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Ar等离子体处理PET在非晶硅太阳电池中的应用

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光电子．激光 2009年第11期20卷 1417-1421页

作者：倪牮张建军曹丽冉李林娜孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071

在射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统的腔室内,对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料薄膜进行Ar等离子体预处理,并采用光发射谱(OES)对不同处理参数下的氩气辉光状态进行在线监测。对处理前后PET及PET/ITO进行透过谱、原子力显微... 详细信息

在射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统的腔室内,对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料薄膜进行Ar等离子体预处理,并采用光发射谱(OES)对不同处理参数下的氩气辉光状态进行在线监测。对处理前后PET及PET/ITO进行透过谱、原子力显微镜(AFM)以及扫描电镜(SEM)的测试结果表明,Ar等离子体处理改善了PET塑料薄膜的表面形貌,使之更适合ITO薄膜的生长。以Ar等离子体处理的PET/ITO为衬底,在沉积温度为125℃条件下,制备出效率为5.4%的p-i-n型非晶硅(a-Si)柔性太阳电池。

关键词：塑料衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET) Ar等离子体处理柔性太阳电池

氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响

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光电子．激光 2009年第1期20卷 44-48页

作者：曹丽冉陈新亮薛俊明张德坤孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃... 详细信息

采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大。

关键词： ITO薄膜反应热蒸发氧分压散射机制

PET柔性衬底上低温沉积ITO薄膜性能的研究

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光电子．激光 2009年第5期20卷 628-632页

作者：曹丽冉陈新亮薛俊明倪牮赵鹏张德坤孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用反应热蒸发的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备In2O3:Sn(ITO)薄膜。鉴于塑料对温度的敏感性,详细研究了衬底温度对其上沉积的ITO薄膜的微观结构及光电性能的影响,在低温条件下(Ts=140℃)获得电阻率为7.52×10-4Ωcm... 详细信息

采用反应热蒸发的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备In2O3:Sn(ITO)薄膜。鉴于塑料对温度的敏感性,详细研究了衬底温度对其上沉积的ITO薄膜的微观结构及光电性能的影响,在低温条件下(Ts=140℃)获得电阻率为7.52×10-4Ωcm,可见光范围内的透过率大于80%和结构特性良好的薄膜,并将其应用于PIN型太阳电池的前电极,获得了转换效率为4.41%的柔性非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池。

关键词：柔性衬底 PET/ITO薄膜低温沉积太阳电池

PET塑料衬底非晶/微晶硅叠层太阳电池研究

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光电子．激光 2009年第6期20卷 738-741页

作者：倪牮薛俊明曹丽冉赵鹏张建军袁育杰孙建侯国付赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在125℃的低温条件下,沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅(μc-Si)薄膜。对材料的光电特性和结构特性的测试结果表明,低温条件下制备的μc-Si薄膜具有较厚的非晶孵化层,并且纵向结构演... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在125℃的低温条件下,沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅(μc-Si)薄膜。对材料的光电特性和结构特性的测试结果表明,低温条件下制备的μc-Si薄膜具有较厚的非晶孵化层,并且纵向结构演变较为明显。采用梯度H稀释技术,在沉积过程中不断降低H稀释度,改善了μc-Si薄膜的纵向均匀性。将此技术应用于非晶硅(a-Si)/μc-Si叠层电池的μc-Si底电池,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备出初始效率达到6.0%的a-Si/μc-Si叠层电池。

关键词：微晶硅(μc-Si)薄膜低温沉积孵化层聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)

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宽光谱窄带隙太阳电池微晶锗孵化层制备研究

科学技术创新 2018年第27期 32-33页

作者：曹丽冉张媛国家知识产权局专利局专利审查天津中心天津300304

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。

关键词：微晶锗窄带隙太阳电池

n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究

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光电子．激光 2010年第1期21卷 55-58页

作者：倪牮陈新亮曹丽冉张建军薛俊明孙建王先宝韩东港张德坤赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响。结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池。

关键词： n-i-p太阳电池不锈钢(SS)衬底 p/ITO界面

梯度氢稀释法制备微晶硅n-i-p太阳电池的研究

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中国科学：E辑 2009年第6期39卷 1058-1062页

作者：袁育杰侯国付张建军薛俊明曹丽冉赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

采用高压RF-PECVD技术,研究了恒定氢稀释法和梯度氢稀释法对本征微晶硅薄膜纵向结构和n-i-p微晶硅太阳电池性能的影响.结果表明,采用梯度氢稀释法能够调控本征微晶硅薄膜的纵向晶化率分布和晶粒尺寸,使电池性能得到大幅度提高,获得转换... 详细信息

采用高压RF-PECVD技术,研究了恒定氢稀释法和梯度氢稀释法对本征微晶硅薄膜纵向结构和n-i-p微晶硅太阳电池性能的影响.结果表明,采用梯度氢稀释法能够调控本征微晶硅薄膜的纵向晶化率分布和晶粒尺寸,使电池性能得到大幅度提高,获得转换效率为5.7%(Voc=0.47V,Jsc=20.2mA/cm2,FF=60%)的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.12%(Voc=1.2V,Jsc=12.05mA/cm2,FF=70%)的叠层太阳电池.

关键词：梯度氢稀释法微晶硅 n-i-p太阳电池

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浅析如何从现有技术出发评价发明的创造性

广东化工 2018年第10期45卷 168-169页

作者：董占祥曹丽冉国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心天津300304

专利审查中,审查员是在已经了解了发明内容的前提下进行审查,容易对发明的创造性估计偏低。本文结合具体案例,浅析了审查员如何从现有技术出发评价发明的创造性,以期能为创造性审查提供些许参考。

关键词：现有技术发明创造性

Optimization of n/i and i/p buffer layers in n-i-p hydrogenated microcrystalline silicon solar cells

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Journal of Semiconductors 2009年第3期30卷 67-71页

作者：袁育杰侯国付张建军薛俊明曹丽冉赵颖耿新华 Institute of Photoelectronics Nankai University Tianjin Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology Key Laboratory of Optoelectronic Information Science and Technology Chinese Ministry of Education

Hydrogenated microcrystalline silicon （μc-Si：H） intrinsic films and solar cells with n-i-p configuration were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）. The influence of n/i and i/p buffer layers on the μc-Si：H cell performance was studied in detail. The experimental results demonstrated that the efficiency is much improved when there is a higher crystallinity at n/i interface and an optimized a-Si：H buffer layer at i/p interface. By combining the above methods, the performance of μc-Si：H single-junction and a-Si：H/μc-Si：H tandem solar cells has been significantly improved.

关键词： microcrystalline silicon interface buffer layer n-i-p solar cells