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Nabla离散分数阶线性系统稳定性及耗散性的分析与综合

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Nabla离散分数阶线性系统稳定性及耗散性的分析与综合

作者：曹艳荣山西师范大学

学位级别：硕士

分数阶微积分作为整数阶微积分的推广,因其具有历史记忆性的特点,可以更好地描述现实生活中的问题,更精确地对实际系统进行建模,受到了众多学者的关注。由于许多实际问题的数学模型是用离散系统来描述,比如人口迁移问题,传染病传播问题... 详细信息

分数阶微积分作为整数阶微积分的推广,因其具有历史记忆性的特点,可以更好地描述现实生活中的问题,更精确地对实际系统进行建模,受到了众多学者的关注。由于许多实际问题的数学模型是用离散系统来描述,比如人口迁移问题,传染病传播问题和计量经济问题等,所以深入研究离散系统具有重要的现实意义。因此,本文将针对Nabla离散分数阶线性系统的动力学性质展开研究,具体工作如下:第一章,介绍本文的研究背景及现状分析,并给出与本文相关的理论知识。第二章,研究Nabla离散分数阶时变时滞线性正系统的稳定性与7)_∞性能。首先,基于Nabla分数阶差分的定义,给出Nabla离散分数阶时变时滞线性系统非负的判定条件。其次,通过与Nabla离散分数阶时滞线性系统进行比较,给出Nabla离散分数阶时变时滞线性正系统渐近稳定的充要条件。然后,基于建立的稳定性条件,利用比较原理,给出Nabla离散分数阶时变时滞线性正系统的7)_∞-增益表达式。最后,通过数值算例验证所得结论的有效性。第三章,研究Nabla离散分数阶线性正系统及Nabla离散分数阶时滞线性正系统观测器的设计问题。首先,给出Nabla离散分数阶线性正系统观测器存在的条件,并利用线性规划法给出系统观测器的设计方法。然后,基于第二章的Nabla离散分数阶时滞线性正系统的稳定性条件,给出Nabla离散分数阶时滞线性正系统观测器的存在条件及设计方法。最后,通过数值算例验证所得结论的有效性。第四章,研究Nabla离散分数阶线性系统的-耗散性和鲁棒-耗散性问题。首先,给出系统-耗散与Mittag-Leffler稳定之间的关系。其次,基于系统的-耗散性定义,给出系统-耗散的判据和耗散状态反馈控制器的设计方法。然后,利用线性矩阵不等式,给出不确定Nabla离散分数阶线性系统鲁棒-耗散的判据及耗散状态反馈控制率表达式。最后,通过数值算例验证所得结论的有效性。最后,总结全文主要内容,并对未来工作进行展望。

关键词： Nabla离散分数阶系统非负性稳定性耗散性观测器

理想与现实之间 ——郑州市小学综合实践活动课程实施现状及思考

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理想与现实之间 ——郑州市小学综合实践活动课程实施现状及思考

作者：曹艳荣华东师范大学

学位级别：硕士

综合实践活动课程是以学生的兴趣和直接经验为基础，以与学生学习和社会生活密切相关的各类现实性、综合性、实践性问题为内容，以研究性学习为主导学习方式，以培养学生的创新精神、实践能力及体现对知识的综合运用为主要目的一类新型... 详细信息

综合实践活动课程是以学生的兴趣和直接经验为基础，以与学生学习和社会生活密切相关的各类现实性、综合性、实践性问题为内容，以研究性学习为主导学习方式，以培养学生的创新精神、实践能力及体现对知识的综合运用为主要目的一类新型课程。在我国21世纪初以来的基础教育课程改革行动中，它以必修课的形式被纳入到新的学校课程体系，这既符合世界课程改革的发展趋势又满足了我国实施素质教育的内在需求。本文主要结合实验区的课程实施玑状，针对小学综合实践活动课程实施过程中理念的实现与流失进行研究阐述，探索小学综合实践活动课程进一步推进的策略。为此，论文主要从以下五个方面来展开研究：第一部分，为本文的前言。主要阐述了本研究的缘起、国内外相关研究的现状、本研究所着力寻求的突破以及本研究采用的主要研究方法。第二部分，解读综合实践活课程的基本理念和课程价值所在。第三部分，课程实践对课程理念的回应，通过对现实生活中的学校、学生、教师、课程的描述，力图将课程的“应然”和“实然”状态展示出来，发现存在的问题，求得理性的反思。第四部分，分析课程实践没有完全实现课程理念的原因。第五部分，重建，提出完善课程实践的建议。

关键词：小学综合实践活动课程课程理念课程实践

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北洋保商银行的特殊发展轨迹

北洋保商银行的特殊发展轨迹

作者：曹艳荣河北师范大学

学位级别：硕士

外国资本在近代中国的金融活动，是中国近代史学界研究的重要领域之一。作为外国在华金融活动主体的外国银行，在华形式由独办转向合办。在风云一时的近代中外合办银行史上，北洋保商银行是一家极其“特殊”的中外合资银行。其特殊的创... 详细信息

外国资本在近代中国的金融活动，是中国近代史学界研究的重要领域之一。作为外国在华金融活动主体的外国银行，在华形式由独办转向合办。在风云一时的近代中外合办银行史上，北洋保商银行是一家极其“特殊”的中外合资银行。其特殊的创办宗旨，曲折的发展历程，变化的银行性质等，都有着深远的影响。因此，北洋保商银行是一个很值得研究的课题。然而，目前学术界对这家银行的研究还非常薄弱。本文试图通过对相关零散档案、报刊、地方志等史料的爬梳，对该行进行浅显的概述分析。全文共分五部分。文章第一部分主要介绍北洋保商银行创立的历史背景及基本概况。该行创立的直接原因是1908年天津发生了严重的布疋危机，为了清理津商积欠的洋款，维持津埠华洋的商务，北洋保商银行应运而生。基本概况主要从资本、性质、组织机构等几方面介绍。第二部分主要探讨北洋保商银行的各项业务发展情况。主要集中在纸币发行、存款、放款业务等几方面。第三部分主要考察北洋保商银行的社会活动。主要从该行加入津、京银行公会、向社会募捐、向同业担保等几方面着手的。第四部分主要分析北洋保商银行的曲折历程。该行在开创的危机、发展的转折、竞争的冲击中走过了30年的风风雨雨。第五部分主要论述北洋保商银行的停业清理概况及原因。该行清理的原因主要是：沉重的负荷;银行中心的失衡;日本对华金融统制政策的影响以及中外合资银行的短暂命运。通过对北洋保商银行的浅显概述分析，我们不仅看到了北洋保商银行的特殊发展轨迹，而且从中得出一些特殊的启示。

关键词：北洋保商银行特殊发展

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论有效的课程领导

河南社会科学 2005年第4期13卷 136-138页

作者：曹艳荣华东师范大学课程与教学研究所上海200062

课程领导是一种不同于课程管理的新的管理观。在课程领导的背景下,传统课程管理模式使中小学校长角色陷入了困境,校长角色的转换已成必然之势。要走出困境,中小学校长必须明确办学理念,制定学校发展计划,健全学校的课程开发组织,组织合... 详细信息

课程领导是一种不同于课程管理的新的管理观。在课程领导的背景下,传统课程管理模式使中小学校长角色陷入了困境,校长角色的转换已成必然之势。要走出困境,中小学校长必须明确办学理念,制定学校发展计划,健全学校的课程开发组织,组织合作、向上的教师团队以促进学校课程乃至整个课程体系的发展。

关键词：课程领导校长策略

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新疆少数民族女性普通中小学教育研究

新疆大学学报（哲学社会科学版） 1999年第4期31卷 39-44页

作者：孙建梅曹艳荣艾合买提王瑛新疆教育学院教育系乌鲁木齐830000 石河子二中 832000 新疆师范大学音乐系 830053

文章研究新疆少数民族女性普通中小学教育的发展历程、现状及存在问题。

关键词：新疆少数民族女性中小学教育

Snapback应力引起的90nm NMOSFET’s栅氧化层损伤研究

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物理学报 2007年第2期56卷 1075-1081页

作者：朱志炜郝跃马晓华曹艳荣刘红侠西安电子科技大学微电子学院

实验结果发现突发击穿(snapback),偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层,产生界面态,同时空穴会陷落在氧化层中.由于栅氧化层很薄,陷落的空穴会与隧穿入氧化层中的电子复合形成大量中性电子陷阱,使得栅隧穿电流不断增大.这些氧化层电子... 详细信息

实验结果发现突发击穿(snapback),偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层,产生界面态,同时空穴会陷落在氧化层中.由于栅氧化层很薄,陷落的空穴会与隧穿入氧化层中的电子复合形成大量中性电子陷阱,使得栅隧穿电流不断增大.这些氧化层电子陷阱俘获电子后带负电,引起阈值电压增大、亚阈值电流减小.关态漏泄漏电流的退化分两个阶段:第一阶段亚阈值电流是主要成分,第二阶段栅电流是主要成分.在预加热电子(HE)应力后,HE产生的界面陷阱在snapback应力期间可以屏蔽雪崩热空穴注入栅氧化层,使器件snapback开态和关态特性退化变小.

关键词：突发击穿软击穿应力引起的泄漏电流热电子应力

电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性

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物理学报 2006年第11期55卷 6118-6122页

作者：马晓华郝跃陈海峰曹艳荣周鹏举西安电子科技大学微电子研究所

研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时... 详细信息

研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下,SiO2中形成的缺陷不仅降低了SiO2的势垒高度,而且等效减小了SiO2的厚度(势垒宽度).另外,每一个缺陷都会形成一个导电通道,这些导电通道的形成增大了栅电流,导致器件性能的退化,同时栅击穿时间变长.

关键词：超薄栅氧化层斜坡电压经时击穿渗透

Effect of heavy ion irradiation on the interface traps of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

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Chinese Physics B 2022年第3期31卷 428-433页

作者：林正兆吕玲郑雪峰曹艳荣胡培培房鑫马晓华 School of Microelectronics Xidian UniversityXi'an 710071China School of Mechano-Electronic Engineering Xidian UniversityXi'an 710071China Institute of Modern Physics Chinese Academy of Sciences (CAS)Lanzhou 730000China

AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs)were irradiated with heavy ions at various fluences.After irradiation by 2.1 GeV^(181) Ta^(32+) ions,the electrical characteristics of the devices significantly decreased.The threshold voltage shifted positively by approximately 25%and the saturation currents decreased by approximately 14%.Defects were induced in the band gap and the interface between the gate and barrier acted as tunneling sites,which increased the gate current tunneling probability.According to the pulsed output characteristics,the amount of current collapse significantly increased and more surface state traps were introduced after heavy ion irradiation.The time constants of the induced surface traps were mainly less than 10μs.

关键词： gallium nitride radiation effects defects pulse testing

Study on the negative bias temperature instability effect under dynamic stress

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Chinese Physics B 2010年第11期19卷 604-607页

作者：马晓华曹艳荣郝跃 School of Technical Physics Xidian University School of Electronical and Machanical Engineering Xidian University Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices

This paper studies negative bias temperature instability （NBTI） under alternant and alternating current （AC） stress. Under alternant stress, the degradation smaller than that of single negative stress is obtained. The smaller degradation is resulted from the recovery of positive stress. There are two reasons for the recovery. One is the passivation of H dangling bonds, and another is the detrapping of charges trapped in the oxide. Under different frequencies of AC stress, the parameters all show regular degradation, and also smaller than that of the direct current stress. The higher the frequency is, the smaller the degradation becomes. As the negative stress time is too small under higher frequency, the deeper defects are hard to be filled in. Therefore, the detrapping of oxide charges is easy to occur under positive bias and the degradation is smaller with higher frequency.

关键词： negative bias temperature instability dynamic stress recovery