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热压烧结对锆钛酸铅镧陶瓷电卡效应的影响

硅酸盐学报 2015年第6期43卷 728-733页

作者：王顺达朱定洋曾亦可华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074

探讨热压烧结工艺对PLZT(锆钛酸铅镧)陶瓷材料介电击穿性能、饱和极化强度以及电卡性能的影响。通过X射线衍射和扫描电子显微镜,分析陶瓷样品的相组成和微观结构。结果表明,热压烧结法有助于控制陶瓷晶粒的生长,提高陶瓷的致密度并增大... 详细信息

探讨热压烧结工艺对PLZT(锆钛酸铅镧)陶瓷材料介电击穿性能、饱和极化强度以及电卡性能的影响。通过X射线衍射和扫描电子显微镜,分析陶瓷样品的相组成和微观结构。结果表明,热压烧结法有助于控制陶瓷晶粒的生长,提高陶瓷的致密度并增大陶瓷的介电击穿场强,从而有效提高陶瓷的电卡性能以及电卡转换效率。在328 K(55℃)与478 K(205℃)附近,分别发生低温铁电三方相到高温铁电三方相的相变(FRL-FRH)以及高温铁电三方相到立方顺电相(FRH-Pc)的相变,展现了比较好的弛豫性,在室温下达到3.6 K的绝热温变与1.8×0-7(K·m)/V的电卡转换效率,具有良好的电卡性能。

关键词：铁电陶瓷锆钛酸铅镧电卡效应

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BST溶胶-凝胶的化学与热反应过程研究

华中科技大学学报（自然科学版） 2003年第11期31卷 38-40页

作者：曾亦可刘梅冬姜胜林刘少波华中科技大学电子科学与技术系

以国产Ba和Sr醋酸盐为主要原材料 ,采用Sol Gel技术制备了稳定性极好的 (Ba0 .73 Sr0 .2 7)TiO3(BST2 7)溶胶凝胶 .研究了BST2 7溶胶凝胶的化学和热反应过程 .用透射电子显微镜 (TEM)分析BST2 7溶胶可知 ,其接触达到分子级水平且混合... 详细信息

以国产Ba和Sr醋酸盐为主要原材料 ,采用Sol Gel技术制备了稳定性极好的 (Ba0 .73 Sr0 .2 7)TiO3(BST2 7)溶胶凝胶 .研究了BST2 7溶胶凝胶的化学和热反应过程 .用透射电子显微镜 (TEM)分析BST2 7溶胶可知 ,其接触达到分子级水平且混合相当均匀 .研究结果证明以乙二醇单乙醚为主要溶剂配制BST2 7溶胶制备BST2 7铁电薄膜可降低其合成温度 ,同时也避免了中间相的产生 .

关键词：非致冷红外焦平面阵列溶胶-凝胶钛酸锶钡溶胶-凝胶 BST 化学反应热反应

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热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响

华中科技大学学报（自然科学版） 2005年第6期33卷 92-94页

作者：曾亦可胡勇肖腊连李秀峰华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用SolGel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度达1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20min、650～800℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(220)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750℃×15min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮.

关键词：铁电薄膜溶胶-凝胶热释电性

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铁电材料I-V特性测试系统

仪器仪表学报 2006年第11期27卷 1365-1368页

作者：曾亦可陈刚张洋洋邓传益俞丹华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

本文介绍了铁电材料的I-V特性及测量原理、测试系统的组成,并给出了测试软件的流程图。用该测试系统对PZT10铁电陶瓷进行I-V特性测试,测量结果与有关报道相符合。本文设计的系统软件不仅可以对所测的铁电样品进行参数计算、修改和保存数... 详细信息

本文介绍了铁电材料的I-V特性及测量原理、测试系统的组成,并给出了测试软件的流程图。用该测试系统对PZT10铁电陶瓷进行I-V特性测试,测量结果与有关报道相符合。本文设计的系统软件不仅可以对所测的铁电样品进行参数计算、修改和保存数据,而且可以对铁电样品的漏电导和线性感应电容进行补偿,从而获得接近本征特性的I-V曲线。利用该测试系统,可以更加方便地对不同的铁电材料进行研究。

关键词：铁电材料 Ⅰ-Ⅴ特性测量数据采集

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用丝网印刷法制备Pt电极及其性能

材料研究学报 2008年第5期22卷 479-484页

作者：张海波姜胜林张洋洋曾亦可华中科技大学电子科学与技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心武汉430074

采用单层和双层印刷法在氧化铝衬底上制备功能陶瓷厚膜用Pt电极,研究了烧结温度、升温速率和电极厚度对Pt电极层的表面形貌、表面覆盖率和表面粗糙度的影响,以揭示晶粒长大、气孔生长及致密化机制.结果表明,在单层印刷Pt电极的烧结过程... 详细信息

采用单层和双层印刷法在氧化铝衬底上制备功能陶瓷厚膜用Pt电极,研究了烧结温度、升温速率和电极厚度对Pt电极层的表面形貌、表面覆盖率和表面粗糙度的影响,以揭示晶粒长大、气孔生长及致密化机制.结果表明,在单层印刷Pt电极的烧结过程中,低温阶段残留的碳使不同温区Pt的主导扩散机制不同.双层印刷Pt电极中第一层在600℃下烧结后,印刷第二层再在1200℃下烧结具有最大表面覆盖率和最小平均粗糙度(其值约为0.82μm),同时具有最好的导电性能(方阻为0.044Ω/□).

关键词：金属材料铂电极丝网印刷烧结激活能粗糙度

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一种新型三路自适应热释电系数测试系统

压电与声光 2009年第1期31卷 126-128,131页

作者：谢静菁曾亦可王聪罗旖旎姜胜林华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

基于动态电流法设计了一种新型热释电系数测试系统,其新颖之处在于首创设计了三路自适应微电流放大电路模块,该模块解决了弱热释电材料需要小动态范围,高灵敏度微电流放大而强热释电材料需要大动态范围,低灵敏度微电流放大的矛盾。系统... 详细信息

基于动态电流法设计了一种新型热释电系数测试系统,其新颖之处在于首创设计了三路自适应微电流放大电路模块,该模块解决了弱热释电材料需要小动态范围,高灵敏度微电流放大而强热释电材料需要大动态范围,低灵敏度微电流放大的矛盾。系统先利用计算机对三路自适应微电流放大电路进行控制,再利用其强大的信息处理能力来获取热释电系数与温度的关系曲线,并在计算机上以数据和图形形式显示出来。实验结果证明,该新型三路自适应热释电系数测试系统既能满足弱热释电性材料,也能满足强热释电性材料热释电系数的测试要求。

关键词：电性能测量热释电系数微电流放大动态电流法

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PZT铁电薄膜结构及疲劳特性研究

功能材料 1995年第6期26卷 524-527页

作者：王培英刘梅冬曾亦可何恩培饶韫华华中理工大学固体电子学系

铁电薄膜的电疲劳是铁电存储器等应用的主要障碍。我们用Ｓｏｌ－ｇｅｌ（溶胶－凝胶）方法制备的ＰＺＴ铁电薄膜，对其结构和疲劳特性的研究表明：组分及工艺因素会影响薄膜的结构，具有玫瑰花形的ＰＺＴ薄膜内部存在较多的带电缺陷。... 详细信息

铁电薄膜的电疲劳是铁电存储器等应用的主要障碍。我们用Ｓｏｌ－ｇｅｌ（溶胶－凝胶）方法制备的ＰＺＴ铁电薄膜，对其结构和疲劳特性的研究表明：组分及工艺因素会影响薄膜的结构，具有玫瑰花形的ＰＺＴ薄膜内部存在较多的带电缺陷。在外电场作用下１０￣６周期后出现疲劳，改进组分配方或改进热处理工艺，使薄膜为纯钙钛矿结构，薄膜的寿命可超过１０￣（１１）周期。

关键词：疲劳 PZT 缺陷铁电薄膜

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纯氧高气压溅射PZT铁电薄膜

硅酸盐学报 2005年第3期33卷 358-361页

作者：曾亦可姜胜林邓传益陈实刘梅冬华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

用Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷作为靶材,在纯氧、高气压溅射条件下成功地原位沉积了锆钛酸铅(leadzirconatetitanate,PZT)铁电薄膜。为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射成膜过程中发生Pb的损失,以PbO计,加入了质量分数为5.0%的过... 详细信息

用Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷作为靶材,在纯氧、高气压溅射条件下成功地原位沉积了锆钛酸铅(leadzirconatetitanate,PZT)铁电薄膜。为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射成膜过程中发生Pb的损失,以PbO计,加入了质量分数为5.0%的过量Pb3O4。实验发现:当最佳靶基片距离一定时,n(Pb)/n(Zr+Ti)成份偏析的比例随最佳靶基片距离偏差的增加而降低。PZT铁电薄膜的X射线衍射分析表明,PZT铁电薄膜中存在PbO和钛锆固溶型氧化物,但无焦绿石相。PZT铁电薄膜的铁电性测量表明:剩余极化Pr达到14.1μc/cm2,矫顽电场Ec较小,Ec与Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷靶材的值相当,其电滞回线具有很好的对称性。

关键词：锆钛酸铅铁电薄膜溅射电滞回线电流-电压特性

退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响

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材料研究学报 2005年第1期19卷 102-106页

作者：姜胜林林汝湛曾亦可刘梅冬华中科技大学电子科学与技术系教授武汉市430074 华中科技大学

应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度... 详细信息

应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA /mm2.

关键词：无机非金属材料新型溶胶-凝胶法退火温度 ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性