氯转化反应的活化能、阳极表面流体的流动状态以及氯酸盐... 详细信息

利用氧阴极与ＤＳＡ阳极组装成一种新型氯酸盐电解槽。在分析阳极表面ＯＣｌ－氧化反应途径的基础上改进了阳极表面的反应模型，对扩散层内氯的水解分率进行了计算，并讨论了活性氯转化反应的活化能、阳极表面流体的流动状态以及氯酸盐浓度与电流效率的关系。

关键词：氯酸盐反应模型氧阴极电化学

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实用外台听力教程录音文本上

实用外台听力教程录音文本上

1991年

作者：蔚兰朱文化选编

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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氢氧化镍电极反应机理的研究

电源技术 1996年第6期20卷 235-237,251页

作者：朱文化张登君柯家骏中国科学院化工冶金研究所

良好结晶性的氢氧化镍电极材料并不具有电化学活性,电极活化要吸收一些水分,但水的精确性质和位置并不清楚.本文借助FTIR和TG-DTA在进一步确定活性材料中含有自由水和结合水的基础上,考虑到水分子的存在与镍电极氧化还原反应密切相关,... 详细信息

良好结晶性的氢氧化镍电极材料并不具有电化学活性,电极活化要吸收一些水分,但水的精确性质和位置并不清楚.本文借助FTIR和TG-DTA在进一步确定活性材料中含有自由水和结合水的基础上,考虑到水分子的存在与镍电极氧化还原反应密切相关,进而提出水分子是电极/电解液界面质子运动载体的设想,并得到相应的电极反应机理.

关键词：氢氧化镍电极反应机理电池

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密封低压镍镉电池

电池 1997年第1期27卷 7-13页

作者：朱文化张登君柯家骏中国科学院化工冶金研究所北京100080

为实现密封镍镉电池低压化,本论文研究了各种类型的镉电极。纤维镍正极采用电化学浸渍法制备,并将相当氢氧化镍正极50％容量的LaNi_5基贮氢合金加入到镉负极中以考察其对氧复合和氢吸收的能力。另采用不同结构镉负极组装其它两种类型的... 详细信息

为实现密封镍镉电池低压化,本论文研究了各种类型的镉电极。纤维镍正极采用电化学浸渍法制备,并将相当氢氧化镍正极50％容量的LaNi_5基贮氢合金加入到镉负极中以考察其对氧复合和氢吸收的能力。另采用不同结构镉负极组装其它两种类型的密封电池,以使电池保持较低内压力。

关键词：贮氢合金镍镉电池密封镍镉电池电池

离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟

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Journal of Semiconductors 1994年第1期15卷 48-54页

作者：施左宇林成鲁朱文化邹世昌中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序... 详细信息

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序．实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设．多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度．低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料。

关键词：离子注入计算机模拟 SIMOX SIMNI

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高比容量中空纤维镍电极的研究

电源技术 1996年第1期20卷 5-7页

作者：朱文化张登君张冠东柯家骏中国科学院化工冶金研究所

用传统工艺方法制备出含有中空纤维的多孔镍基板,基板孔率由72%～76%增加到85%～88%(含骨架).借助电化学浸渍法制得性能良好的含纤维镍正极,其中浸钴电极比容量可达173.7mAh/g、555.8mAh/cm^3和41.7mAh/cm^2.

关键词：电池氧化镍正极纤维镍电极

SIMOX上Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)超晶格的TEM分析

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电子显微学报 1992年第5期11卷 409-410页

作者：倪如山朱文化林成鲁

借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格能成功地生长在SIMOX衬底上。由于si/Ge_(0.5)Si_(0.5)膜与SIMOX... 详细信息

借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格能成功地生长在SIMOX衬底上。由于si/Ge_(0.5)Si_(0.5)膜与SIMOX衬底之间晶格失配,引起晶格畸变。分析SIMOX超晶格的显微结构,Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)超晶格内存在的位错与SIMOX衬底内的位错密度有关引言Si衬底上分子束外延Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格是基础研究和器件应用的重要研究领域。某些以Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)层为基础的高质量器件已研制成功。例如异质结的双极型晶体管。

关键词： Si/GeSi 外延生长超晶格 TEM 分析