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S32750超级双相不锈钢在NaCl溶液中的临界点蚀温度及电化学腐蚀机理

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中国腐蚀与防护学报 2015年第2期35卷 106-112页

作者：何进晏敏胜杨丽景 Masoumeh Moradi 宋振纶蒋业华昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093 中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室宁波315201

采用电化学测试研究了S32750超级双相不锈钢在3.5%Na Cl溶液中的临界点蚀温度(CPT)及电化学腐蚀机理,结合试样点蚀前后的形貌变化,得出S32750不锈钢的临界点蚀温度为71℃。在低于临界点蚀温度时,不锈钢表面能形成稳定的钝化膜;高于临界... 详细信息

采用电化学测试研究了S32750超级双相不锈钢在3.5%Na Cl溶液中的临界点蚀温度(CPT)及电化学腐蚀机理,结合试样点蚀前后的形貌变化,得出S32750不锈钢的临界点蚀温度为71℃。在低于临界点蚀温度时,不锈钢表面能形成稳定的钝化膜;高于临界点蚀温度时,由于Cl-的活性增加及钝化膜的溶解,不锈钢表面产生点蚀现象,且温度越高,点蚀越剧烈。构建了双相不锈钢S32750临界点蚀温度前后的电化学腐蚀模型。

关键词：双相不锈钢临界点蚀温度钝化腐蚀

NiCrAlY薄膜对Sm_2Co_(17)磁体高温抗氧化性的影响

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中国腐蚀与防护学报 2015年第2期35卷 183-188页

作者：晏敏胜何进冒守栋杨丽景聂霞宋振纶詹肇麟昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093 中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室宁波315201

采用直流磁控溅射方法在Sm2Co17磁体表面制备Ni Cr Al Y薄膜,分别探讨了Ni Cr Al Y薄膜防护的Sm2Co17(Ni Cr Al Y/Sm2Co17)磁体在500,600和700℃空气中的氧化行为,测试了磁体的氧化增重和磁性能,并用SEM,EDS和XRD对薄膜的微观形貌、化... 详细信息

采用直流磁控溅射方法在Sm2Co17磁体表面制备Ni Cr Al Y薄膜,分别探讨了Ni Cr Al Y薄膜防护的Sm2Co17(Ni Cr Al Y/Sm2Co17)磁体在500,600和700℃空气中的氧化行为,测试了磁体的氧化增重和磁性能,并用SEM,EDS和XRD对薄膜的微观形貌、化学成分和相组成进行表征。结果表明,Ni Cr Al Y薄膜在600℃以下可明显减缓O向Sm2Co17基体的扩散速率,提高Sm2Co17磁体的抗氧化性;当氧化温度升高到700℃,Ni Cr Al Y薄膜的防护效果有所下降。在高温氧化过程中,Ni Cr Al Y薄膜选择性氧化形成富Al2O3的致密氧化膜,可提升薄膜的高温抗氧化性能。

关键词： NiCrAlY薄膜 Sm2Co17磁体氧化磁性能磁控溅射

磁控溅射Al-Ti合金薄膜的结构与性能变化

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中国表面工程 2014年第4期27卷 95-99页

作者：聂霞冒守栋晏敏胜郑必长李金龙宋振纶中国科学院宁波材料技术与工程研究所海洋新材料与应用技术重点实验室浙江宁波315201 中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江省海洋材料与防护技术重点实验室浙江宁波315201 昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093

采用磁控溅射共沉积法制备Al-Ti合金薄膜，利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）以及纳米压痕仪等研究了薄膜成分、薄膜结构、薄膜形貌与薄膜力学性能之间的相互关系。结果表明：当薄膜钛（Ti）含量低... 详细信息

采用磁控溅射共沉积法制备Al-Ti合金薄膜，利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）以及纳米压痕仪等研究了薄膜成分、薄膜结构、薄膜形貌与薄膜力学性能之间的相互关系。结果表明：当薄膜钛（Ti）含量低于26％时，薄膜为晶态固溶体（fcc Al（Ti））；钛含量为32％时，薄膜为固溶体-非晶混合相；钛含量介于35％～62％时，薄膜为非晶；钛含量为73％时，薄膜为非晶-固溶体混合相；钛含量高于76％时，薄膜为晶态固溶体（hop Ti（Al））；Al-Ti薄膜的非晶区间为32％～73％Ti。同时非晶薄膜的内部结构较晶体更为致密。非晶薄膜的硬度和模量较晶体更高。这表明共沉积法可快速研究Al-Ti薄膜的结构、形貌及性能随薄膜成分的变化，并获取薄膜的非晶区间。

关键词：磁控溅射 Al-Ti薄膜固溶体非晶

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方图尺寸约束网络及其传播算法

小型微型计算机系统 1991年第2期12卷 40-46页

作者：晏敏大连理工大学力学所

本文阐述了方图模型的尺寸约束参量,以及由尺寸约束参量构成的约束网络的概念与定义,将方图模型中矩形与连接边的尺寸计算,转化为约束网络的构造及约束网络的传播计算过程.文中较详细地阐述了约束网络的传播算法,和约束网络的自动生成... 详细信息

本文阐述了方图模型的尺寸约束参量,以及由尺寸约束参量构成的约束网络的概念与定义,将方图模型中矩形与连接边的尺寸计算,转化为约束网络的构造及约束网络的传播计算过程.文中较详细地阐述了约束网络的传播算法,和约束网络的自动生成编程原理.

关键词：方图尺寸约束网络传播算法

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方图矩阵及其算法

小型微型计算机系统 1990年第7期11卷 22-30,56页

作者：晏敏华中理工大学电力系

本文介绍平面布局方图模型的数学表达—方图矩阵及其运算规则,阐述以方图矩阵为工具,对方图进行分析的原理与算法。

关键词：方图矩阵算法平面布局建筑设计

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基于方图理论的空间布局问题求解模式

华中理工大学学报 1992年第6期20卷 179-182页

作者：晏敏大连理工大学

空间布局设计的任务,是要把一些物体或空间合理地布置在一个空间中,使它们满足一定的尺寸与位置关系约束条件.空间布局设计活动,实际上是一种信息转换过程:从反映一定主客观要求的语言描述,到空间布局方案的图形描述.语言描述属抽象概... 详细信息

空间布局设计的任务,是要把一些物体或空间合理地布置在一个空间中,使它们满足一定的尺寸与位置关系约束条件.空间布局设计活动,实际上是一种信息转换过程:从反映一定主客观要求的语言描述,到空间布局方案的图形描述.语言描述属抽象概念层次范畴,图形则是接近于物理世界的具体表达,连接抽象概念与具体图形的中间层次是形象,如图1所示.因此,空间布局设计涉及概念、形象、图形三个不同抽象层次上的信息处理及其相互转换.怎样用计算机进行空间布局设计这一研究课题始于60年代,至今尚无一满意的求解模式.文献[1]综述了空间布局问题的已有求解模式,指出这些求解模式之所以失败的一个原因,是它们没有统一地表达与处理概念、形象、图形这三个不同抽象层次上的信息.本文提出了基于方图理论的空间布局问题的三层次系统组织框架,并以此框架为基础研究空间布局设计问题的求解模式.其中,方图作为信息变换的枢纽媒介,使概念、形象,图形三个层次有机地溶为一体.1 方图理论方图理论研究布局设计中的信息表达、加工变换原理与机制,包括一系列定义、原则、定理和算法.方图理论认为,布局设计中的各种主、客观要求,最终都可转化为以实现一定的空间关系来满足,空间关系在人脑中表现为形象信息.

关键词：方图理论空间布局设计计算机

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学生自主学习路径探析

中学政治教学参考 2020年第7期 49-50页

作者：晏敏重庆市永川中学校 402160

新时代加强思想政治理论课学习,理应是我们树立正确的世界观、人生观、价值观及强化理想信念的主旨所在,也是愉悦心灵、丰润生命的精神之旅,而自主学习应是其中必不可少的过程。建构主义理论认为,有效的学习指向学生主动参与到对世界、... 详细信息

新时代加强思想政治理论课学习,理应是我们树立正确的世界观、人生观、价值观及强化理想信念的主旨所在,也是愉悦心灵、丰润生命的精神之旅,而自主学习应是其中必不可少的过程。建构主义理论认为,有效的学习指向学生主动参与到对世界、社会与自身意义的理解中,教师只是一个情境设计者与材料提供者。

关键词：思想政治理论课建构主义理论精神之旅学生自主学习路径探析学生主动参与理想信念价值观

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平面布局方图模型的尺寸计算

小型微型计算机系统 1989年第5期10卷 25-30页

作者：晏敏张昌期华中理工大学电力系华中理工大学电力系武汉武汉武汉

空间尺寸的大小,是人在空间布局设计活动中,经常性考虑的一个重要因素。本文在[2]的基础上,阐述了一些有关方图结构的新概念,证明了方图尺寸计算的一些定理。这些概念和定理,为应用计算机进行空间布局的尺寸自动计算提供了理论依据。

关键词：平面布局方图模型空间布局尺寸

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智能四探针电阻率测试仪研究及开发

智能四探针电阻率测试仪研究及开发

作者：晏敏湖南大学

学位级别：硕士

电阻率是半导体材料中一个很重要的性能指标,通过对它的测量可以得到材料的掺杂浓度等重要信息,它将直接影响到生产出来的器件的性能。为了适应集成电路快速发展的需要,对半导体材料提出了更高的检测要求:不仅要简便、快捷、准确,而且... 详细信息

电阻率是半导体材料中一个很重要的性能指标,通过对它的测量可以得到材料的掺杂浓度等重要信息,它将直接影响到生产出来的器件的性能。为了适应集成电路快速发展的需要,对半导体材料提出了更高的检测要求:不仅要简便、快捷、准确,而且必须符合每个工艺流程的需要。这不仅需要完善的设计工具和稳定的工艺制备能力,还需要可靠性好、精度高的测试手段。直流四探针法已经成为半导体生产工艺和其他行业中应用最为广泛的工艺监控手段之一,随着“嵌入式”技术的日趋完善和推广,智能化数字式成为各类测试仪发展的方向,因此,对智能化半导体测试技术的研究有着非常重要的意义和实际开发价值。本文首先从范德堡原理出发,详细分析四探针电阻率测试原理,对不同形状、尺寸的半导体材料所采用的各种算法和修正方法进行深入仔细的推导,在比较几种测试方法的基础上确立了直流四探针测试法;设计并开发了一种以MSP430单片机为核心的智能化数字式直流四探针电阻率测试仪。该测试仪采用高精度的斩波稳零运放技术消除了因输入信号微弱而引起的误差;恒流源采用了两个不同形式的电路,不同电阻率的样品可自动进入适合放大电路中;通过软件补偿算法减小了温度对测量结果的影响;编写通信协议实现了测试仪与PC机的联机通讯,可对因样品厚度、边距等因素引起的测试误差进行修正,提高了仪器的测量精度;运用硬、软件相结合的方式,完成了测量中量程自动切换的功能,最后,根据所采用的直流四探针电阻率测试法的需要给出了它的准测条件。所开发的测试仪通过实际运行检查达到了设计要求,已投入使用之中,整体效果良好,证明了本文研发成果的有效性和实用价值。本课题的创新之处在于:开发的智能化测试仪能够根据不同的样品自动切换量程以保证测试的精度;引入了先进的温度补偿技术,以减小温度漂移对测量结果的影响;既可独立工作,又可通过RS-232接口与PC机通信,从而大地提高了仪器的数据处理能力,进一步提高了测量精度。

关键词：微电子技术:四探针测试仪电阻率嵌入式技术数字化智能化