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物理学报 2004年第10期53卷 3457-3461页

作者：黄智白海洋景秀年王志新王万录重庆大学应用物理系重庆400044 中国科学院物理研究所北京100080

研究了非磁非晶合金Cu6 0 Zr2 0 Hf1 0 Ti1 0 和铁磁非晶合金Fe6 1 Co7Zr1 0 Mo5W2 B1 5的低温电阻 ,用不同的模型对电阻温度曲线进行拟合 .对两个样品中出现的极小值行为进行分析。

关键词：低温电阻极小值对极序结构磁性状态拟合行为影响分析

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本征约瑟夫森结跳变电流分布的量子修正

物理学报 2008年第9期57卷 5933-5936页

作者：崔大健林德华于海峰彭智慧朱晓波郑东宁景秀年吕力赵士平重庆大学物理系重庆400044 中国科学院物理研究所北京100190

在约瑟夫森结跳变电流统计分布的理论拟合过程中,通常考虑的是宏观量子隧穿与热激活这两种过程.对Bi2Sr2CaCu2O8+δ表面本征约瑟夫森结的结果分析表明,在宏观量子隧穿与热激活的交界区域内,若考虑量子修正能使实验曲线与理论曲线符合得... 详细信息

在约瑟夫森结跳变电流统计分布的理论拟合过程中,通常考虑的是宏观量子隧穿与热激活这两种过程.对Bi2Sr2CaCu2O8+δ表面本征约瑟夫森结的结果分析表明,在宏观量子隧穿与热激活的交界区域内,若考虑量子修正能使实验曲线与理论曲线符合得更好.这种较为完整的拟合方法,对研究本征约瑟夫森器件中的宏观量子现象及其在超导量子比特中的应用具有积极的意义.

关键词：约瑟夫森结跳变电流分布量子修正

Compositional Dependence of Electronic Specific Heat in AlCuCo Decagonal Quasicrystals： Evidence for the Hume-Rothery Mechanism of Phase Formation

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Chinese Physics Letters 2005年第7期22卷 1753-1756页

作者：樊振军景秀年张殿琳 BeijingNationalLaboratoryforCondensedMatterPhysics InstituteofPhysicsChineseAcademyofSciencesBeijing100080

There is no consensus whether the electron density of states of decagonal quasicrystals has a pseudogap at the Fermi energy similar to that of the icosahedron phase. We answer this question by measuring the electronic specific heat coefficient of AlCuCo decagonal single-quasicrystals over a wide range of composition. While the average valence electron number per atom, e/a, for all the resultant samples changes only within 1.5%, from similar to 1.92 to less than 1.95. The specific heat coefficient decreases by 15% with the increasing e/a. The large change and the negative slope give strong evidence for Hume-Rothery mechanism of the decagonal phase.

关键词： X-RAY CO-NI DIFFRACTION ALLOYS ELECTRONIC SPECIFIC HEAT Decagonal phase METAL ALLOY Decagonal quasicrystals Electronics X-rays wide-range Fermi level diffraction Electronic density of states Specific heat

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无序度对Au/Pd膜热电势的影响

低温物理学报 2002年第2期24卷 125-128页

作者：景秀年李山林吕力张殿琳林志忠中国科学院极端条件物理开放实验室中国科学院物理研究所北京1 台湾交通大学物理研究所凝聚态物理中心

我们用磁控溅射的方法制备了一系列无序度不同的Au50 Pd50 膜 .在 1 3K～30 0K的温度范围内 ,我们对不同无序度Au50 Pd50 膜的电阻率、热电势作了系统的测量 ,发现热电势随无序度的增加而减小 ,其温度依赖关系与同种成份的晶态合金的热... 详细信息

我们用磁控溅射的方法制备了一系列无序度不同的Au50 Pd50 膜 .在 1 3K～30 0K的温度范围内 ,我们对不同无序度Au50 Pd50 膜的电阻率、热电势作了系统的测量 ,发现热电势随无序度的增加而减小 ,其温度依赖关系与同种成份的晶态合金的热电势温度依赖关系也很不相同 .本文初步分析和讨论了其物理原因

关键词：热电势无序度 Au/Pd 晶态合金非晶合金态密度费米面能带结构电阻率电阻系数

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犬细小病毒病的辨证治疗

畜牧与兽医 2002年第6期34卷 35-36页

作者：杨小华李中利张遵坤景宝年景秀年山东省章丘市畜牧局山东章丘250200 山东省济南金达药化公司山东济南250000

2001年夏天,本市大规模暴发了犬细小病毒病,常规的西医治疗病程长(多在6～13 d)、费用高且治愈率低.一旦到后期,便血、脱水,无法治愈;刚断奶的幼犬更难以治疗,死亡率在90%以上.笔者采用中医辨证分型治疗,取得了满意的疗效.

关键词：犬细小病毒病辨证治疗辨证选药

磁场对重电子金属CeCu6-xNix低温电阻的影响

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低温物理学报 2003年第1期25卷 1-5页

作者：孟继宝,陈兆甲,雒建林,景秀年,白海洋中国科学院理化技术研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所北京1000802中国科学院物理研究所北京100080中国科学院研究生院北京100039 北京1000803 北京1000803 北京1000803 北京1000803

测量了重电子金属CeCu6-xNix(x =0 ,0 .0 5 ,0 .1) ,在 1.8K～ 30 0K温度范围的电阻及磁场对电阻的影响 (H =0 ,5T ,10T) .实验表明样品电阻的极大值对应的温度Tmax随着掺Ni含量的增大向温度降低的方向移动 ,而加磁场后Tmax随磁场的增... 详细信息

测量了重电子金属CeCu6-xNix(x =0 ,0 .0 5 ,0 .1) ,在 1.8K～ 30 0K温度范围的电阻及磁场对电阻的影响 (H =0 ,5T ,10T) .实验表明样品电阻的极大值对应的温度Tmax随着掺Ni含量的增大向温度降低的方向移动 ,而加磁场后Tmax随磁场的增加向高温方向移动 .文中从Kondo相互作用和相干散射的角度对这一现象的物理机制进行了分析 .

关键词：重费米子系统低温电阻近藤散射

重电子金属CeCu_(5.8)M_(0.2)(M=Ni,Zn,Cd)低温物性的比较

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物理学报 2004年第4期53卷 1177-1181页

作者：孟继宝陈兆甲雒建林景秀年王楠林中国科学院物理研究所北京100080

研究了不同元素等量掺杂下重电子金属CeCu5 .8M0 .2 (M =Ni ,Zn ,Cd)低温电阻、比热容和磁化率随温度的变化关系 .分析讨论了掺杂元素M(M =Ni,Zn ,Cd)的磁性、价态及原子尺寸对近藤温度TK 、相干温度 (即电阻极大值的温度TRmax)、每个C... 详细信息

研究了不同元素等量掺杂下重电子金属CeCu5 .8M0 .2 (M =Ni ,Zn ,Cd)低温电阻、比热容和磁化率随温度的变化关系 .分析讨论了掺杂元素M(M =Ni,Zn ,Cd)的磁性、价态及原子尺寸对近藤温度TK 、相干温度 (即电阻极大值的温度TRmax)、每个Ce离子在较高温度时的平均磁矩 μB

关键词：重电子系统低温电阻低温比热容磁化率掺杂电子自旋屏蔽低温物理

YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的临界电流密度J_c(T,H)

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科学通报 1992年第8期37卷 693-695页

作者：崔长庚李山林李军柳明雄景秀年杨兼川王小平中国科学院物理研究所北京100080 北京有色金属研究总院北京100088

高温超导体薄膜无论在基础研究方面还是在高温超导体的应用方面都有十分重要的意义。临界电流密度是应用的关键参数,而且影响临界电流密度的磁通钉扎机制还不清楚,因此制备高质量的薄膜,研究其临界电流密度特点。

关键词：超导体薄膜 YBaCuO 临界电流

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二维过渡金属硫族化合物的研究进展

科学通报 2020年第10期65卷 882-903页

作者：李沛岭崔健周家东王鸿刘政屈凡明杨昌黎景秀年吕力刘广同中国科学院物理研究所固态量子信息与计算实验室北京100190 中国科学院大学物理学院北京100049 北京量子信息科学研究院北京100193 School of Materials Science and Engineering Nanyang Technological UniversitySingapore 639798Singapore 量子物质科学协同创新中心北京100871 松山湖材料实验室东莞523808

二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)是继石墨烯之后的新型范德瓦耳斯材料,由于其天然的二维特性以及强自旋轨道耦合作用(spin-orbital coupling, SOC),导致诸如金属-绝缘体转变、电荷密度波(charge densi... 详细信息

二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)是继石墨烯之后的新型范德瓦耳斯材料,由于其天然的二维特性以及强自旋轨道耦合作用(spin-orbital coupling, SOC),导致诸如金属-绝缘体转变、电荷密度波(charge density wave, CDW)、能谷电子学、非常规超导电性等新颖物理性质的出现,使得这类材料成为研究低维量子物理的又一理想平台.其中能谷电子学与拓扑超导已经成为近年来凝聚态物理前沿研究的热点方向.本文在综述TMDCs材料的结构与基本物理性质的基础上,重点介绍了最近发展的用于生长原子层厚度的TMDCs材料的熔盐辅助化学气相沉积方法、在Se掺杂的MoSexTe2-x薄膜中实现的Td相到1T′相再到2H相的结构相变与超导增强现象,以及在少层Td-MoTe2中发现的非对称性SOC作用引起的类伊辛超导现象.最后,展望了TMDCs材料的潜在应用与可能存在的拓扑超导.

关键词：二维过渡金属硫族化合物自旋轨道耦合作用化学气相沉积结构相变伊辛超导

顶端加载、温度范围在300～1.4K的多功能交流测量恒温器

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低温物理学报 2005年第4期27卷 69-73页

作者：樊洁,宋小会,景秀年,李山林,张殿琳西北大学现代物理研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所西安710069 中国科学院物理研究所北京100080 北京100080 北京100080 北京100080 北京100080

本文介绍了一台用于交流小讯号测量的低温恒温器.利用内液池减压,最低温度可达1.370K,并且在测量功率为0.15mW时,内液池液氦可以维持样品温度在1.4K达20小时以上.系统装置了在8T的背景磁场内最高可达0.18T的交变调制场,从而可以实现利... 详细信息

本文介绍了一台用于交流小讯号测量的低温恒温器.利用内液池减压,最低温度可达1.370K,并且在测量功率为0.15mW时,内液池液氦可以维持样品温度在1.4K达20小时以上.系统装置了在8T的背景磁场内最高可达0.18T的交变调制场,从而可以实现利用双交流法精细测量磁阻或霍耳系数随磁场变化的函数关系.试验结果表明,此恒温器具有低液氦蒸发量和可从1.3～300K连续控温的特点.用此装置对Co膜的霍尔系数测量的实验中,霍尔电压变化量的测量精度达到了0.5nV.

关键词：低温恒温器小讯号测量双交流调制法