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卵巢恶性生殖细胞肿瘤的遗传学特征

中华病理学杂志 2024年第6期53卷 641-646页

作者：孙小婕刘从容北京大学医学部病理系/北京大学第三医院病理科北京100191

卵巢恶性生殖细胞肿瘤主要受累人群为青少年、对国家人口政策和生育健康具有重要意义。卵巢恶性生殖细胞起源于发育异常、未凋亡的生殖细胞,目前,其病理学分型主要依据形态学进行分类,尚未纳入起源细胞的遗传学事件。依据对女性生殖细... 详细信息

卵巢恶性生殖细胞肿瘤主要受累人群为青少年、对国家人口政策和生育健康具有重要意义。卵巢恶性生殖细胞起源于发育异常、未凋亡的生殖细胞,目前,其病理学分型主要依据形态学进行分类,尚未纳入起源细胞的遗传学事件。依据对女性生殖细胞发育历程的新认识,本文将通过全面介绍和对比卵巢、睾丸及儿童生殖细胞肿瘤的研究进展,以期更加深入了解较为常见的几种卵巢恶性生殖细胞肿瘤的遗传学特征,进而辅助理解各亚型普通谱系分化的原因以及寻找用于临床诊断、监测的潜在靶点。

关键词：生殖细胞肿瘤生育健康病理学分型发育异常遗传学特征临床诊断生殖细胞发育形态学

高中英语学习者外语愉悦在自我效能感和行为投入之间的中介作用研究

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高中英语学习者外语愉悦在自我效能感和行为投入之间的中介作用研...

作者：张姝婕内蒙古师范大学

学位级别：硕士

中职院校创新创业教育发展研究 ——以上饶市某中职院校为例

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作者：吴晓婕西藏大学

学位级别：硕士

二维TH-XN(X=B,Al)表面及其纳米带电子特性研究

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二维TH-XN(X=B,Al)表面及其纳米带电子特性研究

作者：朱亚婕西安理工大学

学位级别：硕士

表面功能化与边缘裁剪是二维半导体常见的调控电子特性的手段。新提出的二维四六环氮化硼/铝(TH-XN（X=B,Al）)有着宽禁带、间接跃迁、耐高温、高稳定性、高电子迁移率等优异特点。低维材料的比表面积大,且对材料表面和材料维度敏感,因... 详细信息

表面功能化与边缘裁剪是二维半导体常见的调控电子特性的手段。新提出的二维四六环氮化硼/铝(TH-XN（X=B,Al）)有着宽禁带、间接跃迁、耐高温、高稳定性、高电子迁移率等优异特点。低维材料的比表面积大,且对材料表面和材料维度敏感,因此研究讨论了表面吸附和裁剪对材料电子特性的影响,主要内容是H/F原子、空气及污染气体在TH-XN的表面吸附,以及不同边缘裁剪方式对TH-BN纳米带电子特性的影响,探索电子特性变化的规律,并探讨了 TH-XN在光电器件、气体传感材料、纳米电子器件领域的实际应用,以下是本论文的主要研究结论:1.H/F原子的吸附能够显著影响TH-XN（X=B,Al）的电子特性,如能带结构、有效质量、功函数、电子亲和能。H/F吸附TH-XN表面可调节带隙宽度、实现TH-XN金属-半导体性质及直接-间接跃迁方式之间的转换。当H/F原子的吸附率为1/8时,TH-XN展现出金属性质,而在1/4、1/2、1吸附率时,呈现出半导体性质。H/F吸附TH-BN、TH-AlN可分别在3.24 eV～4.00 eV、1.57 eV～3.68 eV范围内调节带隙宽度,且在吸附率为1时,实现间接-直接能级的跃迁;吸附前后材料的空穴有效质量基本大于电子有效质量,且均表现为各向异性,仅在1/4F吸附TH-AlN时电子有效质量为各向同性;随着H原子吸附率的提高,H原子吸附材料的功函数和电子亲和能均呈现下降趋势;相反,随着F原子吸附率的增长,F原子吸附材料的功函数和电子亲和能则逐渐上升。2.研究了空气气体分子O2、N2、H2O、CO2和污染气体分子CO、NO、NO2、SO2、CH4吸附于TH-XN（X=B,Al）表面对电子特性的影响。N2、H2O、CO2和CH4吸附TH-XN未有新的共价键形成,属于物理吸附,能带结构无明显变化,TH-XN对其无敏感性;NO2+BN及O2/CO/NO/NO2/SO2+AlN吸附体系均有共价键形成,且吸附能较大,属于化学吸附,并引起能带宽度明显减小,材料的能带结构发生明显变化,具有一定程度敏感性。同时,O2吸附TH-XN（X=B,Al）会使带隙显著降低,且实现间接-直接跃迁方式的转变,因此在作为气体传感材料时,需要隔绝氧气。吸附方式为化学吸附的体系,O2、NO、NO2吸附TH-XN（X=B,Al）和SO2+AlN体系均表现出磁性,且具有0.08 μB～1.62μB不等的磁矩。本研究部分成果为日后在TH-XN（X=B,Al）气体传感材料的设计与合成方面,提供了理论指导。***-BN纳米带的电子特性受到裁剪方向以及边缘钝化因素的影响。以armchair方向裁剪的AT和AH纳米带,表现出金属性质,以zigzag方向裁剪的ZT和ZH型纳米带则表现出半导体特性,分别具有3.33 eV和2.96 eV的能带宽度,均表现为间接带隙,且费米能级附近的能带主要由边缘原子贡献。因此研究使用H原子钝化边缘试图消除边缘态对禁带宽度的影响,AT-H和AH-H体系仍然表现出金属性质,而ZT-H和ZH-H型纳米带的带隙比未钝化体系分别拓宽了 0.57 eV和0.82 eV,还研究ZT边缘吸附2H情况,发现ZT-H2型纳米带由间接带隙转变为直接带隙,带隙压缩0.26 eV,为未来的纳米带电子器件应用提供新的可能性。

关键词：氮化硼氮化铝二维半导体表面吸附纳米带第一性原理