检索结果-南通市图书馆

铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光谱学与光谱分析 2001年第6期21卷 758-762页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着S... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5

关键词： MEVVA离子源半导体薄膜铒光致发光显微结构掺杂 SiO2/Si发光薄膜富硅氧化硅光谱

C+Mo离子共注入H13钢中抗腐蚀性能的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

北京师范大学学报（自然科学版） 2002年第1期38卷 59-62页

作者：易仲珍张旭张通和李永良射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 北京师范大学测试中心北京100875

采用改进了的MEVVA源阴极对H13钢进行了C+Mo共注入，并做了X射线衍射分析、电化学测量和表面形貌分析.实验结果表明，C+Mo共注入后H13钢表面的抗腐蚀性能得到了改善，表面的致钝电流密度显著降低，点蚀电位明显正移.X射线分析表明，C+M... 详细信息

采用改进了的MEVVA源阴极对H13钢进行了C+Mo共注入，并做了X射线衍射分析、电化学测量和表面形貌分析.实验结果表明，C+Mo共注入后H13钢表面的抗腐蚀性能得到了改善，表面的致钝电流密度显著降低，点蚀电位明显正移.X射线分析表明，C+Mo共注入后在H13钢表面形成了FeMo，Fe2MoC，Mo2C，γ-Mo2N,Fe7C3和Fe5C2等新相.这些新相在改善材料表面抗腐蚀性能方面起了重要作用.

关键词：抗腐蚀性能电化学测量 H13钢表面改性离子共注入碳钼 MEVVA源点蚀电位

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

核技术 2002年第8期25卷 631-636页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用表面物理国家重点实验室南昌大学材料科学与工程系北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AF... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得 ,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.5 4μm光致发光。

关键词：退火温度离子注入掺铒硅快速退火光致发光半导体材料结构发光薄膜发光材料

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

采用磁过滤MEVVA源制备DLC膜的研究

北京师范大学学报（自然科学版） 2002年第4期38卷 478-481页

作者：张旭张通和易仲珍张荟星王广甫北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室低能核物理研究所北京市辐射中心北京师范大学分析测试中心

采用磁过滤MEVVA沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面 (单晶硅、不锈钢和工具钢等 )上制备高质量类金刚石 (DLC)薄膜。实验结果表明 ,沉积能量对薄膜的sp3键含量的影响为先随能量的增加而增加 ,达到最大值后 ,再增加沉积能量含量反而下... 详细信息

采用磁过滤MEVVA沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面 (单晶硅、不锈钢和工具钢等 )上制备高质量类金刚石 (DLC)薄膜。实验结果表明 ,沉积能量对薄膜的sp3键含量的影响为先随能量的增加而增加 ,达到最大值后 ,再增加沉积能量含量反而下降。硬度测试结果表明 ,非晶金刚石薄膜具有极高的硬度 ,为 70～ 78GPa ,远远高于衬底材料的硬度值 .对非晶金刚石薄膜的摩擦性能试验结果表明 ,非晶金刚石薄膜的摩擦因数为 0 .16～ 0 .2 ,大大低于衬底材料 .

关键词：磁过滤 MEVVA源制备 DLC膜类金刚石膜金属蒸汽真空弧沉积非晶金刚石薄膜耐磨损性能

(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2001年第10期22卷 1258-1263页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室南昌大学材料科学与工程系南昌330047

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号。

关键词：双注入掺铒硅光致发光表面结构二氧化硅薄膜

Nano-phases and corrosion resistance of C+Mo dual implanted steel

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Science China(Technological Sciences) 2001年第4期44卷 383-388页

作者：张通和吴瑜光易仲珍张旭王晓妍 Radiation Beam Technology & Material Modification Key Laboratory Beijing Normal University Institute of Low Energy Nuclear Physics Beijing Normal University Beijing Radiation Center Beijing China

The corrosion resistance of C+Mo dual-implanted H13 steel wasstudied using multi-sweep cyclic voltammetry. The phase formation conditions for corrosion resistance and its effects were researched. The super-saturation solid station solution of Mo+ and C+ atoms was formed in Mo+C dual implanted steel. Precipitate phase with nanometer size Fe2Mo, FeMo, MoC, Fe5C3 and Fe7C3 were formed in dual implanted layer. The passivation layer consisted of these nanometer phases. The corrosion resistance of the dual implanted layer was better than that of single Mo implantation. Jp of the Mo implanted sample is 0.55 times that of H13 steel. The corrosion resistance of the dual implantation was enhanced when ion dose increased. When the Mo+ ion dose was 6×1017/cm2 in the dual implantation, Jp of the dual implanted sample was only 0.11 times that in H13 steel. What is important is that pitting corrosion properties of dual implanted steel were improved obviously.

关键词：加碳的钨双培植腐蚀抵抗电气化学的测量

铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国稀土学报 2002年第1期20卷 68-71页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用表面物理国家重点实验室南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室南昌大学材料科学与工程系

用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达～ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分... 详细信息

用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达～ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现 ,Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关。Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的 1 5 4μm光发射。

关键词：稀土离子注入掺铒硅偏析光致发光发光薄膜金属蒸气真空弧离子源铒沉淀光发射

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

钕离子注入单晶硅光致发光的起源(英文)

Journal of Semiconductors 2001年第11期22卷 1377-1381页

作者：肖志松徐飞张通和易仲珍程国安北京师范大学低能核物理研究所射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京100875 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 南昌大学材料科学与工程系南昌330047

Nd离子注入到 (111)单晶硅中形成钕掺杂层 ,室温下 ,紫外光 (2 2 0 nm )激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱 ,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强 .X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在 Si— O,Nd— O,Si— Si和 O— O键 .发光... 详细信息

Nd离子注入到 (111)单晶硅中形成钕掺杂层 ,室温下 ,紫外光 (2 2 0 nm )激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱 ,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强 .X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在 Si— O,Nd— O,Si— Si和 O— O键 .发光主要是由于 Nd3+ 的 4f内层电子的辐射跃迁所致 ,同时。

关键词：光致发光钕离子注入稀土单晶硅

C+Ti双注入钢中纳米抗腐蚀相的形成和抗腐蚀特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学（E辑） 2001年第6期31卷 496-501页

作者：张通和吴瑜光邓志威马芙蓉易仲珍王晓妍梁宏周固李永良北京师范大学教育部射线束技术和材料改性重点实验室低能核物理研究所北京辐射中心北京100875 北京师范大学分析测试中心北京100875

C+Ti注入样品经过腐蚀和点蚀后用透射电子显微镜发现了抗腐蚀的丝状纳米相.多重电位扫描法研究表明这种相具有抗腐蚀和抗点蚀特性,其腐蚀电流密度下降10～26倍.X射线分析表明这种相为直径10～30nm的FeTi和FeTi2相,这种相密集的镶嵌在注... 详细信息

C+Ti注入样品经过腐蚀和点蚀后用透射电子显微镜发现了抗腐蚀的丝状纳米相.多重电位扫描法研究表明这种相具有抗腐蚀和抗点蚀特性,其腐蚀电流密度下降10～26倍.X射线分析表明这种相为直径10～30nm的FeTi和FeTi2相,这种相密集的镶嵌在注入层中,其长度大约为150～320nm.腐蚀后用扫描电子显微镜观察到密集的丝状的抗腐蚀和抗点蚀的纳米结构.这种丝状纳米相是金属碳化物,这些相构成了具有优异抗腐蚀特性的钝化层.

关键词：抗腐蚀特性 MEVVA源金属离子注入 H13钢丝状纳米相碳钛纳米抗腐蚀相表面处理