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ThMn_(12)结构的RFe_(10)M_2新型磁性化合物

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仪表材料 1989年第2期20卷 98-102页

作者：曾训一中国科学院上海冶金研究所

新近发现了 ThMn_(12)结构的永磁化合物 RFe_(10)M_2。本文较为详细地介绍了它的结构。给出了其基本磁性:T_c～600K,可以掺 Co 提高之:μ_R≤gJ,μFe 较小,αJ>0之 R 离子的化合物之易轴为 C 轴。磁晶各向异性主要来源于 R。铁对 K 的... 详细信息

新近发现了 ThMn_(12)结构的永磁化合物 RFe_(10)M_2。本文较为详细地介绍了它的结构。给出了其基本磁性:T_c～600K,可以掺 Co 提高之:μ_R≤gJ,μFe 较小,αJ>0之 R 离子的化合物之易轴为 C 轴。磁晶各向异性主要来源于 R。铁对 K 的贡献也很大。

关键词：稀土永磁材料磁性化合物永磁材料

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试论永磁材料的发展

磁性材料及器件 1992年第4期23卷 20-26,8页

作者：曾训一中科院上海冶金所

本文回顾和讨论永磁材料的发展,表明形状各向异性微粒永磁已经发展到顶峰。寄希望于高磁晶各向异性材料。阐述了如何获得高永磁性的诸要素。

关键词：永磁材料各向异性发展

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Nd-Fe-B新型永磁材料

仪表材料 1984年第4期 22-27页

作者：曾训一中国科学院上海冶金研究所

本文介绍最近国际上出现的一种高磁能的Nd-Fe-B新型永磁材料及其出现的背景。这种材料刷新了磁能积(BH)_m值的记录,且不含较稀缺的Sm和Co。

关键词：永磁材料曾训化合物立方结构微粒硬磁材料磁性材料 Nd-Fe-B 永磁性 Fe

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磁泡材料

功能材料 1980年第4期 2-13页

作者：曾训一中国科学院上海冶金研究所付研究员本刊编委会委员

一、引言磁泡技术是1967年出现的。用于信息存储。主要目标是用作电子计算机外存。已有单片容量为兆位的存储器商品。现仍在蓬勃发展中。一单易轴磁性材料单晶薄片,使它的易轴垂直于薄片平面。退磁场能量与畴壁能平衡的结果,形成条畴,... 详细信息

一、引言磁泡技术是1967年出现的。用于信息存储。主要目标是用作电子计算机外存。已有单片容量为兆位的存储器商品。现仍在蓬勃发展中。一单易轴磁性材料单晶薄片,使它的易轴垂直于薄片平面。退磁场能量与畴壁能平衡的结果,形成条畴,示意于图1a。加一垂直于薄片平面的偏磁场H,则因外场作用能要求新的平衡,结果自发磁化矢量Ms与H平行的条畴扩张,反平行的则缩小,如图1b。当H增大到某临界值H2时,孤立的条畴收缩成泡的泡径为d、Ms反向的圆柱状畴,图1c。继续增大H到另一临界值H0则柱状畴消失(破灭),样品磁化到饱和。临破灭时其泡径为d0。对正铁氧体(RFeO3,R是Y或稀土元素)或磁性石榴石(R3Fe5O12,简作RIG)一类透明晶体,可

关键词：磁泡材料曾训磁存贮材料仪表材料磁性离子泡径饱和磁化强度温度系数偏场磁矩离子注入离子掺杂畴壁运动点阵常数外延膜

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试论永磁材料的发展

电工合金文集 1992年第4期 1-8页

作者：曾训一中国科学院上海冶金研究所

本文回顾和讨论永磁材料的发展。形状各向异性微粒永磁已经发展到顶峰。寄希望于高磁晶各向异性材料。阐述了如何获得高永磁性的诸要素。

关键词：永磁材料制造发展

ThMn12结构的R-Fe-M新型永磁化合物

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电工合金文集 1989年第3期 41-45页

作者：曾训一中国科学院上海冶金研究所

一、引言钕铁硼的出现,是重大的突破。它是铁基材料,钕的资源丰富,磁能积创记录。但它的磁性热稳定性和抗蚀性差,也令人烦恼。这方面的改进、进展也是有的。另辟蹊径,寻找新材料、是又一新动态。本文报导热点ThMn 12结构的R-Fe-M新型永... 详细信息

一、引言钕铁硼的出现,是重大的突破。它是铁基材料,钕的资源丰富,磁能积创记录。但它的磁性热稳定性和抗蚀性差,也令人烦恼。这方面的改进、进展也是有的。另辟蹊径,寻找新材料、是又一新动态。本文报导热点ThMn 12结构的R-Fe-M新型永磁化合物的研究结果。二、结构与成分新的永磁化合物有时也记作RFe10M2。它是三元而非膺二元。

关键词： ThMn12结构 R-Fe-M 永磁化合物